本申请提供一种制备氮化镓衬底的图形化衬底以及制备氮化镓衬底的方法，能够解决氮化镓衬底制备工艺复杂，生产成本高的问题。该制备氮化镓衬底的方法包括：在第一蓝宝石衬底的上表面制备掩膜阵列，该掩膜阵列包括多个呈周期性排列的掩膜。然后对带有掩膜阵列的第一蓝宝石衬底进行酸蚀刻，生成具有图案阵列的第二蓝宝石衬底，图案的排列方式与掩膜的排列方式相同。图案的侧壁包含多种半极性晶面，图案具有三重对称特性。然后在带有图案阵列的第二蓝宝石衬底的上表面生长氮化物缓冲层，采用卤化物气相外延生长法，在氮化物缓冲层上生长氮化镓厚膜。将氮化镓厚膜从第二蓝宝石衬底上剥离，并对氮化镓厚膜进行研磨和抛光，氮化镓厚膜即为氮化镓衬底。膜即为氮化镓衬底。膜即为氮化镓衬底。膜即为氮化镓衬底。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：申健，张浩东，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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