【技术实现步骤摘要】
一种高功率微波屏蔽复合材料及其制备方法
[0001]本申请涉及电子材料的
,特别是一种高功率微波屏蔽复合材料及其制备方法。
技术介绍
[0002]高功率微波(High Power Microwave,HPM)是指频段在0.3—300GHz、峰值功率大于100MW或平均功率大于1MW的电磁脉冲。
[0003]如今,强电磁脉冲的峰值功率可达到MW甚至GW级别,并且可以同时攻击多个目标,电子元件在经受如此高强度的电磁冲击后,会在瞬间出现大规模故障、烧毁等问题,进而导致设备与系统的失效甚至瘫痪,造成极大的经济损失与严重的后果。此外,HPM对人体同样会造成极大损伤。在中华人民共和国生态环境部于1989年制定的GB9175
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88“环境电磁波卫生标准”中曾指出,若暴露于功率密度达200mW/cm2的电磁波下便可致小鼠脑、肝等器官内细胞氧化;若短时间经过HPM辐照,可直接将生物烧伤或烧死,严重时还会导致生物失去活动能力。
[0004]目前主要的电磁防护手段有滤波技术、超快限幅技术以及使用高性能电磁防 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高功率微波HPM屏蔽复合材料,其特征在于,包括第一CNT复合层与第一MXene复合层,第一CNT复合层与第一MXene复合层层叠设置;CNT复合层由改性MVQ与改性CNT混合而成,MVQ的改性和CNT的改性用于实现CNT在MVQ中的均匀分散;MXene复合层由改性MVQ与改性MXene混合而成,MVQ的改性和MXene的改性用于实现MXene在MVQ中的均匀分散。2.根据权利要求1所述的HPM屏蔽复合材料,其特征在于,所述HPM屏蔽复合材料还包括第二CNT复合层,第一CNT复合层、第一MXene复合层和第二CNT复合层依次层叠设置构成三明治层叠结构。3.根据权利要求1所述的HPM屏蔽复合材料,其特征在于,所述HPM屏蔽复合材料还包括第二MXene复合层,第一MXene复合层、第一CNT复合层和第二MXene复合层依次层叠设置构成三明治层叠结构。4.根据权利要求1至3中任一项所述的HPM屏蔽复合材料,其特征在于,改性CNT指羟基化的CNT,改性MVQ指羟基化的MVQ,改性MXene指羟基化或羧基化的MXene。5.一种HPM屏蔽复合材料的制备方法,其特征在于,包括:在第一CNT复合层上对第一MXene复合层的密炼产物进行固化,或者在第一MXene复合层上对第一CNT复合层的密炼产物进行固化;所述第一CNT复合层的密炼产物通过以下方式制备:对CNT进行改性处理,得到改性CNT粉末;对MVQ进行改性处理,得到改性MVQ;在改性后的MVQ预混物加入制备好的改性CNT,将其放入密炼机进行密炼;所述第一MXene复合层的密炼产物通过以下方式制备:对MXene进行改性处理,得到改性MXene粉末;对MVQ进行改性处理,得到改性MVQ;在改性后的MVQ预混物加入制备好的改性MXene,将其放入密炼机进行密炼。6...
【专利技术属性】
技术研发人员:白宇,吕长春,刘冠男,吴萱,宋敬群,尹禄高,徐晓莉,姜铁华,李帆,肖光亮,李晓菲,石彦超,郭华栋,肖玥,王璐,沈翔,陈策,范苑,刘靓,许哲琪,冯蕙心,
申请(专利权)人:北京宇航系统工程研究所,
类型:发明
国别省市:
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