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一种抗裂纹的半导体晶圆激光切割装置及切割方法制造方法及图纸

技术编号:38990189 阅读:6 留言:0更新日期:2023-10-07 10:20
本发明专利技术公开了一种抗裂纹的半导体晶圆激光切割装置及切割方法,具体涉及激光切割领域,包括主体机构,主体机构的顶部固定安装有移动机构,移动机构的顶部固定连接有吸附机构,吸附机构的顶部设有调节机构,吸附机构包括集气仓,集气仓的外壁连通设有多个第一通管,多个第一通管的外壁都滑动安装有第二通管,且多个第二通管的顶部都连通设有吸盘,集气仓的底部连通设有第三通管,第三通管的一端固定连接有第四通管。本发明专利技术通过使底部不平整的晶圆对第二伸缩弹簧压持,使其发生弹性形变带动第一承托架和第二承托架发生偏斜即可辅助对晶圆进行托举,从而使得一部分吸盘吸附固定在其底部,进而保持晶圆在被切割时的稳定性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
一种抗裂纹的半导体晶圆激光切割装置及切割方法


[0001]本专利技术涉及激光切割
,更具体地说,本专利技术涉及一种抗裂纹的半导体晶圆激光切割装置及切割方法。

技术介绍

[0002]在电子产品中,晶圆(也称为切片或基板)是半导体的薄片,例如晶体硅(c

Si),用于制造集成电路,在光伏器件中用于制造太阳能电池。晶圆用作内置于晶圆内和晶圆上的微电子设备的基板。它经历了许多微加工过程,例如掺杂、离子注入、蚀刻、各种材料的薄膜沉积和光刻图案化。最后,单个微电路通过晶圆切割分离并封装为集成电路。
[0003]中国专利技术专利CN202211410609.7公开了一种半导体晶圆激光切割装置及方法,在本申请中具体的通过设置第一螺杆带动滑座沿着收容槽移动,使得滑台沿着导轨在壳体内进出实现对晶圆进行上下料,进入到壳体内部时被位于壳体内部的激光头进行激光切割加工,其中在第一螺杆带动滑座进入到壳体内时,滑座内部的齿环在收容槽内侧壁设置的一段齿条的作用下进行转动,进而带动第二螺杆进行转动,带动活塞板在负压孔中进行下降,实现对负压孔上方空间产生负压。采用负压吸附对晶圆进行加工时的固定,可以有以下好处一方面可以对不规则的凹状或者凸状的晶圆进行吸附固定,另一方面由于与晶圆解除的部分为柔性材料,避免原有夹持对晶圆造成损伤。
[0004]然而采用这种方式对晶圆进行吸附固定时,无法适用于不同尺寸的晶圆,且当晶圆底部为倾斜形态的不规则结构时,通过该装置中所设置的负压孔无法与晶圆底部进行平整接触,且在接触时也与晶圆之间存在接触范围小,和支撑性差的问题,进而极易导致在切割过程中,使得晶圆发生晃动,继而影响切割质量,不便于实际使用,所以本专利技术提出了一种抗裂纹的半导体晶圆激光切割装置来解决上述问题。

技术实现思路

[0005]为了克服现有技术的上述缺陷,本专利技术的实施例提供一种抗裂纹的半导体晶圆激光切割装置及切割方法,通过使底部不平整的晶圆对第二伸缩弹簧压持,使其发生弹性形变带动第一承托架和第二承托架发生偏斜即可辅助对晶圆进行托举,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种抗裂纹的半导体晶圆激光切割装置,包括主体机构,所述主体机构的顶部固定安装有移动机构,所述移动机构的顶部固定连接有吸附机构,所述吸附机构的顶部设有调节机构;
[0007]所述吸附机构包括集气仓,所述集气仓的外壁连通设有多个第一通管,多个所述第一通管的外壁都滑动安装有第二通管,且多个所述第二通管的顶部都连通设有吸盘,所述集气仓的底部连通设有第三通管,所述第三通管的一端固定连接有第四通管,所述第四通管的内腔插接有活塞杆,所述活塞杆延伸出第四通管的一端固定安装有定位座,所述调节机构包括固定安装在集气仓顶部的第一托板,所述第一托板的内部开设有多个第二滑
槽,多个所述第二滑槽的内腔都滑动安装有限位型滑块,多个所述第二通管都固定安装在限位型滑块的内部,所述第一托板的外表固定安装有多个第二托板,多个所述第二托板的顶部都固定安装有第二伸缩弹簧,所述第二伸缩弹簧的顶部固定安装有第一承托架,所述第一承托架的两侧都固定安装有第二承托架。
[0008]在一个优选地实施方式中,多个所述第二通管和吸盘都围绕集气仓的外圆周表面呈环形依次等距状态布置,多个所述第二托板都围绕第一托板的外圆周表面呈环形依次等距状态布置,且每个所述吸盘都设置在两个相邻的第二托板之间。
[0009]在一个优选地实施方式中,所述第一托板的顶部转动安装有第一齿轮盘,所述第一齿轮盘的内部开设有多个呈贯穿状布置的弧形限位槽,且多个所述弧形限位槽的内腔都滑动安装有与限位型滑块相固定连接的定位杆,多个所述第二托板的顶部都固定安装有第一橡胶垫,所述第一齿轮盘的顶部固定安装有第二橡胶垫。
[0010]在一个优选地实施方式中,所述第一托板的顶部转动安装有第二齿轮盘,所述第二齿轮盘与第一齿轮盘之间呈相互啮合状态设置,且所述第二齿轮盘的底部固定连接有用于驱动其进行转动的电机。
[0011]在一个优选地实施方式中,所述第二通管的内壁上开设有第一滑槽,所述第一通管的外壁上固定安装有密封性滑套,所述密封性滑套的一侧固定安装有第一伸缩弹簧,所述第一伸缩弹簧套设在第一通管的外壁并与第二通管相固定连接。
[0012]在一个优选地实施方式中,所述主体机构包括底座,所述底座的顶部固定安装有支撑架,所述支撑架的底部固定安装有激光切割机,所述移动机构包括固定安装在底座顶部的限位型滑道,所述限位型滑道的顶部固定安装有限位型滑杆,所述限位型滑杆的外壁滑动安装有承托型滑座,所述承托型滑座的内部固定安装有承托块,所述承托块的一端固定安装有与集气仓相固定连接的承托座,所述定位座固定安装在底座的顶部。
[0013]在一个优选地实施方式中,一种抗裂纹的半导体晶圆激光切割装置的切割方法,具体操作步骤如下:
[0014]第一步、首先将晶圆放置在第一承托架和第二承托架的顶部,根据晶圆自身重量压持第二伸缩弹簧发生变形,使得第一承托架、第二承托架根据晶圆底部结构发生偏转而贴合在其底部,完成对晶圆底部限位支撑的工作;
[0015]第二步、根据晶圆大小启动电机带动第二齿轮盘转动,继而使得第一齿轮盘转动,进而同步使得多个限位型滑块通过定位杆滑动在弧形限位槽的内腔而使其位置发生调节,直至多个限位型滑块同步带动多个吸盘贴合在晶圆的底部停止电机;
[0016]第三步、通过推动承托型滑座整体,使得承托型滑座整体向激光切割机底部方向移动时,第四通管同步移动在活塞杆的外壁,使得集气仓内腔气体经由第三通管被抽取进第四通管的内腔,与此同时,与晶圆底部接触部分的吸盘内部产生负压,继而将晶圆进行稳定限位吸附;
[0017]第四步、承托型滑座整体带动晶圆移动至激光切割机的底部后,通过启动激光切割机即可对放置在第一承托架和第二承托架顶部的晶圆进行切割处理。
[0018]本专利技术的技术效果和优点:
[0019]1、本专利技术通过将底部不平整的晶圆放置在第二承托架和第一承托架的顶部时,通过第二伸缩弹簧的弹性形变带动第一承托架和第二承托架发生偏斜即可辅助对晶圆进行
托举,从而针对底部为异形结构的晶圆使用时,可使得一部分吸盘吸附固定在其底部,进而保持晶圆在被切割时的稳定性,不会轻易发生位移;
[0020]2、本专利技术通过转动第一齿轮盘使得弧形限位槽发生位移偏转时,则可使得定位杆顺着弧形限位槽的内部轨迹进行移动,继而使得限位型滑块整体滑动在第二滑槽的内部,即可使得多个第二通管带动吸盘之间相互远离移动,继而针对不同大小的晶圆使用时,可便捷的对多个吸盘的安装距离进行调节,使用起来更加便捷。
附图说明
[0021]图1为本专利技术的整体结构示意图。
[0022]图2为本专利技术的轴侧结构示意图。
[0023]图3为本专利技术吸附机构和调节机构的局部结构示意图。
[0024]图4为本专利技术图3的A部结构放大图。
[0025]图5为本专利技术吸附机构和本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗裂纹的半导体晶圆激光切割装置,包括主体机构(1),所述主体机构(1)的顶部固定安装有移动机构(2),所述移动机构(2)的顶部固定连接有吸附机构(3),所述吸附机构(3)的顶部设有调节机构(4);其特征在于:所述吸附机构(3)包括集气仓(31),所述集气仓(31)的外壁连通设有多个第一通管(32),多个所述第一通管(32)的外壁都滑动安装有第二通管(33),且多个所述第二通管(33)的顶部都连通设有吸盘(34),所述集气仓(31)的底部连通设有第三通管(35),所述第三通管(35)的一端固定连接有第四通管(36),所述第四通管(36)的内腔插接有活塞杆(37),所述活塞杆(37)延伸出第四通管(36)的一端固定安装有定位座(38),所述调节机构(4)包括固定安装在集气仓(31)顶部的第一托板(41),所述第一托板(41)的内部开设有多个第二滑槽(42),多个所述第二滑槽(42)的内腔都滑动安装有限位型滑块(43),多个所述第二通管(33)都固定安装在限位型滑块(43)的内部,所述第一托板(41)的外表固定安装有多个第二托板(44),多个所述第二托板(44)的顶部都固定安装有第二伸缩弹簧(45),所述第二伸缩弹簧(45)的顶部固定安装有第一承托架(46),所述第一承托架(46)的两侧都固定安装有第二承托架(47)。2.根据权利要求1所述的一种抗裂纹的半导体晶圆激光切割装置,其特征在于:多个所述第二通管(33)和吸盘(34)都围绕集气仓(31)的外圆周表面呈环形依次等距状态布置,多个所述第二托板(44)都围绕第一托板(41)的外圆周表面呈环形依次等距状态布置,且每个所述吸盘(34)都设置在两个相邻的第二托板(44)之间。3.根据权利要求2所述的一种抗裂纹的半导体晶圆激光切割装置,其特征在于:所述第一托板(41)的顶部转动安装有第一齿轮盘(48),所述第一齿轮盘(48)的内部开设有多个呈贯穿状布置的弧形限位槽(49),且多个所述弧形限位槽(49)的内腔都滑动安装有与限位型滑块(43)相固定连接的定位杆(410),多个所述第二托板(44)的顶部都固定安装有第一橡胶垫(413),所述第一齿轮盘(48)的顶部固定安装有第二橡胶垫(414)。4.根据权利要求3所述的一种抗裂纹的半导体晶圆激光切割装置,其特征在于:所述第一托板(41)的顶部转动安装有第二齿轮盘(411),所述第二齿轮盘(411)与第一齿轮盘(48)之间呈相互啮合状态设置,且所述第二齿轮盘(411)的...

【专利技术属性】
技术研发人员:周德保
申请(专利权)人:周德保
类型:发明
国别省市:

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