一种可抗dV制造技术

本发明专利技术公开了一种可抗dV

【技术实现步骤摘要】
一种可抗dV
S
/dt噪声的高侧栅极驱动电路


[0001]本专利技术涉及可抗噪声干扰的高压栅极驱动领域，特别涉及一种应用于电机驱动领域的高压半桥栅极驱动芯片中，为防止高侧驱动电路因dV
S
/dt噪声导致输出有误所使用的噪声消除电路设计。

技术介绍

[0002]栅极驱动电路在电机驱动、自动化控制、开关电源等领域有着广泛应用，信号传输的可靠性一直是相关产品设计的追求目标。
[0003]半桥驱动芯片内部电路分为高侧电路和低侧电路。其中高侧栅极驱动电路输入采用双路窄脉冲驱动以减少在高压管处的功耗，双路窄脉冲经电平转换电路和滤波电路后由RS触发器将其还原，还原信号作为输出功率管的驱动信号。低侧电路的信号传输延时与高侧电路信号传输延时相匹配，两侧输出同时作为外部半桥结构拓扑的功率管的输入控制信号。当浮动地低侧功率管截止，高侧功率管导通时，VS被外部高压电源抬升，自举电路使VS维持在高压电平的过程中，VB始终高于VS15V，即电源电压值。由于高侧电路中起电平转换作用的LMOS器件存在寄生电容，当VS电平快速上升时，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可抗dV
S
/dt噪声的高侧栅极驱动电路，其特征在于，包括高压电平移位电路，电流源电路，RS触发器电路，与非门、反相器和传输门电路、输出驱动级电路；高压电平移位电路的输入来源于低侧脉冲边缘获取电路产生的双路窄脉冲，其输出作为电流源电路的输入，控制电流源电路是否工作；电流源电路的两路输出信号一方面作为RS触发器的输入，另一方面两路信号经过与非门和非门的逻辑转换后，产生传输门的控制信号；传输门的输入信号为RS触发器电路的输出信号，其输出信号为输出驱动电路的输入信号，反相器为输出驱动电路的一部分，输出驱动级电路通过输出驱动信号控制外部功率管的开启与关断。2.根据权利要求1所述的一种可抗dV
S
/dt噪声的高侧栅极驱动电路，其特征在于，该包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、RS触发器、与非门NAND1、第一反相器INV1、第五NMOS管MN5、第五PMOS管MP5、第二反相器INV2和第三反相器INV3组成；第一PMOS管MP1的栅极接第二PMOS管MP2的栅极，同时接第一LDMOS管LD1的漏极，并且接第一电阻R1的下端和第一齐纳二极管D1的阳极，第一PMOS管MP1的源极接高侧电压电源VB，第一PMOS管MP1的漏极接第一NMOS管MN1的漏极，同时接RS触发器的复位端R，并且接与非门NAND1的其中一个输入端，第二PMOS管MP2的源极接高侧电压电源VB，第二PMOS管MP2的漏极接第三NMOS管MN3的漏极，同时接第三NMOS管MN3的栅极和第四NMOS管MN4的栅极，第三PMOS管MP3的栅极接第四PMOS管MP4的栅极，同时接第二LDMOS管LD2的漏极，并且接第二电阻R2的下端和第二齐纳二极管D2的阳极，第三PMOS管MP3的源极接高侧电压电源VB，第三PMOS管MP3的漏极接第二NMOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：代雄志，王传政，喻明艳，
申请(专利权)人：北京卓芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：