太阳能电池单元的制造方法技术

提供一种太阳能电池单元的制备方法，包括：提供第一导电类型的硅基体，并双面抛光硅基体；对硅基体进行吸杂处理，包括将硅基体置于吸杂源中以在硅基体的第一表面上形成第一硅掺杂层和第一硅玻璃层并且在硅基体的与第一表面相反的第二表面上形成第二硅掺杂层和第二硅玻璃层；移除第一硅玻璃层；在移除第一硅玻璃层之后，对硅基体的第一表面进行制绒处理，同时移除第一硅掺杂层，在硅基体的第一表面上形成绒面；移除第二硅玻璃层和第二硅掺杂层的至少一部分；以及对硅基体的第一表面进行圆滑处理。圆滑处理。圆滑处理。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池单元的制造方法


[0001]本公开涉及一种太阳能电池单元的制造方法。

技术介绍

[0002]硅基异质结(Heterojunction，HJT)电池，是一种能将太阳光能转换成电力输出的半导体器件。通常，使用n型硅基体制备异质结电池。一种异质结电池制备过程可以包括：提供硅基体；在n型硅基体的正/背面沉积本征α
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Si:H层；然后分别在正/背面的本征α
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Si:H层上形成p型α
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Si:H层和n型α
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Si:H层；最后采用低温银浆经丝网印刷、烘干固化形成电极。实际生产中，还可以在p型α
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Si:H层和n型α
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Si:H层上分别沉积透明导电氧化物薄膜(TCO)然后形成金属电极。
[0003]就异质结电池而言，其具有更好的表面钝化效果，因此硅基体自身的材料性能对后续电池效率的影响更大。业内已公开有通过吸杂工艺改善硅基体性能，提高填充因子与电池效率的方案，但异质结电池的具体吸杂步骤与制备工艺仍需调整与改进。/>
技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池单元的制备方法，包括：提供第一导电类型的硅基体，并双面抛光所述硅基体；对所述硅基体进行吸杂处理，包括将所述硅基体置于吸杂源中以在所述硅基体的第一表面上形成第一硅掺杂层和第一硅玻璃层并且在所述硅基体的与第一表面相反的第二表面上形成第二硅掺杂层和第二硅玻璃层；移除所述第一硅玻璃层；在移除所述第一硅玻璃层，对所述硅基体的所述第一表面进行制绒处理，移除第一硅掺杂层，同时在所述硅基体的所述第一表面上形成绒面；以及移除所述第二硅玻璃层和所述第二硅掺杂层的至少一部分。2.根据权利要求1所述的太阳能电池单元的制备方法，其中，在移除所述第二硅掺杂层步骤中，仅移除所述第二硅掺杂层的一部分，优选地，所述第一硅掺杂层和所述第二硅掺杂层是第一导电类型的。3.根据权利要求2所述的太阳能电池单元的制备方法，其中，移除后保留的所述第二硅掺杂层的厚度小于500nm。4.根据权利要求1
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3中任一项所述的太阳能电池单元的制备方法，还包括：在所述硅基体的第一表面的一侧和第二表面的一侧上分别形成第一本征含硅层和第二本征含硅层；在所述第一本征含硅层和所述第二本征含硅层上分别形成第二导电类型的第一掺杂含硅层和第一导电类型的第二掺杂含硅层，所述第二导电类型与所述第一导电类型不同；以及在所述第一掺杂含硅层和所述第二掺杂含硅层上分别形成第一透明导电层和第二透明导电层。5.根据权利要求4所述的太阳能电池单元的制备方法，其中，第二导电类型的所述第一掺杂含硅层和第一导电类型的所述第二掺杂含硅层分别是p型掺杂含硅层和n型掺杂含硅层，或者，第二导电类型的所述第一掺杂含硅层和第一导电类型的所述第二掺杂含硅层分别是n型掺杂含硅层和p型掺杂含硅层。6.根据权利要求4所述的太阳能电池单元的制备方法，还包括：在对所述硅基体的所述第一表面进行制绒处理之后，以及在在所述硅基体的第一表面的一侧上形成第一本征含硅层之前，对所述硅基体的所述第一表面进行圆滑处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：张俊兵，陈斌，尹海鹏，
申请(专利权)人：晶澳扬州太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：