氟树脂膜、覆铜层积体和电路用基板制造技术

本发明专利技术得到一种减少层压时的不良、与铜箔的粘接性也良好的氟树脂膜和使用了该氟树脂膜的覆铜层积体。一种氟树脂膜，其为由包含氟的组合物构成的膜，其中，在180℃热处理3分钟后利用扫描型X射线光电子能谱分析装置(XPS/ESCA)测定其单面或双面的表面状态时的氧元素比例为1.35原子％以上，将该膜在180℃热处理10分钟后冷却至室温进行测定时，热处理前后的MD和TD的尺寸变化率的绝对值为2％以下。MD和TD的尺寸变化率的绝对值为2％以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氟树脂膜、覆铜层积体和电路用基板


[0001]本专利技术涉及氟树脂膜、覆铜层积体和电路用基板。

技术介绍

[0002]电路基板中广泛使用了环氧树脂、聚酰亚胺树脂作为绝缘层。近年来，对于在数十千兆赫级别的高频区域的用途中使用的高频电路基板，从介电特性、吸湿性的方面出发，提出了一些在铜箔上形成氟树脂的绝缘层的构成(专利文献1～3)。
[0003]在这样的印刷布线基板中，通过对氟树脂膜实施表面处理，也可得到与铜箔的粘接性(专利文献1)。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：国际公开2016/021666号
[0007]专利文献2：国际公开2019/203243号
[0008]专利文献3：国际公开2020/145133号

技术实现思路

[0009]专利技术所要解决的课题
[0010]本专利技术的目的在于得到一种减少层压时的不良、与铜箔的粘接性也良好的氟树脂膜和使用了该氟树脂膜的覆铜层积体。
[0011]用于解决课题的手段
[001本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种氟树脂膜，其为由包含氟树脂的组合物构成的膜，其中，在180℃热处理3分钟后利用扫描型X射线光电子能谱分析装置(XPS/ESCA)测定其单面或双面的表面状态时的氧元素比例为1.35原子％以上，将该膜在180℃热处理10分钟后冷却至25℃进行测定时，热处理前后的MD和TD的尺寸变化率的绝对值为2％以下。2.根据权利要求1所述的氟树脂膜，其中，所述氧元素比例为1.5原子％以上。3.根据权利要求1或2所述的氟树脂膜，其包含四氟乙烯
‑
全氟烷基乙烯基醚(PFA)或四氟乙烯
‑
六氟丙烯(FEP)。4.根据权利要求1～3中任一项所述的氟膜，其中，利用扫描型X射线光电子能谱分析装置(XPS/ESCA)测定单面或双面的表面状态时的氧元素比例与利用氩气团簇离子束以45
°
的入射角沿深度方向蚀刻该膜15分钟后利用扫描型X射线光电子能谱分析装置(XPS/ESCA)测定时的氧元素比例之差为1.0原子％以上。5.根据权利要求1～4中任一项所述的氟树脂膜，其中，仅在单面或在双面，将膜的同一面内彼此在200℃贴合时的粘接强度大于30N/m。6.根据权利要求1～5中任一项所述的氟树脂膜，其中，10GHz下的介质损耗角正切小于0.0015。7.根据权利要求1～5中任一项所述的氟树脂膜，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：小森洋和，樋口达也，高桥谦三，河村昌彦，横谷幸治，寺田纯平，小松信之，
申请(专利权)人：大金工业株式会社，
类型：发明
国别省市：