【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】JMZ
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12,沸石的无序AEI/CHA家族,其合成和用途
[0001]本专利技术涉及一种制备合成晶体材料的方法。具体地讲,本专利技术涉及一种制备命名为JMZ
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12的合成材料的方法以及它们的合成和它们在催化剂组合物中的用途,该合成材料具有由无序AEI和CHA结构构成的结构。
技术介绍
[0002]沸石是由通过氧原子在其顶点连接的重复SiO4和AlO4四面体单元构成的晶体或准晶体铝硅酸盐。四面体单元和它们的连接形成各种结构单元,该结构单元可以以多种方式布置以形成分子骨架,也称为拓扑结构。以规则和重复方式连接这些骨架产生分子维度的晶体内腔和通道,并且因此在沸石中产生微孔隙度。由规则重复这些分子骨架产生的空间关系也产生不同的晶体形态。更一般地,其他四面体结构诸如磷酸盐可与AlO4和任选的SiO4组合使用以形成其他类型的分子筛诸如硅铝磷酸盐(SAPO)或铝磷酸盐(AlPO)。
[0003]许多类型的合成沸石已被合成,并且各自具有基于其四面体单元的具体排列的一种或多种独特骨架。按照惯例,国际沸石协会(IZA)为每种骨架类型指定独特的三字母代码(例如,“CHA”和“AEI”)。这些沸石可以是有序的或无序的。有序沸石(例如,规则晶体固体)是在3维中周期性有序的晶体结构。这些结构基于它们的重复周期性结构单元(PerBU)分类,并且如果在所有三个维度上发生周期性排序,则可以被称为“端构件结构”。另一方面,无序分子筛显示出维度小于3,例如0、1或2维的周期性排序。在无序结构中,PerBU的堆 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于合成沸石的方法,所述方法包括在晶化条件下加热反应混合物持续足够的时段以形成具有CHA和AEI拓扑结构两者的无序沸石的步骤,其中所述反应混合物包含:a.至少一种铝源,b.至少一种硅源,c.碱或碱土阳离子源,d.结构导向剂,所述结构导向剂包含摩尔比为约0.20至约1.4的至少一种季铵阳离子源和至少一种烷基取代的哌啶鎓阳离子源,和e.基本上不含卤化物。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述季铵源是四乙基氢氧化铵,并且所述烷基取代的哌啶鎓源是N,N
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二甲基
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3,5
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二甲基哌啶鎓氢氧化物。3.根据权利要求1所述的方法,其中所述反应混合物基本上不含磷。4.根据权利要求1所述的方法,其中所述反应混合物具有以下摩尔组成:a.SiO2/Al2O3比率为约10至约100,优选约55和至约75;b.X2O/SiO2比率(X=Na、K、Cs、Li)为约0.01至约0.5,优选约0.01至约0.3;c.SDA/SiO2比率为约0.01至约0.5,优选约0.05至约0.2;d.OH/SiO2比率为约0.1至约0.9,优选约0.6至0.8;e.H2O/SiO2比率为约3至约25,优选约5至约15。5.根据权利要求1所述的方法,所述方法还包括在含氧气氛中进行的后续煅烧步骤。6.根据权利要求1所述的方法合成的无序沸石,其中CHA和AEI拓扑结构是主相,并且所述CHA和AEI拓扑结构以约95:5至约5:95的摩尔比存在。7.一种无序沸石,所述无序沸石包括:a.CHA和AEI拓扑结构的主相,其中所述CHA和AEI拓扑结构以约95:5至约5:95的摩尔比存在;和b.小于0.5微米的d50晶体尺寸。8.根据权利要求7所述的无序沸石,所述无序沸石具有约0.05微米至约0.25微米的d50晶体尺寸,以及小于0.5微米的d90晶体尺寸。9.根据权利要求8所述的无序沸石,其中所述无序沸石是AEI和CHA拓扑结构的共生物。10.根据权利要求9所述的无序沸石,其中所述无序沸石具有约10至约25的主体二氧化硅与氧化铝之比(SAR)值。11.根据权利要求10所述的无序沸石,其中所述无序沸石具有至约10nm深度的表面层SAR,所述表面层SAR为所述主体SAR的约40%至约95%。12.一种无序沸石,所述无序沸石包括:a.CHA和AEI拓扑结构的主相,其中所述CHA和AEI拓扑结构以约95:5至约5:...
【专利技术属性】
技术研发人员:卡内沙林姆,
申请(专利权)人:庄信万丰股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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