超级电容充电电路测试方法、装置、设备、计算机及介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种超级电容充电电路测试方法、装置、设备、计算机及介质，该方法包括：在第一测试场景下对第一目标信号进行测试，获取第一测试数据；基于第一测试数据，获取目标超级电容充电电路在第一测试场景下的第一测试结果；其中，第一测试场景下目标超级电容器由断电状态转换为上电状态，并保持上电状态第一预设时长；第一测试数据包括第一目标信号在第一测试场景下第一目标参数的实际值。本发明专利技术提供的超级电容充电电路测试方法、装置、设备、计算机及介质，能对超级电容充电电路充电阶段的工作状态进行更全面、更准确的测试，能为超级电容充电电路的设计与改进提供更准确、更全面的数据支撑。数据支撑。数据支撑。

【技术实现步骤摘要】
超级电容充电电路测试方法、装置、设备、计算机及介质


[0001]本专利技术涉及电子信息
，尤其涉及一种超级电容充电电路测试方法、装置、设备、计算机及介质。

技术介绍

[0002]超级电容充电电路是一种广泛应用于各类电子设备中的后备电源，可以在电子设备出现非正常掉电的情况下，为电子设备中的关键元器件提供断电保护。因此，超级电容充电电路的性能，对于保障电子设备的高可用性和稳定性而言具有重要意义。
[0003]现有技术中的超级电容充电电路测试方法，仅能通过查看电子设备运行日志的方式，判断超级电容充电电路是否在电子设备出现非正常掉电的情况下触发了断电保护，难以对超级电容充电电路的运行状态进行全面测试，进而难以为超级电容充电电路的设计与改进提供数据支撑。因此，如何对超级电容充电电路的运行状态进行更全面地测试，是本领域亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种超级电容充电电路测试方法、装置、设备、计算机及介质，用以解决现有技术中难以对超级电容充电电路的运行状态进行全面测试的缺陷，实现对超级电容充电电路的运行状态进行更全面地测试。
[0005]本专利技术提供一种超级电容充电电路测试方法，用于测试目标超级电容充电电路；所述目标超级电容充电电路包括保护电路、第一MOS管、供电电路、驱动电路、第二MOS管、监测电路和超级电容器；所述第一MOS管的源极与所述保护电路的第一端连接，所述第一MOS管的栅极与控制器连接，所述第一MOS管的漏极分别与所述供电电路的第一端以及所述驱动电路的第一端连接；所述第二MOS管的栅极与所述驱动电路的第二端连接，所述第二MOS管的源极与所述供电电路的第二端连接，所述第二MOS管的漏极与所述监测电路的第一端连接；所述监测电路的第二端与所述超级电容器连接；
[0006]所述方法，包括：
[0007]在第一测试场景下对第一目标信号进行测试，获取所述第一测试数据；
[0008]基于所述第一测试数据，获取所述目标超级电容充电电路在所述第一测试场景下的第一测试结果；
[0009]其中，所述第一测试场景下所述目标超级电容器由断电状态转换为上电状态，并保持上电状态第一预设时长；
[0010]所述第一测试数据包括所述第一目标信号在所述第一测试场景下第一目标参数的实际值；
[0011]所述第一目标信号包括第一信号、第二信号以及第三信号中的至少两个；所述第一信号为由所述控制器输入至所述第一MOS管的栅极的信号；所述第二信号为由所述驱动电路的第二端输入至所述第二MOS管的栅极的信号；所述第三信号为由所述第二MOS管的漏
极输入至所述保护电路的第一端的信号；所述第一目标参数包括开通时间。
[0012]根据本专利技术提供的一种超级电容充电电路测试方法，所述基于所述第一测试数据，获取所述目标超级电容充电电路在所述第一测试场景下的第一测试结果，包括：
[0013]基于所述第一测试数据，判断所述第一MOS管、所述第二MOS管以及所述驱动电路内的元器件中的至少一个的选型是否合适，并将判断结果确定为所述目标超级电容充电电路在所述第一测试场景下的第一测试结果。
[0014]根据本专利技术提供的一种超级电容充电电路测试方法，所述基于所述第一测试数据，判断所述第一MOS管、所述第二MOS管以及所述驱动电路内的元器件中的至少一个的选型是否合适，包括：
[0015]在所述第一目标信号包括所述第一信号和所述第二信号的情况下，基于所述第二信号在第一测试场景下开通时间的实际值，与所述第一信号在第一测试场景下开通时间的实际值之间的差值，判断所述第一MOS管和所述驱动电路中元器件的选型是否合适，
[0016]在所述第一目标信号包括所述第二信号和所述第三信号的情况下，基于所述第三信号在第一测试场景下开通时间的实际值，与所述第二信号在第一测试场景下开通时间的实际值之间的差值，判断所述第二MOS管的选型是否合适，
[0017]在所述第一目标信号仅包括所述第一信号和所述第三信号的情况下，基于所述第三信号在第一测试场景下开通时间的实际值，与所述第一信号在第一测试场景下开通时间的实际值之间的差值，判断所述第一MOS管、所述第二MOS管以及所述驱动电路内的元器件的选型是否合适。
[0018]根据本专利技术提供的一种超级电容充电电路测试方法，所述基于所述第二信号在第一测试场景下开通时间的实际值，与所述第一信号在第一测试场景下开通时间的实际值之间的差值，判断所述第一MOS管和所述驱动电路中元器件的选型是否合适之后，所述方法还包括：
[0019]在确定所述第一MOS管和/或所述驱动电路中元器件的选型不合适的情况下，基于所述第一测试数据，确定所述第一MOS管第三目标参数的目标值；
[0020]基于所述第一MOS管第三目标参数的目标值和所述第一MOS管第三目标参数的实际值，确定所述第一MOS管的选型是否合适；
[0021]在确定所述第一MOS管的选型合适的情况下，确定所述驱动电路中元器件的选型不合适，在确定所述第一MOS管的选型不合适的情况下，基于所述第一MOS管第三目标参数的实际值，确定用于替换所述第一MOS管的MOS管型号；
[0022]其中，所述第三目标参数包括栅极电荷、阈值电压、导通延时时间以及关断延时时间中的至少一个。
[0023]根据本专利技术提供的一种超级电容充电电路测试方法，所述基于所述第三信号在第一测试场景下开通时间的实际值，与所述第二信号在第一测试场景下开通时间的实际值之间的差值，判断所述第二MOS管的选型是否合适之后，所述方法还包括：
[0024]在确定所述第二MOS管的选型不合适的情况下，基于所述第一测试数据，确定所述第二MOS管第三目标参数的目标值；
[0025]基于所述第二MOS管第三目标参数的目标值，确定用于替换所述第二MOS管的MOS管型号；
[0026]其中，所述第三目标参数包括栅极电荷、阈值电压、导通延时时间以及关断延时时间中的至少一个。
[0027]根据本专利技术提供的一种超级电容充电电路测试方法，所述基于所述第一测试数据，获取所述目标超级电容充电电路在所述第一测试场景下的第一测试结果，包括：
[0028]基于所述第二信号开通时间的实际值与所述第一信号开通时间的实际值之间的差值、所述第三信号开通时间的实际值与所述第一信号开通时间的实际值之间的差值以及所述第三信号开通时间的实际值与所述第二信号开通时间的实际值之间的差值中的至少一个，确定所述目标超级电容充电电路在第一测试场景下的工作状态等级，作为所述目标超级电容充电电路在所述第一测试场景下的第一测试结果。
[0029]根据本专利技术提供的一种超级电容充电电路测试方法，还包括：
[0030]在第二测试场景下，对第二目标信号和所述超级电容器进行测试，获取第二测试数据；
[0031]基于所述第二测试数据，获取所述目标超级电容充电电路在第二测试场景下的测试结果；
[0032]其中，所述第二测试场景下目本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超级电容充电电路测试方法，其特征在于，用于测试目标超级电容充电电路；所述目标超级电容充电电路包括保护电路、第一MOS管、供电电路、驱动电路、第二MOS管、监测电路和超级电容器；所述第一MOS管的源极与所述保护电路的第一端连接，所述第一MOS管的栅极与控制器连接，所述第一MOS管的漏极分别与所述供电电路的第一端以及所述驱动电路的第一端连接；所述第二MOS管的栅极与所述驱动电路的第二端连接，所述第二MOS管的源极与所述供电电路的第二端连接，所述第二MOS管的漏极与所述监测电路的第一端连接；所述监测电路的第二端与所述超级电容器连接；所述方法，包括：在第一测试场景下对第一目标信号进行测试，获取所述第一测试数据；基于所述第一测试数据，获取所述目标超级电容充电电路在所述第一测试场景下的第一测试结果；其中，所述第一测试场景下所述目标超级电容充电电路由断电状态转换为上电状态，并保持上电状态第一预设时长；所述第一测试数据包括所述第一目标信号在所述第一测试场景下第一目标参数的实际值；所述第一目标信号包括第一信号、第二信号以及第三信号中的至少两个；所述第一信号为由所述控制器输入至所述第一MOS管的栅极的信号；所述第二信号为由所述驱动电路的第二端输入至所述第二MOS管的栅极的信号；所述第三信号为由所述第二MOS管的漏极输入至所述保护电路的第一端的信号；所述第一目标参数包括开通时间。2.根据权利要求1所述的超级电容充电电路测试方法，其特征在于，所述基于所述第一测试数据，获取所述目标超级电容充电电路在所述第一测试场景下的第一测试结果，包括：基于所述第一测试数据，判断所述第一MOS管、所述第二MOS管以及所述驱动电路内的元器件中的至少一个的选型是否合适，并将判断结果确定为所述目标超级电容充电电路在所述第一测试场景下的第一测试结果。3.根据权利要求2所述的超级电容充电电路测试方法，其特征在于，所述基于所述第一测试数据，判断所述第一MOS管、所述第二MOS管以及所述驱动电路内的元器件中的至少一个的选型是否合适，包括：在所述第一目标信号包括所述第一信号和所述第二信号的情况下，基于所述第二信号在第一测试场景下开通时间的实际值，与所述第一信号在第一测试场景下开通时间的实际值之间的差值，判断所述第一MOS管和所述驱动电路中元器件的选型是否合适，在所述第一目标信号包括所述第二信号和所述第三信号的情况下，基于所述第三信号在第一测试场景下开通时间的实际值，与所述第二信号在第一测试场景下开通时间的实际值之间的差值，判断所述第二MOS管的选型是否合适，在所述第一目标信号仅包括所述第一信号和所述第三信号的情况下，基于所述第三信号在第一测试场景下开通时间的实际值，与所述第一信号在第一测试场景下开通时间的实际值之间的差值，判断所述第一MOS管、所述第二MOS管以及所述驱动电路内的元器件的选型是否合适。4.根据权利要求3所述的超级电容充电电路测试方法，其特征在于，所述基于所述第二信号在第一测试场景下开通时间的实际值，与所述第一信号在第一测试场景下开通时间的
实际值之间的差值，判断所述第一MOS管和所述驱动电路中元器件的选型是否合适之后，所述方法还包括：在确定所述第一MOS管和/或所述驱动电路中元器件的选型不合适的情况下，基于所述第一测试数据，确定所述第一MOS管第三目标参数的目标值；基于所述第一MOS管第三目标参数的目标值和所述第一MOS管第三目标参数的实际值，确定所述第一MOS管的选型是否合适；在确定所述第一MOS管的选型合适的情况下，确定所述驱动电路中元器件的选型不合适，在确定所述第一MOS管的选型不合适的情况下，基于所述第一MOS管第三目标参数的实际值，确定用于替换所述第一MOS管的MOS管型号；其中，所述第三目标参数包括栅极电荷、阈值电压、导通延时时间以及关断延时时间中的至少一个。5.根据权利要求3所述的超级电容充电电路测试方法，其特征在于，所述基于所述第三信号在第一测试场景下开通时间的实际值，与所述第二信号在第一测试场景下开通时间的实际值之间的差值，判断所述第二MOS管的选型是否合适之后，所述方法还包括：在确定所述第二MOS管的选型不合适的情况下，基于所述第一测试数据，确定所述第二MOS管第三目标参数的目标值；基于所述第二MOS管第三目标参数的目标值，确定用于替换所述第二MOS管的MOS管型号；其中，所述第三目标参数包括栅极电荷、阈值电压、导通延时时间以及关断延时时间中的至少一个。6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕泽华，
申请(专利权)人：苏州浪潮智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：