基于T型电感的小型化低TX损耗的5G/6G非对称开关制造技术

本发明专利技术公开基于T型电感的小型化低TX损耗的5G/6G非对称开关，属于基本电子电路的技术领域。该非对称开关包括：第一射频端口、第一开关臂、第二开关臂、第二射频端口、第三射频端口，第一开关臂在其包含的开关管关断时存在并联谐振，多个T型双模谐振电路组成的第二开关臂与接在两个开关臂输入端的耦合电容并联谐振，通过设计第一开关臂的耦合电感不大于第二开关臂的耦合电感，实现发射通道大耦合系数，即实现低TX损耗的同时实现宽带化，利用T型电感耦合谐振电路的拓扑，在相同尺寸下实现更高的RX隔离度和更宽的带宽。的RX隔离度和更宽的带宽。的RX隔离度和更宽的带宽。

【技术实现步骤摘要】
基于T型电感的小型化低TX损耗的5G/6G非对称开关


[0001]本专利技术涉及射频电路设计技术及集成电路设计技术，尤其涉及半导体射频单刀双掷开关的电路设计，具体公开基于T型电感的小型化低TX损耗的5G/6G非对称开关，属于基本电子电路的


技术介绍

[0002]射频单刀双掷开关是一种控制电路，广泛应用于通信、雷达、探测等领域。一般为三端口电路，一端连接天线、一端连接发射链路、另一端连接接收链路。非对称式单刀双掷开关，因其开关臂不同，可以设计成不同功能，能够很好地应对5G和即将到来的6G通信收发的不同需求。然而，5G/6G通信系统要求5G/6G射频前端发射链路的开关低损耗，5G/6G射频前端接收链路的开关高隔离，同时要求发射链路和接收链路均实现超宽带和小型化。
[0003]现有非对称单刀双掷开关为了实现低损耗和高线性度，TX支路为一个NMOS晶体管和两个片上电感组成的单串联结构，RX支路为三个NMOS晶体管和一个片上电感组成的串联
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并联结构，在TX路径串联NMOS晶体管与电感串联谐振以减小插损，但是减小插损的效果有限，且两条开关臂彼此独立设计，元器件的复用程度不高。
[0004]现有非对称单刀双掷开关为了降低发射支路损耗并提升发射支路线性度，TX支路为两个NMOS晶体管和两个片上电阻组成Cascode并联结构，RX支路为由一个NMOS晶体管和一个片上电阻组成的单晶体管并联结构。该开关的TX支路以Cascode并联晶体管作为基本设计单元，而RX支路以单并联晶体管作为基本设计单元。TX支路的Cascode并联单元设计方案能够提升TX支路的线性度、降低插入损耗，但是RX路径并联晶体管的设计对带宽的延展十分有限，且开关电路的整体尺寸大。
[0005]为了解决1dB压缩点处功率受限的问题，现有非对称单刀双掷开关包括：天线端口ANT、发射支路Tx和接收支路Rx，天线端口ANT分别连接至接收支路Rx的四分之一波长微带传输线TL和发射支路Tx的无源环结构，无源环结构由四个四分之一波长微带传输线TL首尾相连组成的环形结构。由于该非对称单刀双掷开关大量使用四分之一波长微带传输线的结构，开关的隔离效果比较好，但同时增大了开关的尺寸，同样断开的开关臂没得到很好地复用。
[0006]综上所述，两个不同的单刀单掷开关简单组合而成的非对称单刀双掷开关不能满足5G通信收发的不同需求，在以下方面有待提高：（1）非对称的两个开关臂由于基本工作原理不一样，导致两个开关臂之间相互干扰严重，在优化一个开关臂性能的同时很难保证另一个开关臂的性能，很难同时兼顾TX开关低损耗和RX开关的高隔离；（2）串联晶体管实现低损耗的效果不好，严重影响5G射频前端TX端发射效率；（3）谐振单元模式单一，导致实现宽带化的同时以增大开关尺寸为代价。

技术实现思路

[0007]本专利技术的专利技术目的是针对上述
技术介绍
的不足，重点针对非对称单刀双掷开关不
同开关臂相互干扰导致的性能互斥问题，提供基于T型电感的小型化低TX损耗的5G/6G非对称开关，在器件小型化的前提下实现非对称开关发射通道低损损耗和带宽化的同时实现接收通道高隔离度和带宽化的专利技术目的。
[0008]本专利技术为实现上述专利技术目的采用如下技术方案：基于T型电感的小型化低TX损耗的5G/6G非对称开关，包括：第一射频端口、第一开关臂、第二开关臂、第二射频端口、第三射频端口。第一射频端口与输入匹配电路的一端连接，输入匹配电路的另一端与加载电容的一极连接，加载电容的另一极接地；第一开关臂，包括：第一耦合电感、第一晶体管、第一谐振电感、第二谐振电感、第一输出匹配电路，第一耦合电感的一端作为第一开关臂的输入端与加载电容和输入匹配电路的连接点相连，第一谐振电感、第二谐振电感串联连接，第二谐振电感的自由端接地，第一耦合电感的另一端与第一谐振电感自由端以及第一晶体管的漏极电连接，第一晶体管的源极接地，第一晶体管的栅极与第一直流端口相连，第一输出匹配电路的一端与第一晶体管的漏极或第一谐振电感和第二谐振电感的连接点相连，第一输出匹配电路的另一端为第一开关臂的输出端；第二开关臂，包括：第二耦合电感、N个T型双模谐振单元、第1至第N
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1级间匹配电路、第二输出匹配电路，第二耦合电感的一端作为第二开关臂的输入端与加载电容和输入匹配电路的连接点相连，第1个T型双模谐振单元的输入端与第二耦合电感的另一端连接，第i级间匹配电路的一端与第i个T型双模谐振单元的输出端连接，第i级间匹配电路的另一端与第i+1个T型双模谐振单元的输入端连接，第N个T型双模谐振单元的输出端与第二输出匹配电路的一端连接，第二输出匹配电路的另一端为第二开关臂的输出端，每个T型双模谐振单元接入的控制信号相同，且T型双模谐振单元接入的控制信号与第一直流端口接入的控制信号相反，所述第二耦合电感的电感值大于或等于第一耦合电感的电感值，1≤i≤N，N为大于或等于2的整数；第二射频端口与第一开关臂的输出端连接；第三射频端口与第二开关臂的输出端连接。
[0009]作为基于T型电感的小型化低TX损耗的5G/6G非对称开关的进一步优化方案，各个T型双模谐振单元的电路结构相同，第i个T型双模谐振单元包括：第1晶体管、第2晶体管、第1子电感、第2子电感、第3子电感，第2子电感和第1子电感串联连接，第3子电感的一端与第1子电感和第2子电感的连接点相连，第3子电感的另一端接地，第1晶体管的漏极与第1子电感的自由端电连接作为第i个T型双模谐振单元的输入端，第1晶体管的源极接地，第1晶体管的栅极连接第1直流端口，第2晶体管的漏极与第2子电感的自由端电连接作为第i个T型双模谐振单元的输出端，第2晶体管的源极接地，第2晶体管的栅极连接第2直流端口，所有T型双模谐振单元连接的直流端口均接入高电平或低电平。
[0010]作为基于T型电感的小型化低TX损耗的5G/6G非对称开关的再进一步优化方案，直流端口经栅极电阻接入直流偏置电压。
[0011]作为基于T型电感的小型化低TX损耗的5G/6G非对称开关的再进一步优化方案，输入匹配电路、第一输出匹配电路、第二输出匹配电路、第1至第N
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1级间匹配电路为纯电感、纯电容或电容和电感组成的匹配电路。
[0012]作为基于T型电感的小型化低TX损耗的5G/6G非对称开关的更进一步优化方案，第一耦合电感、第二耦合电感、第一谐振电感、第二谐振电感、输入匹配电路中的电感、第一输出匹配电路中的电感、第二输出匹配电路中的电感、第1至第N
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1级间匹配电路中的电感为
微带线电感或带状线电感或螺线电感。
[0013]作为基于T型电感的小型化低TX损耗的5G/6G非对称开关的进一步优化方案，晶体管为场效应晶体管或高电子迁移率晶体管或mHEMT或pHEMT晶体管。
[0014]作为基于T型电感的小型化低TX损耗的5G/6G非对称开关的再进一步优化方案，加载电容、输入匹配电路中的电容、第一输出匹配电路中的电容、第二输出匹配电路中的电容、第1至第N...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.基于T型电感的小型化低TX损耗的5G/6G非对称开关，其特征在于，包括：第一射频端口，与输入匹配电路的一端连接，输入匹配电路的另一端与加载电容的一极连接，加载电容的另一极接地；第一开关臂，包括第一耦合电感、第一晶体管、第一谐振电感、第二谐振电感、第一输出匹配电路，第一耦合电感的一端作为第一开关臂的输入端与加载电容和输入匹配电路的连接点相连，第一谐振电感、第二谐振电感串联连接，第二谐振电感的自由端接地，第一耦合电感的另一端与第一谐振电感自由端以及第一晶体管的漏极电连接，第一晶体管的源极接地，第一晶体管的栅极与第一直流端口相连，第一输出匹配电路的一端与第一晶体管的漏极或第一谐振电感和第二谐振电感的连接点相连，第一输出匹配电路的另一端为第一开关臂的输出端；第二开关臂，包括第二耦合电感、N个T型双模谐振单元、第1至第N
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1级间匹配电路、第二输出匹配电路，第二耦合电感的一端作为第二开关臂的输入端与加载电容和输入匹配电路的连接点相连，第1个T型双模谐振单元的输入端与第二耦合电感的另一端连接，第i级间匹配电路的一端与第i个T型双模谐振单元的输出端连接，第i级间匹配电路的另一端与第i+1个T型双模谐振单元的输入端连接，第N个T型双模谐振单元的输出端与第二输出匹配电路的一端连接，第二输出匹配电路的另一端为第二开关臂的输出端，每个T型双模谐振单元接入的控制信号相同，且T型双模谐振单元接入的控制信号与第一直流端口接入的控制信号相反，所述第二耦合电感的电感值大于或等于第一耦合电感的电感值，1≤i≤N，N为大于或等于2的整数；第二射频端口，与第一开关臂的输出端连接；及，第三射频端口，与第二开关臂的输出端连接。2.根据权利要求1所述基于T型电感的小型化低TX损耗的5G/6G非对称开关，其特征在于，各个T型双模谐振单元的电路结构相同，第i个T型双模谐振单元包括：第1晶体管、第2晶体管、第1子电感、第2子电感、第3子电感，第2子电感和第1子电感串联连接，第3子电感的一端与第1子电感和第2子电感的连接点相连，第3子电感的另一端接地，第1晶体管的漏极与第1子电感的自由端电连接作为第i个T型双模谐振单元的输入端，第1晶体管的源极...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈光煦，马海涛，温毕敬，韩叶，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：