一种硼扩工艺及光伏电池制造技术

本发明专利技术提供一种硼扩工艺及光伏电池，所述硼扩工艺包括以下步骤：将硅基材放入炉管中，对炉管进行抽真空，使炉管内压力达到预设值后恒定不变；将炉管内的温度升至第一温度，通入硼源气体、载气和氧气，进行一步沉积；其中，硼源气体的体积流量的范围为200sccm至300sccm，硼源气体和氧气的流量比为1:(2至4.5)；将炉管内的温度升至第二温度，通入氮气进行吹扫；将炉管内的温度升至第三温度，调整炉管内的压力，通入氧气进行氧化；降低炉管内的温度和压力，取出硅基材。该工艺可使得硼扩炉口的方阻分布均匀，且无高方阻现象的发生。此外，该工艺采用恒压的方式进行沉积和推进，可以有效减少工艺流程，使炉管内气场保持一致。使炉管内气场保持一致。使炉管内气场保持一致。

【技术实现步骤摘要】
一种硼扩工艺及光伏电池


[0001]本专利技术属于一种光伏
，具体涉及一种硼扩工艺及光伏电池。

技术介绍

[0002]为了进一步提升光伏电池的效率，新的技术路线陆续被提出，其中Topcon、IBC及其相应衍生技术路线，均会采用到硼扩设备，为了能降低新型技术投资成本，更大的产能需求以及大硅片适配性被提出，炉管管径及长度均需要进一步增加。随之带来的问题就是硼扩片内、片间方阻均匀性恶化的问题，因为在大管径及大长度的炉管情况下，炉管各区域的沉积步的气源氛围很难保持一致。尤其是炉口位置，容易出现高方阻的情况。
[0003]因此，提出一种硼扩工艺，以解决硼扩炉口高方阻的问题，是当前亟需研究的难点。

技术实现思路

[0004]针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种硼扩工艺及光伏电池。本专利技术提供了一种硼扩工艺，该工艺可以使得硼扩炉口的方阻分布均匀，且无高方阻现象的发生。该工艺采用恒压的方式进行沉积和推进，可以有效减少回压步骤的次数，使炉管内气场保持一致。
[0005]为达到此专利技术目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0006]第一方面，本专利技术提供一种硼扩工艺，所述硼扩工艺包括以下步骤：
[0007]将硅基材放入炉管中，对炉管进行抽真空，使炉管内压力达到预设值后恒定不变；
[0008]将炉管内的温度升至第一温度，通入硼源气体、载气和氧气，进行一步沉积；
[0009]其中，硼源气体的体积流量的范围为200sccm至300sccm，硼源气体和氧气的流量比为1:(2至4.5)；
[0010]将炉管内的温度升至第二温度，通入氮气进行吹扫；
[0011]将炉管内的温度升至第三温度，调整炉管内的压力，通入氧气进行氧化；
[0012]降低炉管内的温度和压力，取出硅基材。
[0013]本专利技术提供了一种硼扩工艺，该工艺通过优化硼源气体的加入量以及硼源与氧气的比例，同时采用恒压沉积推进得出方式，可以使得硼扩炉口的方阻分布均匀，且无高方阻现象的发生。此外，该工艺采用恒压的方式进行沉积和推进，可以有效减少工艺流程，使炉管内气场保持一致。因此，该硼扩工艺具有良好的应用前景。
[0014]本专利技术在整个硼扩工艺中，于恒压条件下仅需采用一步沉积，这样可以减少吹扫过程，缩短工艺时间，获得方阻分布均匀的硅基材。
[0015]需要说明的是，一步沉积指的是硼扩散的过程仅需进行一次即可，无需像变压过程时需要两次以上的循环。
[0016]本专利技术中，进行一步沉积的目的是减少不同压力下多次沉积产生的硬件密封波动以及炉内气场的变化；通入氮气进行吹扫的目的是将沉积完后多余气体排除炉管内，避免
发生持续反应，影响工艺效果；进行氧化的目的是降低表面掺杂浓度并提升PN结深度。
[0017]本专利技术中，硼源气体的体积流量为200sccm至300sccm，包括端点值，例如可以是200sccm、210sccm、220sccm、230sccm、240sccm、250sccm、260sccm、270sccm、280sccm、290sccm或300sccm等。
[0018]本专利技术中，若硼源气体的体积流量过小，则方阻的均匀性会受到影响，均匀性下降，且存在高方阻现象；若硼源气体的体积流量过大，则会增加成本，且会造成泵速过高，副产物多，维护次数增加。
[0019]本专利技术中，硼源气体和氧气的流量比为1:(2至4.5)，包括端点值，例如可以是1:2、1:3、1:3.2、1:3.4、1:3.6、1:3.8、1:4或1:4.5等。
[0020]本专利技术中，若硼源气体和氧气的流量比过小，则氧气与硼源的反应不充分，导致硼扩难以进行；若硼源气体和氧气的流量比过大，则反应过快，会导致硼源和氧气的反应产物在进气口位置堆积，使得方阻分布不均匀，出现高方阻现象。
[0021]作为本专利技术一种优选的技术方案，所述硅基材包括硅片。
[0022]优选地，所述预设值为100mbar至150mbar，例如可以是100mbar、105mbar、110mbar、115mbar、120mbar、125mbar、130mbar、135mbar、140mbar、145mbar或150mbar等。
[0023]作为本专利技术一种优选的技术方案，所述硼源气体包括三氯化硼。
[0024]优选地，所述载气包括氮气。
[0025]优选地，所述载气的体积流量为2500sccm至3000sccm，例如可以是2500sccm、2550sccm、2600sccm、2650sccm、2700sccm、2750sccm、2800sccm、2850sccm、2900sccm、2950sccm或3000sccm等。
[0026]优选地，所述氧气的体积流量的范围为600sccm至900sccm，例如可以是600sccm、650sccm、700sccm、750sccm、850sccm、900sccm或950sccm等。
[0027]作为本专利技术一种优选的技术方案，所述第一温度为820℃至870℃，例如可以是820℃、825℃、830℃、835℃、840℃、845℃、850℃、855℃、860℃、865℃或870℃等。
[0028]优选地，所述一步沉积的时间为820℃至870℃，例如可以是5min、6min、7min、8min、9min、10min、11min、12min、13min、14min或15min等。
[0029]作为本专利技术一种优选的技术方案，所述第二温度为900℃至1050℃，例如可以是900℃、920℃、940℃、960℃、980℃、1000℃、1010℃、1020℃、1030℃、1040℃或1050℃等，优选为970℃至1020℃。
[0030]本专利技术中，第二温度在970℃至1020℃的范围内，可以更好的控制方阻的变化，保证硼元素向硅基材内部扩散，硼扩充分。
[0031]优选地，所述吹扫时，通入氮气的体积流量的范围为2500sccm至3000sccm，例如可以是2500sccm、2550sccm、2600sccm、2650sccm、2700sccm、2750sccm、2800sccm、2850sccm、2900sccm、2950sccm或3000sccm等，所述吹扫的时间为3
‑
10min，例如可以是3min、4min、5min、6min、7min、8min、9min或10min等。
[0032]作为本专利技术一种优选的技术方案，所述第三温度为1000℃至1100℃，例如可以是1000℃、1010℃、1020℃、1030℃、1040℃、1050℃、1060℃、1070℃、1080℃、1090℃或1100℃等。
[0033]优选地，所述调整压力后，炉管中的压力为600mbar至1000mbar，例如可以是
600mbar、700mbar、800mbar、900mbar或1000mbar等。
[0034]优选地，所述氧气本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硼扩工艺，其特征在于，所述硼扩工艺包括以下步骤：将硅基材放入炉管中，对炉管进行抽真空，使炉管内压力达到预设值后恒定不变；将炉管内的温度升至第一温度，通入硼源气体、载气和氧气，进行一步沉积；其中，硼源气体的体积流量的范围为200sccm至300sccm，硼源气体和氧气的流量比为1:(2至4.5)；将炉管内的温度升至第二温度，通入氮气进行吹扫；将炉管内的温度升至第三温度，调整炉管内的压力，通入氧气进行氧化；降低炉管内的温度和压力，取出硅基材。2.根据权利要求1所述的硼扩工艺，其特征在于，所述硅基材包括硅片；所述预设值的范围为100mbar至150mbar。3.根据权利要求1所述的硼扩工艺，其特征在于，所述硼源气体包括三氯化硼；所述载气包括氮气；所述载气的体积流量的范围为2500sccm至3000sccm；所述氧气的体积流量的范围为600sccm至900sccm。4.根据权利要求1所述的硼扩工艺，其特征在于，所述第一温度为820℃至870℃；所述一步沉积的时间为5min
‑
至15min。5.根据权利要求1所述的硼扩工艺，其特征在于，所述第二温度为900℃至1050℃；所述吹扫时，通入氮气的体积流量的范围为2500sccm至3000sccm，所述吹扫的时间为3min至10min。6.根据权利要求1所述的硼扩工艺，其特征在于，所述第三温度为1000℃至1100℃；所述调整炉管内的压力后，炉管中的压力为600mbar至1000mbar；所述氧气的体积流量为5000sccm至20000sccm；所述氧化的时间为40min至8...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛文龙，范伟，祁文杰，程峰，梁笑，林佳继，
申请(专利权)人：拉普拉斯新能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：