阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置制造方法及图纸

本申请公开了阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置，属于显示技术领域。阵列基板包括：衬底基板，以及在衬底基板上依次排布的第一发光层和第二发光层；在阵列基板中的至少一个子像素区域内，第一发光层发出第一亮度的光，第二发光层发出第二亮度的光或不发光，第二亮度小于第一亮度。该阵列基板降低了第二发光层的发光亮度，从而降低阵列基板的功耗。从而降低阵列基板的功耗。从而降低阵列基板的功耗。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置


[0001]本申请涉及显示
，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置。

技术介绍

[0002]随着显示技术的发展，各种显示装置正在被广泛使用。显示装置包括：显示面板、驱动器、供电单元等部分。显示面板由盖板叠加阵列基板构成。
[0003]在相关技术中，阵列基板中包括两层发光层，但是阵列基板中的两层发光层在一个子像素区域内均发光，通过滤光器实现不同的发光效果，两层发光层同时发光使得阵列基板功耗较大。

技术实现思路

[0004]本申请实施例提供了一种阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置，可用于解决相关技术中存在的问题。所述技术方案如下：
[0005]一方面，本申请实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底基板，以及在所述衬底基板上依次排布的第一发光层和第二发光层；
[0006]在所述阵列基板中的至少一个子像素区域内，所述第一发光层发出第一亮度的光，所述第二发光层发出第二亮度的光或不发光，所述第二亮度小于所述第一亮度。
[0007]另一方面，提供了一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法用于上述阵列基板，所述方法包括：
[0008]在第一电极层远离所述衬底基板一侧沉积多层无机材料形成多叠层无机膜，所述多叠层无机膜经图案化工艺后制成所需形状，且所述多叠层无机膜各个膜层的厚度与发光器件的结构相关；
[0009]在所述多叠层无机膜远离所述第一电极层一侧沉积至少两层发光器件；
[0010]在封装后的发光器件远离所述多叠层无机膜一侧设置滤光器。
[0011]本申请实施例提供的技术方案至少带来如下有益效果：
[0012]本申请实施例提供的技术方案，阵列基板的两层发光层中第二发光层发出的光的亮度小于第一发光层发出的光的亮度，通过降低第二发光层的发光亮度，从而能够降低阵列基板的功耗。此外，在第二发光层不发光的情况下，第二发光层不发光的子像素区域内剩余第一发光层发光，从而能够省去第二发光层不发光区域的滤光器，进而降低阵列基板制造的成本。
附图说明
[0013]为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他
的附图。
[0014]图1是本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0015]图2是本申请实施例提供的一种像素界定层的结构示意图；
[0016]图3是本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0017]图4是本申请实施例提供的一种阴穿现象的现象示意图；
[0018]图5是本申请实施例提供的一种阴穿现象的现象示意图；
[0019]图6是本申请实施例提供的一种发光器件电路的结构示意图；
[0020]图7是本申请实施例提供的一种像素界定层的结构示意图；
[0021]图8是本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0022]图9是本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0023]图10是本申请实施例提供的一种像素界定层的结构示意图；
[0024]图11是本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；
[0025]图12是本申请实施例提供的一种阵列基板的制备方法的方法流程图；
[0026]图13是本申请实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
[0027]图14是本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
[0028]为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请实施方式作进一步地详细描述。
[0029]需要说明的是，本申请的说明书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本申请相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与本申请的一些方面相一致的装置和方法的例子。
[0030]参见图1，本申请实施例提供了一种阵列基板，该阵列基板包括：
[0031]衬底基板110，以及在衬底基板110上依次排布的第一发光层102和第二发光层104；
[0032]在阵列基板中的至少一个子像素区域内，第一发光层102发出第一亮度的光，第二发光层104发出第二亮度的光或不发光，第二亮度小于第一亮度。
[0033]衬底基板110为制造半导体器件、电子元件等微电子产品所使用的一种基板，衬底基板110的材料包括但不限于单晶硅、多晶硅、石英玻璃或氧化铝陶瓷等。本申请实施例中，不对衬底基板110的材料进行限定。在阵列基板的生产和制造过程中，衬底基板110用于支撑和固定位于衬底基板110至少一侧的除衬底基板110之外的结构。
[0034]第一发光层102和第二发光层104为阵列基板中的两层发光层，在至少一个子像素区域内，第二发光层104发出的第二亮度的光小于第一发光层102发出的第一亮度的光是为了在该至少一个子像素区域内，能够通过降低发光亮度，从而降低阵列基板的功耗。此外，第二发光层104不发光的情况下，在第二发光层104不发光的子像素区域内，由第一发光层102发出的光显示色彩，从而能够省去该子像素区域内的滤光器。本申请实施例不对使得第二发光层104不发光，或者发出第二亮度的光的方式进行限定。
[0035]在一种可能的实施方式中，第二发光层104不发光，或者发出第二亮度的光能够通过本申请实施方式中描述的阵列基板来实现，如图1所示，阵列基板包括：第一电极层101、第一CGL(Charge Generation Laye,电荷生成层)103和第二电极层105，第一发光层102和第二发光层104均位于第一电极层101和第二电极层105之间，第二电极层105位于第一电极层101远离衬底基板110的一侧，第一CGL103位于第一发光层102和第二发光层104之间。
[0036]在至少一个子像素区域内，第一CGL103与第一电极层101或第二电极层105短路，在该结构下第一CGL103与第一电极层101或第二电极层之间的电流通过短路区域进行传输，即第一CGL103与第一电极层101之间的第一发光层102或第一CGL103与第二电极层105之间的第二发光层中无电流通过，从而使得第一发光层102或第二发光层104不发光；或者，第一CGL103与第一电极层101或第二电极层105之间具有两条链路，两条链路并联，一条链路为第一CGL103与第一电极层101或第二电极层105之间的直连链路，另一条链路为第一CGL103到第一发光层102以及第一发光层102到第一电极层101或第一CGL103到第二发光层104以及第二发光层104到第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：衬底基板，以及在所述衬底基板上依次排布的第一发光层和第二发光层；在所述阵列基板中的至少一个子像素区域内，所述第一发光层发出第一亮度的光，所述第二发光层发出第二亮度的光或不发光，所述第二亮度小于所述第一亮度。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：第一电极层、第一电荷生成层和第二电极层，所述第一发光层和所述第二发光层均位于所述第一电极层和所述第二电极层之间，所述第二电极层位于所述第一电极层远离所述衬底基板的一侧，所述第一电荷生成层位于所述第一发光层和所述第二发光层之间；在所述至少一个子像素区域内，所述第一电荷生成层与所述第一电极层或所述第二电极层短路；或者，所述第一电荷生成层与所述第一电极层或所述第二电极层之间具有两条链路，所述两条链路并联，一条链路为所述第一电荷生成层与所述第一电极层或所述第二电极层之间的直连链路，另一条链路为所述第一电荷生成层到所述第一发光层以及所述第一发光层到所述第一电极层或所述第二电极层之间的链路。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括用于界定出所述子像素区域的像素界定层，所述像素界定层位于所述衬底基板上；所述第一发光层、所述第二发光层、所述第一电荷生成层和所述第二电极层均位于所述像素界定层远离所述衬底基板的一侧；在所述至少一个子像素区域中的第一子像素区域内，所述像素界定层中靠近所述第一子像素区域的侧面具有坡度角α。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述坡度角α≥75
°
。5.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述像素界定层还包括第一金属层；所述第一金属层位于所述像素界定层远离所述衬底基板并靠近所述第一子像素区域的一侧。6.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括用于界定出所述子像素区域的像素界定层，所述像素界定层位于所述衬底基板上；所述第一发光层、所述第二发光层、所述第一电荷生成层和所述第一电极层均位于所述像素界定层远离所述衬底基板的一侧；在所述至少一个子像素区域中的第二子像素区域内，所述像素界定层中靠近所述第二子像素区域的侧面具有下切结构，所述下切结构具有坡度角β和缺口。7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述坡度角β≤45
°
。8.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述像素界定层还包括第二金属层；所述第二金属层位于所述像素界定层靠近所述衬底基板并靠近所述第二子像素区域的一侧。9.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘晓云，焦志强，张大成，王红丽，
申请(专利权)人：北京京东方技术开发有限公司，
类型：发明
国别省市：