一种改性前驱体材料及其制备方法与应用技术

技术编号:38999215 阅读:9 留言:0更新日期:2023-10-07 10:30
本发明专利技术提供了一种改性前驱体材料及其制备方法与应用,所述改性前驱体材料通过氧化剂将未改性前驱体材料进行改性得到;所述改性前驱体材料满足:0.004≤A

【技术实现步骤摘要】
一种改性前驱体材料及其制备方法与应用


[0001]本专利技术属于电池
,涉及一种改性前驱体材料及其制备方法与应用。

技术介绍

[0002]随着锂电行业的飞速发展,市场对电池包的电化学性能有了新的要求,如需要高续航和长寿命,正极材料是影响上述性能的关键因素,因而需要制备出高比容量和高循环性能的正极材料。
[0003]现有技术中一般通过掺杂和包覆对正极材料或者正极材料前驱体进行改性,来提升正极材料的比容量和循环性能,如对正极材料烧结制备过程中掺杂和/或包覆改性,或者在共沉淀制备前驱体过程中进行掺杂,或者做成核壳结构的前驱体,虽然上述方式在一定程度上对正极材料的性能有一定的改善,但并没有完善其晶体结构,而且在循环过程中也存在较多副反应,从而对晶体结构造成进一步的破坏。
[0004]因此,由于通过前驱体制备正极过程需要锂离子扩散进入前驱体内部形成层状结构,烧结过程锂离子扩散速度较慢,通常需要较高温度烧制但仍难达到预期效果,即使通过上述掺杂和包覆仍存在如下问题:(1)前驱体和锂盐反应不彻底,导致残碱偏高,影响后期的加工性和增加后期的产气;(2)锂离子不能到达指定的晶格位置使得部分锂离子成为死锂,影响容量的释放;(3)制得正极材料晶格内部缺陷较多,多次循环后晶体易产生裂纹,影响正极材料的循环性能。
[0005]基于以上研究,需要提供一种改性前驱体材料,所述改性前驱体材料能在制备正极材料过程中,增大锂离子在前驱体中的扩散速率,从而能够避免正极材料在烧结过程中存在的问题,提升正极材料的容量和循环稳定性。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的在于提供一种改性前驱体材料及其制备方法与应用,所述改性前驱体材料晶格缺陷和结晶度适宜,在混锂烧制正极材料时,能够提升锂离子在前驱体中的扩散速率,使锂离子更易到达指定晶格位置,同时还能降低正极材料的烧成温度,减少能耗,从而提升了正极材料的容量和循环性能。
[0007]为达到此专利技术目的,本专利技术采用以下技术方案:
[0008]第一方面,本专利技术提供了一种改性前驱体材料,所述改性前驱体材料通过氧化剂将未改性前驱体材料进行改性得到;
[0009]所述改性前驱体材料满足:0.004≤A
×
C
×
E/(B
×
D
×
F)≤0.030,其中,A为所述改性前驱体材料的I(001),B为所述未改性前驱体材料的I(001),C为所述改性前驱体材料的I(101),D为所述未改性前驱体材料的I(101),E为所述氧化剂的质量,F为所述未改性前驱体材料的质量。
[0010]本专利技术通过氧化剂进行改性,改变前驱体材料的晶格缺陷程度和结晶度,使晶格缺陷和结晶度适宜正极材料的烧成,并且由于结晶度与特征衍射峰峰强和半峰宽有关,峰
强越强,半峰宽越窄则结晶度越好,本专利技术对缺陷改变程度以及结晶度的改变程度,通过考虑多种参数影响进行了公式限定,当改性前驱体材料满足上述关系式时,改性前驱体材料更有利于锂离子的扩散,避免了锂盐反应不彻底,产生残碱以及死锂的问题,提升了正极材料的容量和循环稳定性。
[0011]所述0.004≤A
×
C
×
E/(B
×
D
×
F)≤0.030,例如可以是0.004、0.01、0.015、0.02、0.025或0.030,但不限于所列举的数值,数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0012]本专利技术对于A、C、E、B、D和F的具体取值不做具体限定,保证A
×
C
×
E/(B
×
D
×
F)在上述范围内,即可保证结晶度适宜。
[0013]I(001)是指001晶面的XRD衍射强度,I(101)是指101晶面的XRD衍射强度。
[0014]优选地,所述未改性前驱体材料的化学式为Ni
X
Co
Y
Mn1‑
X

Y
(OH)2,其中,0.60≤X≤0.85,例如可以是0.6、0.7、0.8或0.85,0.05≤Y≤0.15,例如可以是0.05、0.1或0.15,但不限于所列举的数值,数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0015]第二方面,本专利技术提供了一种如第一方面所述改性前驱体材料的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:
[0016](1)将未改性前驱体材料与氧化剂进行混合,得到混合料;其中,所述未改性前驱体材料与氧化剂的质量比为(1

25):1;
[0017](2)将步骤(1)所述混合料进行造粒,得到所述改性前驱体材料。
[0018]本专利技术所述改性前驱体材料的制备方法简单,仅需对前驱体材料与氧化剂混合和造粒即可得到,其中,氧化剂能够对锰离子进行氧化,改变前驱体的晶格缺陷和结晶度。
[0019]所述未改性前驱体材料与氧化剂的质量比为(1

25):1,例如可以是1:1、5:1、10:1、15:1、20:1或25:1,但不限于所列举的数值,数值范围内其它未列举的数值同样适用,优选为(13

25):1。
[0020]本专利技术前驱体晶格缺陷和结晶度的改变程度受改性前驱体材料与氧化剂的质量比影响,二者质量比需要在特定范围内,来保证修饰改性程度。
[0021]优选地,步骤(1)所述氧化剂包括高锰酸钾、双氧水或过硫酸钠中的任意一种或至少两种的组合。
[0022]优选地,步骤(1)所述混合的方式为砂磨和/或球磨,优选为砂磨。
[0023]本专利技术未改性前驱体材料与氧化剂混合的方式优选为砂磨,由于本专利技术后续进行了喷雾干燥造粒,且造粒的粒径D50在特定范围内,本专利技术为了匹配造粒的粒度,采用砂磨的方式将两者混合;并且砂磨操作可使得前驱体材料中的一次粒子大小较为均匀,同时使得前驱体材料和氧化剂充分接触,增加氧化效果,使得前驱体结晶度均匀减小。
[0024]优选地,步骤(1)所述混合的时间为1

3h,例如可以是1h、2h或3h,但不限于所列举的数值,数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0025]优选地,步骤(1)所述未改性前驱体材料采用如下方法制备:
[0026]将金属盐溶液、络合剂和沉淀剂并流加入至底液中,进行共沉淀反应,反应结束后进行后处理,得到所述未改性前驱体材料。
[0027]优选地,所述共沉淀反应的pH为10.50

12.00,例如可以是10.5、11.00、11.5或12.00,转速为600

1200rpm,例如可以是600rpm、800rpm、1000rpm或1200rpm,温度为30

70℃,例如可以是30℃、50℃或70℃,但不限于所列举的数值,数值范围内其它未列举的数值
同样适用。
[0028]优选地,所述共沉淀反应在氮本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改性前驱体材料,其特征在于,所述改性前驱体材料通过氧化剂将未改性前驱体材料进行改性得到;所述改性前驱体材料满足:0.004≤A
×
C
×
E/(B
×
D
×
F)≤0.030,其中,A为所述改性前驱体材料的I(001),B为所述未改性前驱体材料的I(001),C为所述改性前驱体材料的I(101),D为所述未改性前驱体材料的I(101),E为所述氧化剂的质量,F为所述未改性前驱体材料的质量。2.一种如权利要求1所述改性前驱体材料的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括如下步骤:(1)将未改性前驱体材料与氧化剂进行混合,得到混合料;其中,所述未改性前驱体材料与氧化剂的质量比为(1

25):1;(2)将步骤(1)所述混合料进行造粒,得到所述改性前驱体材料。3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述未改性前驱体材料与氧化剂的质量比为(13

25):1;优选地,步骤(1)所述氧化剂包括高锰酸钾、双氧水或过硫酸钠中的任意一种或至少两种的组合,优选为过硫酸钠。4.根据权利要求2或3所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述混合的方式为砂磨和/或球磨,优选为砂磨;优选地,步骤(1)所述混合的时间为1

3h。5.根据权利要求1

4任一项所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述未改性前驱体材料采用如下方法制备:将金属盐溶液、络合剂和沉淀剂并流加入至底液中,进行共沉淀反应,反应结束后进行后处理,得到所述未改性前驱体材料;优选地,所述共沉淀反应的pH为10.50

12.00,转速为600

1200rpm,温度为30

70℃;优选地,所述金属盐溶液中,金属离子的总浓度为2

...

【专利技术属性】
技术研发人员:张宁崔军燕王涛李子郯张勇杰杨红新
申请(专利权)人:锂白新材料科技江苏有限公司
类型:发明
国别省市:

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