一种基于低压复位实现短期记忆的控制方法及控制电路技术

本发明专利技术涉及单片机技术领域，具体公开了一种基于低压复位实现短期记忆的控制方法，包括：在单片机上电后，获取其内部三个寄存器各自存储的当前模式值，并判断当前模式值是否一致；若不一致或者都为0，控制单片机进入睡眠模式；若都为1，控制单片机进入工作模式；在单片机进入工作模式后的一时间段内，判断单片机的上电次数是否超过标准值；若超过标准值，控制单片机进入睡眠模式；若未超过标准值，则再次获取三个寄存器各自存储的当前模式值；根据再次获取到的当前模式值，控制单片机进入睡眠模式或正常跑模式。本发明专利技术还公开了一种基于低压复位实现短期记忆的控制电路。本发明专利技术能够实现简单记忆功能，并根据短期上电次数，判断芯片欠压。欠压。欠压。

【技术实现步骤摘要】
一种基于低压复位实现短期记忆的控制方法及控制电路


[0001]本专利技术涉及单片机
，更具体地，涉及一种基于低压复位实现短期记忆的控制方法及一种基于低压复位实现短期记忆的控制电路。

技术介绍

[0002]目前消费端电子产品需要做到掉电记忆功能，常规做法就是搭配记忆芯片如24C02
‑
EEPROM存储器芯片、或者芯片内部自带EEPROM功能模块。
[0003]使用带ad采集功能的芯片与记忆芯片结合实现防摔，低压复位等，价格太高，适用于长时间掉电记忆；使用掉电保护电路，短时间记忆，需要较大的电容。

技术实现思路

[0004]为了解决现有技术中存在的不足，本专利技术提供了一种基于低压复位实现短期记忆的控制方法及控制电路，在很多场景上都能用到，适配在特定要求下的记忆需求，无需额外增加器件，就可实现简单记忆功能，并根据短期上电次数，判断芯片欠压。
[0005]作为本专利技术的第一个方面，提供一种基于低压复位实现短期记忆的控制方法，用于实现单片机的低压复位功能，所述基于低压复位实现短期记忆的控制方法包括：步骤S1：在单片机上电后，获取单片机内部三个寄存器各自存储的当前模式值；步骤S2：判断所述三个寄存器存储的当前模式值是否一致；步骤S3：若所述三个寄存器存储的当前模式值不一致或者都为0时，控制所述单片机进入睡眠模式；若所述三个寄存器存储的当前模式值都为1时，控制所述单片机进入工作模式；步骤S4：在所述单片机进入工作模式后的一特定时间段内，判断所述单片机的上电次数是否超过预设标准值；步骤S5：若所述单片机的上电次数超过所述预设标准值，控制所述单片机进入所述睡眠模式；若所述单片机的上电次数未超过所述预设标准值，则再次获取所述三个寄存器各自存储的当前模式值；步骤S6：根据再次获取到的所述三个寄存器各自存储的当前模式值，控制所述单片机进入所述睡眠模式或者正常跑模式。
[0006]进一步地，所述根据再次获取到的所述三个寄存器各自存储的当前模式值，控制所述单片机进入所述睡眠模式或者正常跑模式，还包括：若所述再次获取到的三个寄存器存储的当前模式值不一致或者都为0时，控制所述单片机进入所述睡眠模式；若所述再次获取到的三个寄存器存储的当前模式值都为1时，控制所述单片机进入所述正常跑模式。
[0007]进一步地，所述若所述再次获取到的三个寄存器存储的当前模式值都为1时，控制所述单片机进入所述正常跑模式，还包括：
在所述单片机进入所述正常跑模式后，所述单片机输出较大功率，使所述单片机的VDD电压降低，导致所述单片机低压复位；在所述单片机复位后，所述单片机停止输出较大功率，所述单片机的VDD电压回升，所述单片机正常工作，再次输出较大功率，使所述单片机的VDD电压再次降低，导致所述单片机再次低压复位，如此循环往复地实现所述单片机的低压复位功能。
[0008]进一步地，所述若所述再次获取到的三个寄存器存储的当前模式值都为1时，控制所述单片机进入所述正常跑模式，还包括：当所述单片机进入所述正常跑模式一段时间后，清除所述单片机的上电次数。
[0009]进一步地，所述根据再次获取到的所述三个寄存器各自存储的当前模式值，控制所述单片机进入所述睡眠模式或者正常跑模式，还包括：在所述单片机进入所述睡眠模式或者正常跑模式后，能够通过按键触发来切换所述单片机的当前运行模式。
[0010]作为本专利技术的另一个方面，提供一种基于低压复位实现短期记忆的控制电路，用于实现前文所述的基于低压复位实现短期记忆的控制方法，所述基于低压复位实现短期记忆的控制电路包括按键KEY1、单片机U2、第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、电阻R1、电感L1、二极管D1以及高功率LED灯H1，所述单片机U2的第四引脚连接所述按键KEY1，所述单片机U2的第一引脚和第八引脚分别连接在所述第三电容C3的两端，所述单片机U2的第六引脚分别连接所述第一MOS管Q1的栅极和电阻R1的一端，所述第一MOS管Q1的漏极分别连接电感L1的一端和二极管D1的正极，所述电感L1的另一端和第一电容C1的一端均接供电端VCC，所述二极管D1的负极分别连接所述高功率LED灯H1的一极和第二电容C2的一端，所述第一MOS管Q1的源极、电阻R1的另一端、第一电容C1的另一端和第二电容C2的另一端均接地；所述单片机U2的第五引脚连接所述第二MOS管Q2的栅极，所述第二MOS管Q2的漏极连接所述高功率LED灯H1的另一极，所述第二MOS管Q2的源极接地；其中，当所述按键KEY1被按下后，所述单片机U2的第六引脚输出第一控制信号OUT1以控制第一MOS管Q1导通，所述单片机U2的第五引脚输出第二控制信号OUT2以控制第二MOS管Q2导通，所述高功率LED灯H1亮，此时，所述单片机U2上电，在所述单片机U2上电后，开始执行基于低压复位实现短期记忆的控制过程。
[0011]进一步地，所述第一电容C1为升压前的稳压滤波电容。
[0012]进一步地，所述第二电容C2为升压后的稳压电容。
[0013]进一步地，所述第三电容C3为单片机供电部分的滤波电容。
[0014]进一步地，所述电感L1为升压电感。
[0015]本专利技术提供的基于低压复位实现短期记忆的控制方法具有以下优点：在很多场景上都能用到，例如，手持照明设备、手持风扇等，适配在特定要求下的记忆需求，无需额外增加器件。就可实现简单记忆功能，并根据短期上电次数，判断单片机芯片欠压。
附图说明
[0016]附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。
[0017]图1为本专利技术实施例的基于低压复位实现短期记忆的控制方法的流程图。
[0018]图2为本专利技术实施例的基于低压复位实现短期记忆的控制方法的具体实施方式流程图。
[0019]图3为本专利技术实施例的基于低压复位实现短期记忆的控制电路的结构图。
具体实施方式
[0020]为更进一步阐述本专利技术为达成预定专利技术目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例，对依据本专利技术提出的基于低压复位实现短期记忆的控制方法其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。显然，所描述的实施例为本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术的保护范围。
[0021]需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包括，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于低压复位实现短期记忆的控制方法，用于实现单片机的低压复位功能，其特征在于，所述基于低压复位实现短期记忆的控制方法包括：步骤S1：在单片机上电后，获取单片机内部三个寄存器各自存储的当前模式值；步骤S2：判断所述三个寄存器存储的当前模式值是否一致；步骤S3：若所述三个寄存器存储的当前模式值不一致或者都为0时，控制所述单片机进入睡眠模式；若所述三个寄存器存储的当前模式值都为1时，控制所述单片机进入工作模式；步骤S4：在所述单片机进入工作模式后的一特定时间段内，判断所述单片机的上电次数是否超过预设标准值；步骤S5：若所述单片机的上电次数超过所述预设标准值，控制所述单片机进入所述睡眠模式；若所述单片机的上电次数未超过所述预设标准值，则再次获取所述三个寄存器各自存储的当前模式值；步骤S6：根据再次获取到的所述三个寄存器各自存储的当前模式值，控制所述单片机进入所述睡眠模式或者正常跑模式。2.根据权利要求1所述的一种基于低压复位实现短期记忆的控制方法，其特征在于，所述根据再次获取到的所述三个寄存器各自存储的当前模式值，控制所述单片机进入所述睡眠模式或者正常跑模式，还包括：若所述再次获取到的三个寄存器存储的当前模式值不一致或者都为0时，控制所述单片机进入所述睡眠模式；若所述再次获取到的三个寄存器存储的当前模式值都为1时，控制所述单片机进入所述正常跑模式。3.根据权利要求2所述的一种基于低压复位实现短期记忆的控制方法，其特征在于，所述若所述再次获取到的三个寄存器存储的当前模式值都为1时，控制所述单片机进入所述正常跑模式，还包括：在所述单片机进入所述正常跑模式后，所述单片机输出较大功率，使所述单片机的VDD电压降低，导致所述单片机低压复位；在所述单片机复位后，所述单片机停止输出较大功率，所述单片机的VDD电压回升，所述单片机正常工作，再次输出较大功率，使所述单片机的VDD电压再次降低，导致所述单片机再次低压复位，如此循环往复地实现所述单片机的低压复位功能。4.根据权利要求2所述的一种基于低压复位实现短期记忆的控制方法，其特征在于，所述若所述再次获取到的三个寄存器存储的当前模式值都为1时，控制所述单片机进入所述正常跑模式，还包括：当所述单片机进入所述正常跑模式一段时间后，清除所述单片机的上电次数。5.根据权利要求1所述的一种基于低压复位实现短期记忆的控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：方根贤，
申请(专利权)人：浙江锋华创芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：