电子设备制造技术

本公开的各实施例总体上涉及电子设备。一种微机电传感器设备具有检测结构，该检测结构包括：具有顶面的基底；悬置在基底的顶面上方并且弹性耦合到转子锚以便根据待检测量相对于基底执行惯性运动的惯性质量体；以及在相应定子锚处整体耦合到基底并且电容耦合到惯性质量体，以便响应于待检测量而生成指示待检测量的差分电容变化的定子电极。特别地，作为惯性运动，惯性质量体执行沿着正交于基底的顶面的竖直轴线的平移运动；并且定子电极以悬置方式布置在基底的顶面上方。本公开的微机电传感器设备具有改进的稳定性并且减少了其电特性相对于外部刺激(诸如热变化、机械或环境应力、或各种性质的其他外部刺激)的漂移。或各种性质的其他外部刺激)的漂移。或各种性质的其他外部刺激)的漂移。

【技术实现步骤摘要】
电子设备


[0001]本公开涉及一种电子设备，具体涉及竖直轴线(所谓的z轴)MEMS(微机电系统)传感器设备，该MEMS传感器设备对构成相对于待检测量的干扰的外部应力或刺激具有改进的不敏感性；下面的讨论将明确提及一种实现电容类型的加速度计的MEMS传感器设备，该MEMS传感器设备被配置为检测沿着上述z轴的线性加速度，而这并不表示任何通用性的损失。

技术介绍

[0002]总体上，MEMS加速度计的检测结构包括至少一个惯性质量体，该惯性质量体通常定义为“转子质量”或简称为“转子”，只要其在存在待检测加速度的情况下可以通过惯性效应进行移动(但这并不表示该惯性质量体必须具有旋转运动)。
[0003]惯性质量体悬置在基底上方，基底通过弹性元件耦合到对应转子锚(固定到该基底)，弹性元件允许通过惯性效应移动该惯性质量体。
[0004]MEMS加速度计的检测结构还包括定子电极，定子电极固定并且整体耦合到基底并且电容耦合到转子以形成一个或多个检测电容器(通常为差分配置)，该检测电容器的电容变化指示待检测量。
[0005]典型地，MEMS加本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子设备，其特征在于，包括：基底，具有第一表面；锚；惯性质量体，悬置在所述基底的所述第一表面上方并且弹性耦合到所述锚；以及第一定子电极，耦合到所述基底，所述第一定子电极具有第二表面，所述第二表面与所述基底的所述第一表面隔开第一距离，所述第二表面背对所述基底；第二定子电极，耦合到所述基底并且通过所述锚与所述第一定子电极隔开，所述第二定子电极具有第三表面，所述第三表面与所述基底的所述第一表面隔开第二距离，所述第二距离小于所述第一距离，所述第三表面背对所述基底。2.根据权利要求1所述的电子设备，其特征在于，所述惯性质量体包括窗口，所述窗口具有第一延伸部、第二延伸部以及第三延伸部，所述第一延伸部沿着第一方向，所述锚在所述第一延伸部内，所述第二延伸部沿着横向于所述第一方向的第二方向，所述第三延伸部沿着所述第二方向并且通过所述第一延伸部与所述第二延伸部隔开。3.根据权利要求2所述的电子设备，其特征在于，所述第一定子电极和所述第二定子电极从耦合到所述基底的支柱结构以悬臂方式悬置在所述基底的所述第一表面上方。4.根据权利要求2所述的电子设备，其特征在于，所述惯性质量体包括第一台阶和第二台阶，所述第一台阶与所述第一定子电极对准并且所述第二台阶与所述第二定子电极对准。5.根据权利要求4所述的电子设备，其特征在于，所述惯性质量体是第一结构层的一部分并且所述第一定子电极是第二结构层的一部分，所述第二结构层与所述第一结构层相比与所述基底隔开更远，所述第二定子电极是所述第一结构层的一部分。6.根据权利要求5所述的电子设备，其特征在于，所述第一结构层和所述第二结构层是生长在所述基底的所述第一表面上的外延硅层，所述外延硅层至少部分地与彼此电和机械解耦。7.根据权利要求2所述的电子设备，其特征在于，所述惯性质量体在内部限定窗口，所述窗口形成相对于所述锚具有基本对称的质量分布的第一半部和第二半部，所述第一定子电极电容耦合到所述惯性质量体的所述第一半部并且所述第二定子电极电容耦合到所述惯性质量体的所述第二半部。8.根据权利要求2所述的电子设备，其特征在于，所述惯性质量体在内部限定窗口，所述窗口将所述惯性质量体划分为相对于所述锚具有基本对称的质量分布的第一半部和第二半部，所述第一定子电极和所述第二定子电极电容耦合到所述惯性质量体的所述第一半部并且形成第一对差分电极；以及第三定子电极和第四定子电极，被布置为面对所述惯性质量体的所述第二半部、在相对侧并且形成第二对差分电极。9.根据权利要求8所述的电子设备，其特征在于，所述第一定子电极和所述第二定子电极具有相应第一定子锚和第二定子锚，所述第一定子锚和所述第二定子锚以及所述锚相对于所述惯性质量体居中地相互靠近地布...

【专利技术属性】
技术研发人员：G，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：