太阳电池涂布片的不良返工方法和制备太阳电池的方法技术

本发明专利技术提供太阳电池涂布片的不良返工方法和制备太阳电池的方法，所述太阳电池涂布片包括基片以及设在所述基片相对两个表面上的感光胶层，所述方法包括：将太阳电池涂布片进行一次显影，以去除基片表面的感光胶层，得到基片；将经过所述一次显影后的基片进行一次水洗，以去除显影液；将经过所述一次水洗后的基片放到清洗液中，进行超声清洗，以去除所述基片表面的残胶，得到待涂布基片。由此，本发明专利技术的返工方法可以将不良的太阳电池涂布片返工到未涂布的基片状态，可以彻底去除涂布不良的感光胶层，不会在基片表面残留杂质，使其可供重复利用，提升了返工的良率，降低了由于涂布不良带来的成本增加的问题。良带来的成本增加的问题。良带来的成本增加的问题。

【技术实现步骤摘要】
太阳电池涂布片的不良返工方法和制备太阳电池的方法


[0001]本专利技术属于太阳电池
，具体涉及太阳电池涂布片的不良返工方法和制备太阳电池的方法。

技术介绍

[0002]铜互连太阳电池技术是目前光伏行业最前沿热门的技术之一。目前由于铜互连技术不成熟，产线产生的制程不良较多，现有涂布不良返工主要通过显影液来去除种子层表面的感光胶层，由于不良片长期放置于环境中集中返工处理，会存在感光胶中成分发生老化变性和失效等问题，导致感光胶与铜种子层难以剥离去除，这种直接通过显影返工方法得到的片子中铜种子层表面会存在大量附着的残胶难以清理去除，这种返工方法得到的返工品再次进行生产时容易对制程工艺产生影响，影响涂布网版寿命、未去除的残胶会依旧存在在曝光显影后凹槽底部对后续电镀产生影响、从而导致断栅等问题，严重影响制程良率，返工效果不佳。
[0003]因此，有必要对太阳电池涂布片的不良返工工艺进行改进。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少在一定程度上改善上述技术问题的至少之一。
[0005]为改善上述技术问题，本专利技术提供一种太阳电池涂布片的不良返工方法，所述太阳电池涂布片包括基片以及设在所述基片相对两个表面上的感光胶层；所述方法包括：将太阳电池涂布片进行一次显影，以去除基片表面的感光胶层，得到基片；将经过所述一次显影后的基片进行一次水洗，以去除显影液；将经过所述一次水洗后的基片放到清洗液中，进行超声清洗，以去除所述基片表面的残胶，得到待涂布基片。由此，本专利技术的返工方法可以将不良的太阳电池涂布片返工到未涂布的基片状态，可以彻底去除涂布不良的感光胶层，不会在基片表面残留杂质，改善了返工后种子层表面存在大量难以去除的残胶的问题，既能深度清理铜种子层表面的残胶，同时又能避免铜种子层表面受到损伤，可有效去除附着在铜种子层表面的亚微米级的残胶及颗粒物，使其可供重复利用，能有效提高返工片的生产良率，可以降低生产成本。
[0006]根据本专利技术的实施例，所述感光胶层为负性感光胶。由此，在去除感光胶层时不需要进行曝光，将具有负性感光胶层的太阳电池涂布片直接置于显影液中，便可去除感光胶层，操作简单方便，省去了曝光的流程。
[0007]根据本专利技术的实施例，所述清洗液包括表面活性剂。由此，可以降低铜种子层表面的残胶与铜种子层间的附着力，有利于残胶的去除。
[0008]根据本专利技术的实施例，所述表面活性剂为非离子表面活性剂。由此，可以高效的去除基片表面的残胶。
[0009]根据本专利技术的实施例，所述清洗液中表面活性剂的体积浓度为1.5％
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5％。在该浓度范围内，有利于去除基片表面的残胶。
[0010]根据本专利技术的实施例，所述超声清洗的超声频率为30KHz
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120KHz。在该超声频率范围内，有利于去除基片表面的残胶，提高基片表面的洁净度，提高返工良率。
[0011]根据本专利技术的实施例，所述清洗液的温度为30℃
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50℃。在该温度范围内，有利于去除基片表面的残胶，提高基片表面的洁净度，提高返工良率。
[0012]根据本专利技术的实施例，在超声清洗之后，所述方法还包括：重复所述一次显影和所述一次水洗的步骤；其中，所述一次显影和所述一次水洗的重复次数大于等于1次。由此，可以进一步提高返工良率。
[0013]根据本专利技术的实施例，在超声清洗之后，所述方法还包括：将所述待涂布基片进行二次显影；将经过所述二次显影后的基片进行二次水洗；将经过所述二次水洗后的基片进行烘干。
[0014]根据本专利技术的实施例，所述方法在显影设备中进行；所述一次显影的温度为30
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35℃，所述一次显影的显影液为Na2CO3溶液，所述一次显影的显影液的浓度为10～15g/L；所述二次显影的温度为30
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35℃，所述二次显影的显影液为Na2CO3溶液，所述二次显影的显影液的浓度为10～15g/L；所述太阳电池涂布片在显影机中通过滚轮链式传输，所述二次显影的带速大于等于所述一次显影的带速。
[0015]本专利技术还提供一种制备太阳电池的方法，所述方法包括：回收太阳电池涂布片；采用前文所述的不良返工方法对所述太阳电池涂布片进行处理，获得待涂布基片；在所述待涂布基片的相对两个表面上重新涂布感光胶层。由于使用本专利技术方法对涂布不良的太阳电池涂布片进行返工具有较高的返工良率，得到的基片表面具有较高的清洁度，可以进一步提高利用返工后基片制备太阳电池的良率，进一步降低了生产成本。
附图说明
[0016]图1是太阳电池涂布片的结构示意图；
[0017]图2是本专利技术一个实施例中，太阳电池涂布片的不良返工方法流程图；
[0018]图3是具有正性感光胶层的结构在曝光显影前和曝光显影后的结构示意图；
[0019]图4是具有负性感光胶层的结构在曝光显影前和曝光显影后的结构示意图；
[0020]图5是本专利技术另一个实施例中，太阳电池涂布片的不良返工方法流程图；
[0021]图6是太阳电池的结构示意图；
[0022]图7是实施例1
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7返工后的铜种子层表面的照片；
[0023]图8是实施例1返工后的铜种子层表面的SEM图；
[0024]图9是对比例1返工后的铜种子层表面的照片；
[0025]图10是对比例1返工后的铜种子层表面的SEM图。
[0026]附图标记说明
[0027]100
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基片，110
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第一铜种子层，120
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第一透明导电层，130
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N型非晶硅层，140
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第一本征非晶硅层，150
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N型晶体硅，160
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第二本征非晶硅层，170
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P型非晶硅层，180
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第二透明导电层，190
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第二铜种子层，200
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感光胶层，300
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铜栅线，400
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锡保护层，10
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基底，20
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正性感光胶层，30
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负性感光胶层，40
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掩膜版。
具体实施方式
[0028]下面详细描述本专利技术的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
[0029]针对涂布不良的太阳电池涂布片，传统的返工方法是将涂布不良的太阳电池涂布片直接正常进行显影，去除表面覆盖的感光胶。然而，现有的返工方法存在返工后基片上有大量残胶、返工良率较低的问题，返工效果不佳。
[0030]本专利技术提供一种太阳电池涂布片的不良返工方法，参考图1，所述太阳电池涂布片包括基片100以及设在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳电池涂布片的不良返工方法，其特征在于，所述太阳电池涂布片包括基片以及设在所述基片相对两个表面上的感光胶层；所述方法包括：将太阳电池涂布片进行一次显影，以去除基片表面的感光胶层，得到基片；将经过所述一次显影后的基片进行一次水洗，以去除显影液；将经过所述一次水洗后的基片放到清洗液中，进行超声清洗，以去除所述基片表面的残胶，得到待涂布基片。2.根据权利要求1所述的不良返工方法，其特征在于，所述感光胶层为负性感光胶。3.根据权利要求1所述的不良返工方法，其特征在于，所述清洗液包括表面活性剂。4.根据权利要求3所述的不良返工方法，其特征在于，所述表面活性剂为非离子表面活性剂；所述清洗液中表面活性剂的体积浓度为1.5％
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5％。5.根据权利要求1所述的不良返工方法，其特征在于，所述超声清洗的超声频率为30KHz
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120KHz。6.根据权利要求1所述的不良返工方法，其特征在于，所述清洗液的温度为30℃
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50℃。7.根据权利要求1所述的不良返工方法，其特征在于，在超声清洗之后，所述方法还包括：重复所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张乔林，
申请(专利权)人：通威太阳能成都有限公司，
类型：发明
国别省市：