本申请涉及滤波器技术领域，特别涉及一种接合基板、弹性波装置及模块。其中，一种接合基板，包括支撑基板，具有相对的第一表面及第二表面；介质层，布置于支撑基板的第一表面；压电层，布置于介质层远离支撑基板的一侧；其中，介质层包括低声速层及高声速层，高声速层布置于第一表面，低声速层布置于高声速层远离支撑基板的一侧；支撑基板与低声速层之间设置有多晶非晶混合区域。本申请提供的接合基板，在支撑基板与低声速层之间设置多晶非晶混合区域，通过多晶非晶混合区域内部的多晶和非晶结构，对高阶杂波进行散射、反射，无需引入空腔孔洞，即使接合基板获得高阶杂散抑制能力。结构简便、滤波效果好，同时制备成本低，具有良好的应用价值。价值。价值。
【技术实现步骤摘要】
接合基板、弹性波装置及模块
[0001]本申请涉及滤波器
，特别涉及一种接合基板、弹性波装置及模块。
技术介绍
[0002]作为谐振器或带通滤波器，弹性波装置被广泛使用。已知将形成弹性波谐振器的压电基板通过介电层接合到支撑基板，形成薄膜型滤波器。该薄膜型滤波器可以提升机械品质因数(Q)和机电耦合系数，然而由于滤波器的电性能受来自介质层和支撑基板界面反射的高阶杂波影响，限制了该种薄膜型滤波器性能的提升。
[0003]为了消除或抑制高阶杂波，已知方法有采用在介质层和支撑基板之间引入空腔孔洞的方案，通过空腔孔洞散射杂波。
[0004]但是，在介质层和支撑基板的界面中引入孔洞的方案步骤繁琐、加工技术难度大，同时成本高昂，限制了这一方案的实际应用。因此，如何简便地获得具有杂波抑制效果的复合衬底成为研究的重点。
技术实现思路
[0005]为解决上述现有滤波器接合基板空腔孔洞制备困难、成本高昂的不足，本申请提供一种接合基板，包括
[0006]支撑基板，具有相对的第一表面及第二表面。
[0007]介质层，布置于支撑基板的第一表面。
[0008]压电层，布置于介质层远离支撑基板的一侧。
[0009]其中，介质层包括低声速层及高声速层，高声速层布置于第一表面，低声速层布置于高声速层远离支撑基板的一侧。
[0010]支撑基板与低声速层之间设置有多晶非晶混合区域。
[0011]在一实施例中，多晶非晶混合区域设置于高声速层内部。
[0012]在一实施例中，多晶非晶混合区域设置于高声速层与支撑基板的交界处。
[0013]本申请还提供一种接合基板，包括
[0014]支撑基板，具有相对的第一表面及第二表面。
[0015]介质层，布置于支撑基板的第一表面。
[0016]压电层，布置于介质层远离支撑基板的一侧。
[0017]其中，介质层包括低声速层，低声速层布置于第一表面，
[0018]支撑基板采用高声速材料。支撑基板内部设置有多晶非晶混合区域。
[0019]在一实施例中，压电层远离介质层的一侧还设置有I DT电极。多晶非晶混合区域在压电层上的投影至少覆盖I DT电极。
[0020]在一实施例中，多晶非晶混合区域中多晶区域的占比为0～70％。优选为30％～50％。
[0021]在一实施例中，多晶非晶混合区域中多晶晶胞的晶胞半径范围为0.1μm～5μm。优
选为1μm～3μm。
[0022]在一实施例中，多晶非晶混合区域由介质层与支撑基板键合后进行激光灼刻而得。
[0023]在一实施例中，激光灼刻采用的激光功率为2000～3000W,加热时间为20～100us，激光频率为20～60KHz。
[0024]在一实施例中，多晶非晶混合区域厚度为0.2μm～10μm。优选为2μm～6μm。
[0025]在一实施例中，多晶非晶混合区域的厚度与介质层的总厚度的比值为0.02～0.1：1。介质层的总厚度为低声速层的厚度及高声速层的厚度之和。
[0026]在一实施例中，多晶非晶混合区域的厚度与介质总厚度的比值为0.02～0.1：1，介质总厚度为介质层的厚度与支撑基板的厚度之和。
[0027]本申请还一种弹性波装置，包括接合基板，以及设置于接合基板上的弹性波组件。
[0028]其中，接合基板包括
[0029]支撑基板，具有相对的第一表面及第二表面。
[0030]介质层，布置于支撑基板的第一表面。
[0031]压电层，布置于介质层远离支撑基板的一侧。
[0032]其中，介质层包括低声速层及高声速层，高声速层布置于第一表面，低声速层布置于高声速层远离支撑基板的一侧。支撑基板与低声速层之间设置有多晶非晶混合区域。弹性波组件布置于压电层表面。
[0033]在一实施例中，多晶非晶混合区域设置于高声速层内部。
[0034]在一实施例中，多晶非晶混合区域设置于高声速层与支撑基板的交界处。
[0035]本申请还提供一种弹性波装置，包括接合基板，以及设置于接合基板上的弹性波组件。接合基板包括
[0036]支撑基板，具有相对的第一表面及第二表面。
[0037]介质层，布置于支撑基板的第一表面。
[0038]压电层，布置于介质层远离支撑基板的一侧。
[0039]其中，介质层包括低声速层，低声速层布置于第一表面，支撑基板采用高声速材料。支撑基板内部设置有多晶非晶混合区域。弹性波组件布置于压电层表面。
[0040]在一实施例中，弹性波组件包括I DT电极，I DT电极设置于压电层远离介质层的一侧。多晶非晶混合区域在压电层上的投影至少覆盖I DT电极。
[0041]在一实施例中，多晶非晶混合区域中多晶区域的占比为0～70％。优选为30％～50％。
[0042]在一实施例中，多晶非晶混合区域中多晶晶胞的晶胞半径范围为0.1μm～5μm。优选为1μm～3μm。
[0043]在一实施例中，多晶非晶混合区域由介质层与支撑基板键合后进行激光灼刻而得。
[0044]在一实施例中，激光灼刻采用的激光功率为2000～3000W,加热时间为20～100us，激光频率为20～60KHz。
[0045]在一实施例中，多晶非晶混合区域厚度为0.2μm～10μm。优选为2μm～6μm。
[0046]在一实施例中，多晶非晶混合区域厚度与介质层总厚度的比值为0.02～0.1：1。介
质层总厚度为低声速层的厚度及高声速层的厚度之和。
[0047]在一实施例中，多晶非晶混合区域与介质总厚度的比值为0.02～0.1：1，介质总厚度为介质层的厚度与支撑基板的厚度之和。
[0048]本申请提供一种模块，包含如上任意所述的接合基板或如上任意所述的弹性波装置。
[0049]基于上述，与现有技术相比，本申请提供的接合基板，在支撑基板与低声速层之间设置多晶非晶混合区域，通过多晶非晶混合区域内部的多晶和非晶结构，对高阶杂波进行散射、反射，无需引入空腔孔洞，即使接合基板获得高阶杂散抑制能力。结构简便、滤波效果好，同时制备成本低，具有良好的应用价值。
[0050]本申请的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本申请而了解。本申请的目的和其他有益效果可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
[0051]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图；在下面描述中附图所述的位置关系，若无特别指明，皆是图示中组件绘示的方向为基准。
[0052]图1为本申请一实施例的结构示本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种接合基板，其特征在于：包括支撑基板，具有相对的第一表面及第二表面；介质层，布置于所述支撑基板的第一表面；压电层，布置于所述介质层远离所述支撑基板的一侧；其中，所述介质层包括低声速层及高声速层，所述高声速层布置于所述第一表面，所述低声速层布置于所述高声速层远离所述支撑基板的一侧；所述支撑基板与所述低声速层之间设置有多晶非晶混合区域。2.根据权利要求1所述的接合基板，其特征在于：所述多晶非晶混合区域设置于所述高声速层内部。3.根据权利要求1所述的接合基板，其特征在于：所述多晶非晶混合区域设置于所述高声速层与所述支撑基板的交界处。4.一种接合基板，其特征在于：包括支撑基板，具有相对的第一表面及第二表面；介质层，布置于所述支撑基板的第一表面；压电层，布置于所述介质层远离所述支撑基板的一侧；其中，所述介质层包括低声速层，所述低声速层布置于所述第一表面，所述支撑基板采用高声速材料；所述支撑基板内部设置有多晶非晶混合区域。5.根据权利要求1或4所述的接合基板，其特征在于：所述压电层远离所述介质层的一侧还设置有IDT电极；所述多晶非晶混合区域在所述压电层上的投影至少覆盖所述IDT电极。6.根据权利要求1或4所述的接合基板，其特征在于：所述多晶非晶混合区域中多晶区域的占比为0～70％。7.根据权利要求1或4所述的接合基板，其特征在于：所述多晶非晶混合区域中多晶晶胞的晶胞半径范围为0.1μm～5μm。8.根据权利要求1或4所述的接合基板，其特征在于：所述多晶非晶混合区域由介质层与所述支撑基板键合后进行激光灼刻而得。9.根据权利要求1或4所述的接合基板，其特征在于：所述多晶非晶混合区域厚度为0.2μm～10μm。10.根据权利要求1所述的接合基板，其特征在于：所述多晶非晶混合区域的厚度与所述介质层的总厚度的比值为0.02～0.1：1；所述介质层的总厚度为所述低声速层的厚度及所述高声速层的厚度之和。11.根据权利要求4所述的接合基板，其特征在于：所述多晶非晶混合区域的厚度与介质总厚度的比值为0.02～0....
【专利技术属性】
技术研发人员：林晓强，罗捷，
申请(专利权)人：泉州市三安集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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