低介电聚芳醚腈复合材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及低介电聚芳醚腈复合材料及其制备方法，属于高分子介电材料技术领域。本发明专利技术解决的技术问题是提供一种工艺可控性好的低介电聚芳醚腈复合材料的制备方法。该方法通过引入中空玻璃微珠，并对其表面进行有机化改性处理，获得了具有核壳结构的功能化填料；将电负性较强的三氟甲基基团引入聚芳醚腈中，制备出聚芳醚腈复合材料。该材料不仅具有较低的介电常数和介电损耗，还表现出良好的热力学性能，填料与基体树脂之间的相容性和分散性较好，制备的复合材料具有更好的力学性能，可用于5G通信技术领域，进一步拓展其在电子材料领域的用途。且本发明专利技术方法简单可控，适用于工业化大生产。化大生产。化大生产。

【技术实现步骤摘要】
低介电聚芳醚腈复合材料及其制备方法


[0001]本专利技术涉及低介电聚芳醚腈复合材料及其制备方法，属于高分子介电材料


技术介绍

[0002]早期的中低介电材料的介电常数(ε)为3.3<ε<20，目前低介电材料的介电常数为2.2<ε<3.3。随着5G通信技术的成熟，对低介电材料的要求也越来越高，要求介电常数小于2.2，使其能应用于超低介电常数领域。作为特种工程塑料，聚芳醚腈在室温、高频(1GHz)环境下的介电常数在3.3左右，介电损耗约4
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‑3，无法满足低介电材料的要求，需要进一步改进。
[0003]专利CN109776847A公开了一种具有双峰泡孔结构的低介电聚芳醚腈泡沫材料、制备方法及用途，以纳米SiO2作为异相成核剂，通过间歇式超临界流体发泡方式利用PEN本体均相成核和纳米SiO2粒子异相成核共同作用，获得了具有双峰泡孔结构的PEN泡沫材料。通过大泡孔降低材料介电常数，小泡孔提供较好的力学性能。
[0004]专利CN11010本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.低介电聚芳醚腈复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：a、制备C
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FPEN@HGB填料：HGB的乙醇分散液与C
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FPEN树脂溶液混合，40～60℃下搅拌反应4～8h，然后经过溶剂回收、洗涤干燥，得到C
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FPEN@HGB填料，所述C
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FPEN树脂为含羧基的氟化聚芳醚腈树脂；所述HGB为中空玻璃微珠；b、制备低介电聚芳醚腈复合材料：C
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FPEN@HGB填料、含氟聚芳醚腈树脂和NMP溶剂混匀，得到复合溶液；将复合溶液倒入水中沉淀，将沉淀洗涤、干燥，得到低介电聚芳醚腈复合材料。2.根据权利要求1所述的低介电聚芳醚腈复合材料的制备方法，其特征在于：所述C
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FPEN树脂的结构式为：其中，m为0.7～0.9，n为0.1～0.3，x为20～200。3.根据权利要求1所述的低介电聚芳醚腈复合材料的制备方法，其特征在于：C
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FPEN树脂的合成方法为：将二元酚和2,6
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二氯苯腈加到NMP溶剂中溶解，再加入碳酸钾和甲苯在170～180℃脱水，升温至200～210℃聚合反应，后处理得到C
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FPEN树脂，所述二元酚为酚酞啉和双酚AF。4.根据权利要求1所述的低介电聚芳醚腈复合材料的制备方法，其特征在于：以二元酚重量...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘雪宇，谭又宁，李梁萌，刘江，
申请(专利权)人：四川能投川化新材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：