一种用于CMP的光学测量装置和化学机械抛光设备制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于CMP的光学测量装置和化学机械抛光设备，所述光学测量装置包括：在线光学测量组件和参考光学测量组件，所述在线光学测量组件包括用于测量晶圆的非金属膜厚的第一光学传感器和第一窗口，所述参考光学测量组件包括用于获得校准光强的第二光学传感器、第二窗口、校准片和遮挡组件。校准片和遮挡组件。校准片和遮挡组件。

【技术实现步骤摘要】
一种用于CMP的光学测量装置和化学机械抛光设备


[0001]本专利技术涉及化学机械抛光
，尤其涉及一种用于CMP的光学测量装置和化学机械抛光设备。

技术介绍

[0002]晶圆制造是制约超/极大规模集成电路(即芯片，IC，Integrated Circuit)产业发展的关键环节。随着摩尔定律的延续，集成电路特征尺寸持续微缩逼近理论极限，晶圆表面质量要求愈加苛刻，因而晶圆制造过程对缺陷尺寸和数量的控制越来越严格。化学机械抛光(Chemical Mechanical Planarization，CMP)是一种全局表面平坦化技术，在半导体制造过程中用以减小晶圆厚度变化和表面形貌的影响。由于CMP可精确并均匀地把晶圆平坦化为需要的厚度和平坦度，已经成为半导体制造过程中应用最广泛的一种表面平坦化技术。
[0003]化学机械抛光过程是利用承载头将晶圆压于抛光垫表面，依靠晶圆和抛光垫之间的相对运动并借助抛光液中的磨粒实现晶圆表面抛光。有些抛光工艺需要去除非金属层，针对非金属的抛光工艺控制，一般使用离线的量测设备测量非金属层的膜厚，获取以往晶圆抛光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于CMP的光学测量装置，其特征在于，包括：在线光学测量组件和参考光学测量组件，所述在线光学测量组件包括用于测量晶圆的非金属膜厚的第一光学传感器和第一窗口，所述参考光学测量组件包括用于获得校准光强的第二光学传感器、第二窗口、校准片和遮挡组件。2.如权利要求1所述的光学测量装置，其特征在于，所述在线光学测量组件跟随抛光盘旋转从而实现在抛光的同时进行在线的非金属膜厚测量，第一光学传感器设置在抛光盘内部，第一窗口嵌入在第一光学传感器上方相应位置处的抛光垫表面，第一光学传感器的光路通过第一窗口照射到晶圆。3.如权利要求1所述的光学测量装置，其特征在于，所述参考光学测量组件安装在抛光盘内部以获取校准光强，第二光学传感器和第二窗口相对放置，校准片与第二窗口的远离第二光学传感器的一面相贴，遮挡组件用于在第二光学传感器和第二窗口之间实现遮挡。4.如权利要求1所述的光学测量装置，其特征在于，所述第一窗口和第二窗口完全相同。5.如权利要求4所述的光学测量装置，其特征在于，所述第一光学传感器距第一窗口的直线距离与第...

【专利技术属性】
技术研发人员：窦华成，田芳馨，王同庆，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：