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本发明提供一种光伏电池制备的方法，属于光伏电池技术领域，其可至少部分解决现有的光伏电池寄生吸收高、多晶硅层容易被烧穿、难以大规模生产的问题。本发明的光伏电池制备的方法包括：在基底的第一侧依次形成隧穿氧化物层、多晶硅层、临时氧化物层、临时多晶...
该专利属于天合光能（宿迁）光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天合光能（宿迁）光电有限公司授权不得商用。

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