氟树脂膜、覆铜层积体和电路用基板制造技术

本发明专利技术得到一种减少层压时的不良、与铜箔的粘接性也良好的氟树脂膜和使用了该氟树脂膜的覆铜层积体。一种氟树脂膜，其为由包含氟的组合物构成的膜，其中，在180℃热处理3分钟后利用扫描型X射线光电子能谱分析装置(XPS/ESCA)测定其单面或双面的表面状态时的氧元素比例为1.35原子％以上，将该膜在180℃热处理10分钟后冷却至室温进行测定时，热处理前后的MD和TD的尺寸变化率的绝对值为2％以下。MD和TD的尺寸变化率的绝对值为2％以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】氟树脂膜、覆铜层积体和电路用基板


[0001]本专利技术涉及氟树脂膜、覆铜层积体和电路用基板。

技术介绍

[0002]电路基板中广泛使用了环氧树脂、聚酰亚胺树脂作为绝缘层。近年来，对于在数十千兆赫级别的高频区域的用途中使用的高频电路基板，从介电特性、吸湿性的方面出发，提出了一些在铜箔上形成氟树脂的绝缘层的构成(专利文献1～3)。
[0003]在这样的印刷布线基板中，通过对氟树脂膜实施表面处理，也可得到与铜箔的粘接性(专利文献1)。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：国际公开2016/021666号
[0007]专利文献2：国际公开2019/203243号
[0008]专利文献3：国际公开2020/145133号

技术实现思路

[0009]专利技术所要解决的课题
[0010]本专利技术的目的在于得到一种减少层压时的不良、与铜箔的粘接性也良好的氟树脂膜和使用了该氟树脂膜的覆铜层积体。
[0011]用于解决课题的手段
[0012]本专利技术涉及一种氟树脂膜，其为由包含氟树脂的组合物构成的膜，其中，
[0013]在180℃热处理3分钟后利用扫描型X射线光电子能谱分析装置(XPS/ESCA)测定其单面或双面的表面状态时的氧元素比例为1.35原子％以上，
[0014]将该膜在180℃热处理10分钟后冷却至25℃进行测定时，热处理前后的MD和TD的尺寸变化率的绝对值为2％以下。
[0015]上述氧元素比例优选为1.5原子％以上。
[0016]上述氟树脂膜优选包含四氟乙烯
‑
全氟烷基乙烯基醚(PFA)或四氟乙烯
‑
六氟丙烯(FEP)。
[0017]上述氟树脂膜优选的是，利用扫描型X射线光电子能谱分析装置(XPS/ESCA)测定单面或双面的表面状态时的氧元素比例与利用氩气团簇离子束以45
°
的入射角沿深度方向蚀刻该膜15分钟后利用扫描型X射线光电子能谱分析装置(XPS/ESCA)测定时的氧元素比例之差为1.0原子％以上。
[0018]上述氟树脂膜优选的是，仅在单面或在双面，将膜的同一面内彼此在200℃贴合时的粘接强度大于30N/m。
[0019]上述氟树脂膜优选10GHz下的介质损耗角正切小于0.0015。
[0020]上述氟树脂膜优选40GHz下的介质损耗角正切小于0.0015。
[0021]上述氟树脂膜优选不稳定末端基团数在氟树脂的每106个主链碳原子数中小于10。
[0022]上述氟树脂膜优选与表面粗糙度Rz为1.5μm以下的铜箔粘接时的粘接强度为0.8N/mm以上。
[0023]上述氟树脂膜优选用于覆铜层积板。
[0024]本专利技术还涉及一种覆铜层积体，其以铜箔和上述任一种氟树脂膜作为必要的层。
[0025]上述覆铜层积体优选还具有铜箔和氟树脂膜以外的层，
[0026]该铜箔和氟树脂膜以外的层为选自由聚酰亚胺、液晶聚合物、聚苯硫醚、环烯烃聚合物、聚苯乙烯、环氧树脂、双马来酰亚胺、聚亚苯基氧化物、聚苯撑醚和聚丁二烯组成的组中的至少1种。
[0027]上述铜箔优选表面粗糙度Rz为1.5μm以下。
[0028]上述覆铜层积板优选铜箔与氟树脂膜的粘接强度为0.8N/mm以上。
[0029]本专利技术还涉及一种电路用基板，其特征在于，具有上述任一项所述的覆铜层积体。
[0030]本专利技术还涉及上述任一项所述的覆铜层积体的制造方法，其特征在于，在膜的玻璃化转变温度以上且小于熔点的条件下将氟树脂膜预热后，使铜箔或/和氟树脂膜与铜箔以外的基材贴合。
[0031]专利技术的效果
[0032]本专利技术的氟树脂膜起到如下效果：在层压时产生不良的情况少，并且还能够得到与铜箔的良好的粘接性。
具体实施方式
[0033]以下，对本专利技术进行详细说明。
[0034]在通过卷对卷层压氟树脂膜和铜箔来制造覆铜层积板时，减少层压工序中的不良、以及得到氟树脂与铜箔的高粘接性成为课题。
[0035]作为层压工序中的不良的原因之一，可以举出：若卷状的膜形成有褶皱(卷绕过紧)，则在层压时会在形成有褶皱的状态下被层积。这种褶皱(卷绕过紧)的原因在于，在卷状态的膜中，膜的形状经时地发生变化。
[0036]认为这种膜形状的经时变化是由膜内的残余应力引起的，因此为了抑制该变化，可考虑下述方法：为了缓和氟树脂膜中的残余应力而进行退火处理的方法；在膜的制造工序中，为了使残余应力难以残留，调整T模头的模唇开度、气隙等熔融挤出条件或膜的卷取条件等制造条件的方法；等。
[0037]进而，氟树脂通常是难以得到与铜箔的粘接性的原材料。因此，为了提高层压特性，优选进行氟树脂膜的表面处理。这样的表面处理通常已知主要是增加树脂表面的氧原子量的方法。
[0038]可知：用于改善这样的粘接性的氟树脂膜的表面处理的效果具有因加热而降低的倾向。推测这是由于：表面的氧原子因加热而脱离，表面的氧原子量减少。在层压工序中，为了提高生产率，例如有时在玻璃化转变温度以上且低于熔点的温度下预先预热后进行层压，如此，为了使受到热历程的氟膜与铜箔粘结时具有充分的粘接性，可知在对膜进行180℃
×
3分钟热处理后利用扫描型X射线光电子能谱分析装置(XPS/ESCA)对与该铜箔粘接的
面进行测定时的氧原子比例必须为1.35原子％以上。
[0039]从上述观点出发，通过同时满足
[0040](1)在180℃
×
10分钟的热处理后冷却至25℃进行测定时，热处理前后的MD和TD的尺寸变化率的绝对值为2.0％以下；和
[0041](2)在180℃
×
3分钟热处理后，利用扫描型X射线光电子能谱分析装置(XPS/ESCA)测定与该铜箔粘接的面时的氧原子比例为1.35原子％以上
[0042]这2个条件的氟树脂膜，能够得到可减少层压时的不良、且与铜箔的粘接性也优异的氟树脂膜。
[0043]为了得到满足上述(1)、(2)这两种性能的氟树脂膜，氟树脂膜成型后的处理工序条件很重要。
[0044]如上所述，作为为了实现本专利技术的目的而用于降低收缩率的方法的一例，可以举出退火处理。
[0045]对氟树脂膜的退火处理通常为加热处理。因此，在表面处理后进行退火处理的情况下，氧原子量降低，产生粘接能力的降低。另外，由于还产生层压时的预热工序带来的粘接能力降低，因此在进行退火处理的情况下，作为表面处理和退火处理的条件，需要选择适当的条件。另外，为了不产生由这样的退火处理引起的问题，也可以采用通过调整膜的制造工序来降低内部应力等方法。
[0046]本专利技术中，通过调整上述各种条件，制成满足上述(1)、(2)的氟树脂膜，从而减少层压时的不良，同时得到良好的粘接性。
[0047]以下，对本专利技术进行更具体的说明。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种氟树脂膜，其为由包含氟树脂的组合物构成的膜，其中，在180℃热处理3分钟后利用扫描型X射线光电子能谱分析装置(XPS/ESCA)测定其单面或双面的表面状态时的氧元素比例为1.35原子％以上，将该膜在180℃热处理10分钟后冷却至25℃进行测定时，热处理前后的MD和TD的尺寸变化率的绝对值为2％以下。2.根据权利要求1所述的氟树脂膜，其中，所述氧元素比例为1.5原子％以上。3.根据权利要求1或2所述的氟树脂膜，其包含四氟乙烯
‑
全氟烷基乙烯基醚(PFA)或四氟乙烯
‑
六氟丙烯(FEP)。4.根据权利要求1～3中任一项所述的氟膜，其中，利用扫描型X射线光电子能谱分析装置(XPS/ESCA)测定单面或双面的表面状态时的氧元素比例与利用氩气团簇离子束以45
°
的入射角沿深度方向蚀刻该膜15分钟后利用扫描型X射线光电子能谱分析装置(XPS/ESCA)测定时的氧元素比例之差为1.0原子％以上。5.根据权利要求1～4中任一项所述的氟树脂膜，其中，仅在单面或在双面，将膜的同一面内彼此在200℃贴合时的粘接强度大于30N/m。6.根据权利要求1～5中任一项所述的氟树脂膜，其中，10GHz下的介质损耗角正切小于0.0015。7.根据权利要求1～5中任一项所述的氟树脂膜，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：小森洋和，樋口达也，高桥谦三，河村昌彦，横谷幸治，寺田纯平，小松信之，
申请(专利权)人：大金工业株式会社，
类型：发明
国别省市：