拉晶方法技术

本申请实施例涉及晶体生长领域，提供一种拉晶方法，包括：依次由熔接步骤、引晶步骤、放肩步骤、转肩步骤、等径步骤和收尾步骤组成的拉晶过程，在拉晶过程的每一步骤中炉压均小于等于500Pa，且抽气速率均大于等于1000m3/h。本申请实施例提供的拉晶方法至少有利于降低晶体中的氧含量。体中的氧含量。体中的氧含量。

【技术实现步骤摘要】
拉晶方法


[0001]本申请实施例涉及晶体生长领域，特别涉及一种拉晶方法。

技术介绍

[0002]单晶硅是芯片和太阳能电池生产制造的必要原料之一。目前在所有安装的太阳电池中，超过90％以上是晶体硅太阳能电池，因此，位于产业链前端的单晶硅的生产对整个太阳电池产业有着很重要的作用。
[0003]直拉法是一种由切克劳斯基(Czochralski)建立起来的一种晶体生长方法，简称CZ法。在传统的直拉法生长硅单晶的过程中，等径生长非常重要，对于该等径生长的过程，相关技术中，需要手动设定一组目标拉速，即关于晶体生长长度的斜率值。
[0004]晶体中的主要杂质是氧，通常氧是在晶体生长过程中被引入的，由于热历史影响，晶体降温过程中由于单晶头部处于高温时间长、冷却慢，原来以间隙形式存在的氧会在450℃左右汇聚产生显电活性的SiO
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，提供电子成为氧施主。而氧施主易诱发层错、缺陷，导致硅片翘曲，引入大量的二次缺陷，影响单晶片的机械性能，对硅材料和器件的电学性能有破坏作用，降低单晶电池片的转换效率。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种拉晶方法，其特征在于，包括：依次由熔接步骤、引晶步骤、放肩步骤、转肩步骤、等径步骤和收尾步骤组成的拉晶过程，在所述拉晶过程的每一步骤中炉压均小于等于500Pa，且抽气速率大于等于1000m3/h。2.根据权利要求1所述的拉晶方法，其特征在于，随着所述拉晶过程的推进，不同步骤的炉压逐渐减小。3.根据权利要求2所述的拉晶方法，其特征在于，所述熔接步骤的炉压为450～500Pa；所述引晶步骤的炉压为400～450Pa；所述放肩步骤的炉压为400～450Pa；所述转肩步骤的炉压为300～400Pa；所述等径步骤的炉压为300～400Pa；所述收尾步骤的炉压为300～400Pa。4.根据权利要求2所述的拉晶方法，其特征在于，随着所述拉晶过程的推进，不同步骤的惰性气体流量逐渐减小。5.根据权利要求4所述的拉晶方法，其特征在于，所述熔接步骤的惰性气体流量为120～150slpm；所述引晶步骤的惰性气体流量为100～120slpm；所述放肩步骤的惰性气体流量为100～120slpm；所述转肩步骤的惰性气体流量为100～120slpm；所述等径步骤的惰性气体流量为100～120slpm；所述收尾步骤的惰性气体流量为100～120slpm。6.根据权利要求2所述的拉晶方法，其特征在于，随着所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：万雪健，尚伟泽，白枭龙，欧子杨，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：