发光器件及其制备方法、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种发光器件及其制备方法、显示面板及显示装置。其中，发光器件包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、导光绝缘层、第一电极和第二电极，导光绝缘层位于第一半导体层靠近发光层的一侧，沿发光层的厚度方向，至少部分导光绝缘层位于非发光区。本发明专利技术实施例提供的发光器件及其制备方法、显示面板及显示装置，通过在第一半导体层靠近发光层的一侧设置导光绝缘层，并将至少部分导光绝缘层设置于非发光区，以通过导光绝缘层对发光区中发光层发出的至少部分大角度光线进行导光，使其从非发光区出射，从而显著增加从非发光区出射的光线数量，对非发光区起到增亮的作用，提高了发光器件在发光区和非发光区的发光亮度均一性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
发光器件及其制备方法、显示面板及显示装置


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种发光器件及其制备方法、显示面板及显示装置。

技术介绍

[0002]微型发光二极管(Micro Light
‑
Emitting Diode，Mic
‑
LED)是一种微小尺寸的LED(Light
‑
Emitting Diode)，微型发光二极管显示面板具有低功耗、高亮度、高色彩饱和度、反应速度快、厚度薄以及寿命长等优势，被广泛应用于照明、显示、背光等领域。
[0003]但现有微型发光二极管存在不同区域的发光亮度不均一的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种发光器件及其制备方法、显示面板及显示装置，以提高发光器件在不同区域发光亮度的均一性。
[0005]根据本专利技术的一方面，提供了一种发光器件，包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、导光绝缘层、第一电极和第二电极；
[0006]所述发光层位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，所述导光绝缘层位本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，其特征在于，包括第一半导体层、发光层、第二半导体层、导光绝缘层、第一电极和第二电极；所述发光层位于所述第一半导体层和所述第二半导体层之间，所述导光绝缘层位于所述第一半导体层靠近所述发光层的一侧，所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接；所述发光器件包括发光区和非发光区，沿所述发光层的厚度方向，所述发光区为所述发光层所在区域，所述非发光区为所述发光器件中除所述发光层所在区域之外的区域；沿所述发光层的厚度方向，至少部分所述导光绝缘层位于所述非发光区。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述导光绝缘层的侧壁和所述发光层的侧壁接触连接。3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述导光绝缘层包括第一导光分部和第二导光分部，所述第一导光分部和所述第二导光分部分别位于所述发光层的相对两侧。4.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述导光绝缘层围绕所述发光层设置。5.根据权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，所述导光绝缘层的厚度为H，所述发光层的厚度为h1，其中，H≥h1。6.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述导光绝缘层的透光率大于或等于90％。7.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述导光绝缘层的材料包括聚甲基丙烯酸甲酯或二氧化硅。8.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件还包括第一电流扩散层和第二电流扩散层；所述第一电流扩散层和所述第一半导体层接触连接；所述第一电流扩散层包括第一分部，所述第一分部位于所述导光绝缘层背离所述第一半导体层的一侧，且所述第一分部与所述导光绝缘层背离所述第一半导体层一侧的表面接触连接；所述第一电极位于所述第一分部背离所述第一半导体层的一侧，且所述第一电极和所述第一分部接触连接；所述第二电流扩散层位于所述第二半导体层背离所述第一半导体层的一侧，且所述第二电流扩散层与所述第二半导体层背离所述第一半导体层一侧的表面接触连接；所述第二电极位于所述第二电流扩散层背离所述第一半导体层的一侧，且所述第二电极和所述第二电流扩散层接触连接。9.根据权利要求8所述的发光器件，其特征在于，沿所述发光层的厚度方向，所述导光绝缘层位于所述非发光区。10.根据权利要求9所述的发光器件，其特征在于，所述导光绝缘层背离所述第一半导体层一侧的表面为第一表面，所述第二半导体层背离所述第一半导体层一侧的表面为第二表面；沿所述第一半导体层的厚度方向，所述第一表面和所述第二表面之间的距离为d，所述
第二半导体层的厚度为h2；其中，d≤h2。11.根据权利要求9所述的发光器件，其特征在于，所述导光绝缘层背离所述第一半导体层一侧的表面为第一表面，所述第二半导体层背离所述第一半导体层一侧的表面为第二表面；沿所述第一半导体层的厚度方向，所述第一表面和所述第二表面之间的距离为d，其中，d≤0.5μm。12.根据权利要求8所述的发光器件，其特征在于，沿所述第一半导体层的厚度方向，所述第二电流扩散层覆盖所述第二半导体层。13.根据权利要求8所述的发光器件，其特征在于，沿平行于所述导光绝缘层所在平面的方向，所述第一电极和所述第二电极相对于所述发光器件的中心轴线对称设置；所述发光器件的中心轴线的延伸方向平行于所述第一半导体层的厚度方向。14.根据权利要求8所述的发光器件，其特征在于，所述发光器件包括2个所述第一电极；沿平行于所述导光绝缘层所在平面的方向，2个所述第一电极分别位于所述第二电极的相对两侧。15.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极位于所述第一半导体层背离所述发光层的一侧；所述第二电极位于所述第二半导体层背离所述发光层的一侧；所述第一电极为透光电极。16.根据权利要求15所述的发光器件，其特征在于，所述发光层的中心轴线和所述发光器件的中心轴...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄安，
申请(专利权)人：天马新型显示技术研究院厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：