光伏电池制备的方法技术

本发明专利技术提供一种光伏电池制备的方法，属于光伏电池技术领域，其可至少部分解决现有的光伏电池寄生吸收高、多晶硅层容易被烧穿、难以大规模生产的问题。本发明专利技术的光伏电池制备的方法包括：在基底的第一侧依次形成隧穿氧化物层、多晶硅层、临时氧化物层、临时多晶硅层；在电极区的临时多晶硅层上形成氧化助剂；进行氧化处理，使电极区的临时多晶硅层的表层和氧化助剂形成第一附加氧化物，使非电极区的临时多晶硅层的表层形成第二附加氧化物；除去第二附加氧化物并减薄第一附加氧化物；除去非电极区剩余的临时多晶硅层；除去剩余的第一附加氧化物和非电极区的临时氧化物层；除去电极区剩余的临时多晶硅层和非电极区的多晶硅层。的临时多晶硅层和非电极区的多晶硅层。的临时多晶硅层和非电极区的多晶硅层。

【技术实现步骤摘要】
光伏电池制备的方法


[0001]本专利技术属于光伏电池
，具体涉及一种光伏电池制备的方法。

技术介绍

[0002]隧穿氧化层钝化接触(TOPCon，Tunnel Oxide Passivating Contacts)光伏电池具有间接复合(SHR复合)少、接触电阻低、效率高等优点。
[0003]但TOPCon光伏电池的背光侧需要覆盖多晶硅层(Poly
‑
Si)，这会导致寄生吸收高，或导致多晶硅层容易被烧穿，或导致其难以大规模生产。

技术实现思路

[0004]本专利技术至少部分解决现有的光伏电池寄生吸收高、多晶硅层容易被烧穿、难以大规模生产的问题，提供一种光伏电池制备的方法。
[0005]第一方面，本专利技术实施例提供一种光伏电池制备的方法，其包括：
[0006]在基底的第一侧依次形成隧穿氧化物层、多晶硅层、临时氧化物层、临时多晶硅层；
[0007]在电极区的临时多晶硅层上形成氧化助剂；
[0008]进行氧化处理，使所述电极区的临时多晶硅层的表层和所述氧化助剂形成第一附本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光伏电池制备的方法，其特征在于，包括：在基底的第一侧依次形成隧穿氧化物层、多晶硅层、临时氧化物层、临时多晶硅层；在电极区的临时多晶硅层上形成氧化助剂；进行氧化处理，使所述电极区的临时多晶硅层的表层和所述氧化助剂形成第一附加氧化物，使非电极区的临时多晶硅层的表层形成第二附加氧化物；除去所述第二附加氧化物并减薄所述第一附加氧化物；除去所述非电极区剩余的临时多晶硅层；除去剩余的第一附加氧化物和所述非电极区的临时氧化物层；除去所述电极区剩余的临时多晶硅层和所述非电极区的多晶硅层。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述除去所述电极区剩余的临时多晶硅层和所述非电极区的多晶硅层之后，还包括：在所述基底的第一侧形成绝缘层；在所述电极区的绝缘层上形成电极浆料；进行烧结，使所述电极浆料固化形成穿过所述绝缘层而与所述多晶硅层接触的第一电极。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述除去所述电极区剩余的临时多晶硅层和所述非电极区的多晶硅层，与所述在所述基底的第一侧形成绝缘层之间，还包...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭致远，刘成法，汪宏迪，陈红，吴晓鹏，
申请(专利权)人：天合光能宿迁光电有限公司，
类型：发明
国别省市：