本实用新型专利技术公开了一种半导体激光高速雕刻装置，其包括基座、激光发射器、光束调整单元和传输单元，所述光束调整单元包括滑动座、安装在所述滑动座上的反光镜和聚焦镜，所述反光镜用于将激光光束反射到雕刻面上，所述聚焦镜位于所述反光镜和所述雕刻面之间，所述聚焦镜将反光镜反射的激光光束聚焦到雕刻面上；所述传输单元包括闭合传输带、驱动所述闭合传输带往返运动的电机，还包括固定在所述基座上的滑轨，所述滑动座装配在所述滑轨上且所述滑动座的一面与所述闭合传输带接触。本实用新型专利技术由于激光发射器是固定的、不用移动，因此不影响激光光束的移动速度，不影响雕刻效率。不影响雕刻效率。不影响雕刻效率。
【技术实现步骤摘要】
一种半导体激光高速雕刻装置
[0001]本技术涉激光雕刻
，具体涉及一种半导体激光高速雕刻装置。
技术介绍
[0002]在使用半导体激光进行雕刻时候(以下简称：激光)，激光会在物体表面来回扫描，通过直线移动雕刻形成图案。为实现激光对物体左右方向(称为X轴)的雕刻，常直接将激光发射器安装在由电机带动的滑块上实现激光往复运动。当需要提高雕刻效率的时候，必须提高激光发射器功率，这样随着激光发射器的功率增大，其重量及体积也增大，在电机功率不变的情况，往复运动速度与之成反比。如此一来只能使用更大功率电机来解决速度上不足，对企业的生产成本带来较大的影响。如果能够在不增大电机功率的情况下，使得激光雕刻的速度更高更快，就可以降低高速雕刻的成本。
技术实现思路
[0003]本技术的目的在于克服上述现有技术中激光雕刻装置要提高雕刻效率时需要增大电机功率导致企业成本增大的缺陷，提供一种半导体激光高速雕刻装置，该半导体激光高速雕刻装置在不采用大功率电机的情况下可以高速地进行激光雕刻，雕刻效率高。
[0004]为实现上述目的，本技术采用如下技术方案：
[0005]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0006]一种半导体激光高速雕刻装置，其包括：
[0007]基座：用于提供支撑；
[0008]激光发射器：用于发射激光光束；
[0009]光束调整单元：包括滑动座、安装在所述滑动座上的反光镜和聚焦镜，所述反光镜用于将激光光束反射到雕刻面上，所述聚焦镜位于所述反光镜和所述雕刻面之间，所述聚焦镜将反光镜反射的激光光束聚焦到雕刻面上；
[0010]传输单元：包括闭合传输带、驱动所述闭合传输带往返运动的电机，还包括固定在所述基座上的滑轨，所述滑动座装配在所述滑轨上且所述滑动座的一面与所述闭合传输带接触。
[0011]进一步的，所述基座呈U字形，所述基座的底部设有条形开口，所述滑动座的底部伸出所述条形开口下方。
[0012]进一步的，所述基座的顶部设有盖板，所述盖板为滤光板。
[0013]进一步的，所述激光发射器的出光口朝向所述反光镜。
[0014]进一步的，本技术的半导体激光高速雕刻装置还包括安装在所述激光发射器上的散热风扇。
[0015]进一步的，所述反光镜将所述激光光束垂直反射至所述雕刻面上。
[0016]进一步的，所述滑动座包括固定连接的滑块和座体，所述滑块与所述滑轨滑动连接，所述座体设有反光镜架和聚焦镜架。
[0017]进一步的，所述反光镜架呈45
°
～60
°
倾斜设置，所述聚焦镜架位于所述反光镜架的垂直下方。
[0018]进一步的，所述光束调整单元还包括光筒，所述座体上位于所述聚焦镜架下方设有插孔，所述光筒插入所述插孔中。
[0019]进一步的，所述反光镜架和所述聚焦镜架均置于所述基座内部，所述光筒伸出所述基座外部。
[0020]与现有技术相比，本技术的有益效果是：
[0021]本技术的半导体激光高速雕刻装置采用光束调整单元来调整、改变激光光束的方向，并采用传输单元来带动光束调整单元来回运动，从而在雕刻面上雕刻图案，相比现有技术中通过移动激光发射器来进行雕刻，本技术是移动光束调整单元来进行雕刻，光束调整单元的重量固定，相比激光发射器的重量更轻、更容易移动，即使采用大功率的激光发射器，由于激光发射器是固定的、不用移动，因此不影响激光光束的移动速度，不影响雕刻效率。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1是本技术实施例公开的一种半导体激光高速雕刻装置的结构示意图；
[0024]图2是本技术实施例公开的一种半导体激光高速雕刻装置的结构结构爆炸示意图；
[0025]图3是本技术实施例公开的一种半导体激光高速雕刻装置的内部结构图；
[0026]其中：
[0027]10、基座；11、盖板；20、激光发射器；21、散热风扇；30、电机；31、闭合传输带；32、滑轨；41、反光镜、42、聚焦镜；43、光筒；441、滑块；442、座体；442a、反光镜架；442b、聚焦镜架；50、加工件；51、雕刻面。
具体实施方式
[0028]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0029]需要说明的是，本技术的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”、“第三”、“第四”等是用于区别不同的对象，而不是用于描述特定顺序。本技术实施例的术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，示例性地，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
[0030]请参照图1至图3，公开了本技术一种实施方式的半导体激光高速雕刻装置的
结构。本实施方式中，所述半导体激光高速雕刻装置包括基座10、激光发射器20、光束调整单元和传输单元。所述基座10是为整个装置提供支撑，基座采用型材制成U字型，顶部开口，激光发射器20、光束调整单元和传输单元均安装在基座10中。
[0031]所述激光发射器20是用于发射激光光束的。激光发射器20固定安装在基座10的一端中，激光发射器20的出光口朝向基座10内部。进一步的，本实施方式的半导体激光高速雕刻装置还包括安装在所述激光发射器20上的散热风扇21。由于激光发射器20工作过程中会产生热量导致温度升高，散热风扇21可以为激光发射器20降温。
[0032]光束调整单元包括滑动座、安装在所述滑动座上的反光镜41和聚焦镜42。需要进行雕刻的加工件50置于基座10的下方，且加工件的雕刻面51朝向所述基座10。所述反光镜41用于将激光光束反射到雕刻面51上，所述聚焦镜42位于所述反光镜41和所述雕刻面51之间，所述聚焦镜42将反光镜41反射的激光光束聚焦到雕刻面51上进行雕刻。
[0033]传输单元是用于驱动光束调整单元在左右方向(即X轴方向)上来回运动的，使得光束调整单元能够完成雕刻工作。具体地，所述传输单元包括闭合传输带31、驱动所述闭合传输带31往返运动的电机30，还包括固定在所述基座10上的滑轨32。所述光束调整单元的所述滑动座装配在所述滑轨32上且所述滑动座的一面与所述闭合传输带31接触。由此，电机3本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体激光高速雕刻装置，其特征在于，包括：基座：用于提供支撑；激光发射器：用于发射激光光束；光束调整单元：包括滑动座、安装在所述滑动座上的反光镜和聚焦镜，所述反光镜用于将激光光束反射到雕刻面上，所述聚焦镜位于所述反光镜和所述雕刻面之间，所述聚焦镜将反光镜反射的激光光束聚焦到雕刻面上；传输单元：包括闭合传输带、驱动所述闭合传输带往返运动的电机，还包括固定在所述基座上的滑轨，所述滑动座装配在所述滑轨上且所述滑动座的一面与所述闭合传输带接触。2.根据权利要求1所述的半导体激光高速雕刻装置，其特征在于：所述基座呈U字形，所述基座的底部设有条形开口，所述滑动座的底部伸出所述条形开口下方。3.根据权利要求2所述的半导体激光高速雕刻装置，其特征在于：所述基座的顶部设有盖板，所述盖板为滤光板。4.根据权利要求1所述的半导体激光高速雕刻装置，其特征在于：所述激光发射器的出光口朝向所述反光镜。5.根据权利要求4所述的半导体激...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨波，
申请(专利权)人：广州钛刻科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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