一种气密性强的单晶炉炉体结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种气密性强的单晶炉炉体结构，包括底座和承载板，所述底座的顶部与承载板的底部固定连接，承载板顶部的中部固定连接有单晶炉，单晶炉顶部的中部贯穿有气动轴，气动轴的顶部固定连接有连接端口，所述单晶炉正表面的中部固定连接有防护框，并且防护框正表面的左侧固定连接有合页，本实用新型专利技术涉及单晶炉技术领域。该气密性强的单晶炉炉体结构，通可以采用充气式气囊填充凹槽，让单晶炉的密封更加稳定，且通过气压控制气囊的膨胀程度来选择单晶炉的密封状态，实现可控式气密等级，同时也避免了漏气等因密封不够强导致的气密性问题，使整体单晶炉加工使用过程得到保证，避免气体流失，这便于人们使用。这便于人们使用。这便于人们使用。

【技术实现步骤摘要】
一种气密性强的单晶炉炉体结构


[0001]本技术涉及单晶炉
，具体为一种气密性强的单晶炉炉体结构。

技术介绍

[0002]单晶炉是一种在惰性气体(氮气、氦气为主)环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备，单晶炉是用来提纯半导体材料(如硅、锗)、激光材料(如钇铝石榴石)、高纯金属材料(如钨、钼)等使之成为单晶体的电炉，提纯方法有直拉法(Z法)和区熔法(FZ法)两种。直拉法单晶炉通常就称单晶炉。
[0003]现有的单晶炉炉体结构对于密封仅限于使用胶条，而该种胶条密封不够稳定，处于寒冷天气时胶条硬化导致气密性严重下降，而长久使用后胶条拆除麻烦且密封性能流失严重，导致单晶炉工作时其内部气密性流失，极易导致加工遭受影响。

技术实现思路

[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足，本技术提供了一种气密性强的单晶炉炉体结构，解决了上述
技术介绍
中所提出的问题。
[0006](二)技术方案
[0007]为实现以上目的，本技术通过以下技术方案予以实现：一种气密性本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种气密性强的单晶炉炉体结构，包括底座(1)和承载板(2)，所述底座(1)的顶部与承载板(2)的底部固定连接，其特征在于：所述承载板(2)顶部的中部固定连接有单晶炉(3)，并且单晶炉(3)顶部的中部贯穿有气动轴(4)，所述气动轴(4)的顶部固定连接有连接端口(5)，所述单晶炉(3)正表面的中部固定连接有防护框(6)，并且防护框(6)正表面的左侧固定连接有合页(7)，并且合页(7)的另一侧固定连接有柜门(8)，所述柜门(8)右侧的顶部和底部均固定连接有把手(9)，并且把手(9)的一侧固定连接有固定环(10)，所述固定环(10)正表面的中部贯穿有固定螺栓(11)，所述防护框(6)和柜门(8)之间一侧的表面均开设有弧形槽(12)，并且弧形槽(12)位于单晶炉(3)正表面炉口的外表面。2.根据权利要求1所述的一种气密性强的单晶炉炉体结构，其特征在于：所述防护框(6)右侧的表面固定连接有固定杆(13)，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伟，周伟，沈俊，
申请(专利权)人：常州磐云精密机械有限公司，
类型：新型
国别省市：