一种自适应软切换的高压泄放开关电路制造技术

本发明专利技术公开一种自适应软切换的高压泄放开关电路，涉及电子电路技术领域，包括：第一晶体管，源极与电压输入端VPP连接，漏极与电压输出端VOUT连接，栅极用于接收第一控制信号；第二晶体管，源极与VOUT连接，漏极与电压输入端VDD连接；第三晶体管，源极与VOUT连接，栅极用于接收参考电压VREF；第一电阻，设置在第三晶体管源极与VOUT之间；第四晶体管，漏极与VOUT连接，栅极用于接收第二控制信号；寄生电容，一端与VOUT连接，另一端接地；电流镜电路，与第三晶体管的漏极、第四晶体管的源极连接；放大器，与电流镜电路连接；电平转换电路，与放大器、第二晶体管的栅极、VOUT连接。本发明专利技术能够根据电荷泄放程度自动将高压输出通过开关切换至低压输出。压输出。压输出。

【技术实现步骤摘要】
一种自适应软切换的高压泄放开关电路


[0001]本专利技术涉及电子电路
，特别是涉及一种自适应软切换的高压泄放开关电路。

技术介绍

[0002]现有的电荷泄放电路一般采用高压栅(>10v)MOS管实现，该类器件一般在EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory，带电可擦可编程只读存储器)工艺及Flash工艺中存在，在设计高压开关及电荷泄放电路时对器件的选择具有局限性。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种自适应软切换的高压泄放开关电路，可采用低压栅单边非对称高压(>9v)管，实现根据电荷泄放程度自动将高压输出通过开关切换至低压输出。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：
[0005]一种自适应软切换的高压泄放开关电路，所述高压泄放开关电路包括：
[0006]第一晶体管，源极与电压输入端VPP连接，漏极与电压输出端VOUT连接，栅极用于接收第一控制信号；
[0007]第二晶体管，源极与所述VOUT连接，漏极与电压输入端VDD连接；
[0008]第三晶体管，源极与所述VOUT连接，栅极用于接收参考电压VREF；
[0009]第一电阻，设置在所述第三晶体管源极与VOUT之间；
[0010]第四晶体管，漏极与所述VOUT连接，栅极用于接收第二控制信号；
[0011]寄生电容，一端与所述VOUT连接，另一端接地；
[0012]电流镜电路，与所述第三晶体管的漏极、第四晶体管的源极连接；
[0013]放大器，与所述电流镜电路连接；
[0014]电平转换电路，与所述放大器、第二晶体管的栅极、VOUT连接；
[0015]当所述第一控制信号及第二控制信号由低电平切换为高电平时，所述第三晶体管对所述VOUT端的电压进行识别并转换为检测电流，所述电流镜电路根据所述检测电流产生放电电流，所述放电电流传输至所述放大器，使所述放大器输出降低，所述电平转换电路输出升高，所述第一晶体管及第二晶体管关闭；
[0016]当所述寄生电容存储的电荷进行泄放，使所述VOUT与VREF的电压差等于所述第三晶体管的栅极与源极之间的电压差时，所述放电电流减小，且当所述放电电流减小至低于所述放大器的阈值点时，所述放大器输出跳高，所述电平转换电路输出跳低，所述第二晶体管的驱动电压从0变化至大于所述VDD。
[0017]可选地，所述电流镜电路包括：
[0018]第五晶体管，漏极分别与所述第三晶体管的漏极、所述放大器连接，栅极分别与第五晶体管的漏极、所述放大器连接，源极接地；
[0019]第六晶体管，漏极与所述第四晶体管的源极连接，栅极分别与所述放大器、第五晶体管的栅极、第五晶体管的漏极连接，源极接地。
[0020]可选地，所述放大器包括：
[0021]第二电阻，一端与所述VDD连接，另一端与所述电平转换电路连接；
[0022]第七晶体管，漏极分别与所述第二电阻的另一端、电平转换电路连接，栅极与所述电流镜电路连接，源极接地。
[0023]可选地，所述电平转换电路包括：
[0024]第三电阻，一端与所述VOUT连接，另一端与所述第二晶体管的栅极连接。
[0025]第八晶体管，漏极分别与所述第三电阻的另一端、第二晶体管的栅极连接，栅极与所述放大器连接，源极接地。
[0026]可选地，所述第一晶体管、第二晶体管均为单边高压PMOS管，第三晶体管为低压PMOS管，第四晶体管为单边高压NMOS管。
[0027]可选地，所述第五晶体管为低压NMOS管，所述第六晶体管为NMOS管。
[0028]可选地，所述第七晶体管为NMOS管。
[0029]可选地，所述第八晶体管为单边高压NMOS管。
[0030]可选地，当所述VDD＝5v时，所述VPP＜VDD+5.5v。
[0031]根据本专利技术提供的具体实施例，本专利技术公开了以下技术效果：
[0032]本专利技术自适应软切换的高压泄放开关电路包括：第一晶体管，源极与电压输入端VPP连接，漏极与电压输出端VOUT连接，栅极用于接收第一控制信号；第二晶体管，源极与VOUT连接，漏极与电压输入端VDD连接；第三晶体管，源极与VOUT连接，栅极用于接收参考电压VREF；第一电阻，设置在第三晶体管源极与VOUT之间；第四晶体管，漏极与VOUT连接，栅极用于接收第二控制信号；寄生电容，一端与VOUT连接，另一端接地；电流镜电路，与第三晶体管的漏极、第四晶体管的源极连接；放大器，与电流镜电路连接；电平转换电路，与放大器、第二晶体管的栅极、VOUT连接。本专利技术能够采用低压栅单边非对称高压管，根据电荷泄放程度自动将高压输出通过开关切换至低压输出。
附图说明
[0033]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0034]图1为本专利技术自适应软切换的高压泄放开关电路的结构示意图；
[0035]图2为本专利技术一实施例中自适应软切换的效果示意图。
[0036]符号说明：
[0037]第一晶体管101、第二晶体管102、第三晶体管103、第四晶体管104、第一电阻105、寄生电容106、电流镜电路110、第五晶体管111、第六晶体管112、放大器120、第二电阻121、第七晶体管122、电平转换电路130、第三电阻131、第八晶体管132。
具体实施方式
[0038]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0039]本专利技术的目的是提供一种自适应软切换的高压泄放开关电路，可采用低压栅单边非对称高压管，实现根据电荷泄放程度自动将高压输出通过开关切换至低压输出。
[0040]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。
[0041]具体地，如图1所示，本专利技术自适应软切换的高压泄放开关电路包括：第一晶体管101、第二晶体管102、第三晶体管103、第四晶体管104、第一电阻105、寄生电容106、电流镜电路110、放大器120、电平转换电路130。
[0042]所述第一晶体管101的源极与电压输入端VPP连接，漏极与电压输出端VOUT连接，栅极用于接收第一控制信号。
[0043]所述第二晶体管102的源极与所述VOUT连接，漏极与电压输入端VDD连接。
[0044本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种自适应软切换的高压泄放开关电路，其特征在于，所述高压泄放开关电路包括：第一晶体管，源极与电压输入端VPP连接，漏极与电压输出端VOUT连接，栅极用于接收第一控制信号；第二晶体管，源极与所述VOUT连接，漏极与电压输入端VDD连接；第三晶体管，源极与所述VOUT连接，栅极用于接收参考电压VREF；第一电阻，设置在所述第三晶体管源极与VOUT之间；第四晶体管，漏极与所述VOUT连接，栅极用于接收第二控制信号；寄生电容，一端与所述VOUT连接，另一端接地；电流镜电路，与所述第三晶体管的漏极、第四晶体管的源极连接；放大器，与所述电流镜电路连接；电平转换电路，与所述放大器、第二晶体管的栅极、VOUT连接；当所述第一控制信号及第二控制信号由低电平切换为高电平时，所述第三晶体管对所述VOUT端的电压进行识别并转换为检测电流，所述电流镜电路根据所述检测电流产生放电电流，所述放电电流传输至所述放大器，使所述放大器输出降低，所述电平转换电路输出升高，所述第一晶体管及第二晶体管关闭；当所述寄生电容存储的电荷进行泄放，使所述VOUT与VREF的电压差等于所述第三晶体管的栅极与源极之间的电压差时，所述放电电流减小，且当所述放电电流减小至低于所述放大器的阈值点时，所述放大器输出跳高，所述电平转换电路输出跳低，所述第二晶体管的驱动电压从0变化至大于所述VDD。2.根据权利要求1所述的自适应软切换的高压泄放开关电路，其特征在于，所述电流镜电路包括：第五晶体管，漏极分别与所述第三晶体管的漏极、所述放大器连接，栅极分别与...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘明，李曙光，
申请(专利权)人：上海琻捷电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：