晶片研削方法及晶片研削机技术

本发明专利技术属于晶片研削技术领域，公开了一种晶片研削方法及晶片研削机，该晶片研削方法包括：承片台位于上料位置，位于上料位置的承片台和磨轮沿第一水平方向间隔排列，将晶片放置于承片台上，并使晶片的中心位于承片台的轴线上；根据晶片的尺寸选择相适配的磨轮；驱动承片台沿第一水平方向移动第二预设距离，第二预设距离被选取为等于位于上料位置的承片台的轴线与磨轮的轴线的间距减去磨轮的半径的差值。由于本发明专利技术中的承片台的行程能够根据磨轮的尺寸自动调整，而无需由工作人员反复调试，从而省去了工作人员反复调试承片台的行程的过程，省时省力，进而能够提高生产效率。进而能够提高生产效率。进而能够提高生产效率。

【技术实现步骤摘要】
晶片研削方法及晶片研削机


[0001]本专利技术涉及晶片研削
，尤其涉及一种晶片研削方法及晶片研削机。

技术介绍

[0002]在半导体生产过程中，晶片的研削一般通过晶片研削机进行。现有技术中具有多种晶片研削工艺，其中一种为TAIKO研削工艺，具体地，在对晶片进行研削时，晶片的研削面上预设有环形区域，环形区域沿晶片的周向位于晶片的边缘处，磨轮在环形区域内进行研削，以减薄晶片，完成研削后，晶片的表面会形成凸起，凸起沿晶片的周向位于晶片的边缘处。
[0003]基于上述，用于对晶片进行TAIKO研削的晶片研削机包括主轴和承片台，主轴上安装有磨轮，磨轮的直径等于晶片的半径减去环形区域的宽度，晶片放置于承片台上，且晶片的中心位于承片台的轴线上，承片台能够由上料位置移动至研削位置，当承片台位于研削位置时，承片台的轴线与磨轮的外缘相切，由于磨轮的直径等于晶片的半径减去环形区域的宽度，因此磨轮在沿竖直方向下降并抵压晶片后，磨轮的外缘与晶片的外缘沿晶片的径向的最大间距等于晶片的半径，磨轮的外缘与晶片的外缘沿晶片的径向的最小间距等于晶片上的环形区域沿晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.晶片研削方法，晶片（100）的研削面预设有环形区域（110），所述环形区域（110）沿所述晶片（100）的周向位于所述晶片（100）的边缘处，所述晶片研削方法包括：承片台（1）位于上料位置，位于所述上料位置的所述承片台（1）和磨轮（3）沿第一水平方向间隔排列，将晶片（100）放置于所述承片台（1）上，并使所述晶片（100）的中心位于所述承片台（1）的轴线上；根据所述晶片（100）的尺寸选择相适配的磨轮（3），所述磨轮（3）的直径等于所述晶片（100）的半径减去第一预设距离的差值，所述第一预设距离被选取为等于所述环形区域（110）沿所述晶片（100）的径向的宽度；其特征在于，所述晶片研削方法还包括：驱动所述承片台（1）沿所述第一水平方向移动第二预设距离，所述第二预设距离被选取为等于位于所述上料位置的所述承片台（1）的轴线与所述磨轮（3）的轴线的间距减去所述磨轮（3）的半径的差值。2.根据权利要求1所述的晶片研削方法，其特征在于，通过伺服电机驱动所述承片台（1）移动所述第二预设距离。3.根据权利要求2所述的晶片研削方法，其特征在于，通过编码器记录所述伺服电机的活动端的角位移。4.晶片研削机，采用如权利要求1
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3任意一项所述的晶片研削方法研削晶片（100），其特征在于，所述晶片研削机包括：承片台（1），被配置为承载所述晶片（100）；主轴（2），端部可拆卸地安装有磨轮（3），所述磨轮（...

【专利技术属性】
技术研发人员：高阳，沈海丽，孙志超，朱慧家，徐基应，周旭平，
申请(专利权)人：江苏京创先进电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：