一种快速响应的自适应电源转换电路制造技术

本发明专利技术公开一种快速响应的自适应电源转换电路，包括电压比较模块、快速响应耦合模块和电压选择驱动模块，电压比较模块将共模电压VCM与电源电压VCC进行比较，并根据比较结果输出高电平或低电平；所述快速响应耦合模块根据电压比较模块输出的逻辑电平，利用电容的耦合特性，快速耦合变化的电压信号，并产生控制信号，加速电压选择驱动模块的响应；所述电压选择驱动模块根据快速响应耦合模块产生的控制信号，将选择出的共模电压VCM或电源电压VCC中较高的电压作为输出信号VS进行输出。此种电路利用电容电压不可以突变的特性，耦合快速变化的信号，并设计相应的充放电电路保证自适应电源转换的快速响应，能够适应PWM大阶跃信号的快速变化，提高转换精度。提高转换精度。提高转换精度。

【技术实现步骤摘要】
一种快速响应的自适应电源转换电路


[0001]本专利技术涉及一种快速响应的自适应电源转换电路。

技术介绍

[0002]传统电源转换电路通过各种电流或者电压比较器将两个电压进行比较，判断二者较高的电压并通过电压提取电路将较高电压作为电源，但此转换过程通常比较缓慢，且无法处理快速变化的PWM大阶跃信号。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的，在于提供一种快速响应的自适应电源转换电路，能够适应PWM大阶跃信号的快速变化，提高转换精度。
[0004]为了达成上述目的，本专利技术的解决方案是：
[0005]一种快速响应的自适应电源转换电路，用于将共模电压VCM与电源电压VCC进行比较，并将其中较高的电压作为输出信号VS进行输出；包括电压比较模块、快速响应耦合模块和电压选择驱动模块；
[0006]所述电压比较模块包括PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6、PMOS管MP7、PMOS管MP8、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种快速响应的自适应电源转换电路，用于将共模电压VCM与电源电压VCC进行比较，并将其中较高的电压作为输出信号VS进行输出；其特征在于：包括电压比较模块、快速响应耦合模块和电压选择驱动模块；所述电压比较模块包括PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、PMOS管MP5、PMOS管MP6、PMOS管MP7、PMOS管MP8、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、电流源I0、电流源I1、电流源I2和电流源I3，其中，PMOS管MP1的源极与PMOS管MP2的源极共同连接共模电压VCM，PMOS管MP1的栅极与PMOS管MP2的栅极相连，并连接至PMOS管MP1的漏极；PMOS管MP1的漏极还连接NMOS管MN1的漏极，NMOS管MN1的栅极连接电源电源VCC，NMOS管MN1的源极经电流源I0接地；PMOS管MP2的漏极连接PMOS管MP3的源极，PMOS管MP3的漏极经电流源I1接地，PMOS管MP3的漏极作为逻辑电平输出端A；PMOS管MP3的栅极与PMOS管MP4的栅极相连，并连接至PMOS管MP4的漏极，PMOS管MP4的漏极还经由电流源I3接地；PMOS管MP4的源极连接PMOS管MP5的漏极；PMOS管MP5的源极和PMOS管MP6的源极共同连接电源电压VCC，PMOS管MP5的栅极与PMOS管MP6的栅极相连，并共同连接至PMOS管MP6的漏极，PMOS管MP6的漏极还经电流源I3接地；PMOS管MP7的栅极和NMOS管MN2的栅极共同连接至点A，PMOS管MP7的源极连接电源电压VCC，PMOS管MP7的漏极与NMOS管MN2的漏极连接于逻辑电平输出端B；NMOS管MN2的源极接地；PMOS管MP8的源极连接电源电压VCC，PMOS管MP8的漏极与NMOS管MN3的漏极连接于逻辑电平输出端C；NMOS管MN3的源极接地；PMOS管MP8的栅极与NMOS管MN3的栅极共同连接至点B；所述快速响应耦合模块包括NMOS管MN12、NMOS管MN13、NMOS管MN14、NMOS管MN15、电容C1、电容C2、电阻R1和电阻R2，其中，电容C1的一端连接点B，电容C1的另一端定义为点G1，电阻R1的一端连接点G1，电阻R1的另一端接地；NMOS管MN12的栅极连接点G1，NMOS管MN12的漏极定义为点D，NMOS管MN12的源极接地；NMOS管MN13的栅极连接点G1，NMOS管MN13的漏极定义为点F，NMOS管MN13的源极接地；电容C2的一端定义为点C，电容C2的另一端定义为点G2，电阻R2的一端连接点G2，电阻R2的另一端接地；NMOS管MN14的栅极连接点G2，NMOS管MN12的漏极定义为点E，NMOS管MN14的源极接地；NMOS管MN15的栅极连接点G2，NMOS管MN15的漏极定义为点G，NMOS管MN15的源极接地；所述电压选择驱动模块包括PMOS管MP9、PMOS管MP10、PMOS管MP11、PMOS管MP12、PMOS管MP13、PMOS管MP14、PMOS管MP15、PMOS管MP16、PMOS管MP17、PMOS管MP18、PMOS管MP19、PMOS管MP20、NMOS管MN4、NMOS管MN5、NMOS管MN6、NMOS管MN7、NMOS管MN8、NMOS管MN9、NMOS管MN10、NMOS管MN11、电流源I4和电流源I5，其中，PMOS管MP9的漏极连接电源电压VCC，PMOS管MP9的源极分别连接PMOS管MP10的源极、PMOS管MP12的源极、PMOS管MP13的源极、PMOS管PMOS管MP14的源极、PMOS管MP15的源极、PMOS管MP16的源极、PMOS管MP18的源极，并连接至电路输出端；PMOS管MP9的栅极分别连接PMOS管MP11的栅极、PMOS管MP1...

【专利技术属性】
技术研发人员：李肖飞，漆星宇，张明，
申请(专利权)人：江苏润石科技有限公司，
类型：发明
国别省市：