一种低温制备PZT薄膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种低温制备PZT薄膜的方法，属于功能材料技术领域。所述低温制备PZT薄膜的方法的步骤包括：(1)将铅源、燃料和氧化剂混合于溶剂中，加热反应后得到铅前驱体溶液；将锆源、燃料和氧化剂混合于溶剂中，加热反应后得到锆前驱体溶液；将钛源、燃料和氧化剂混合于溶剂中，加热反应后得到钛前驱体溶液；(2)将所述锆前驱体溶液，钛前驱体溶液，铅前驱体溶液按先后顺序混合均匀，得到PZT溶液，再经热解，退火，制得PZT薄膜。本发明专利技术提供的制备方法步骤简单，成本低廉，能够实现PZT薄膜的低温制备，且制得的PZT薄膜性能优异。且制得的PZT薄膜性能优异。且制得的PZT薄膜性能优异。

【技术实现步骤摘要】
一种低温制备PZT薄膜的方法


[0001]本专利技术属于功能材料
，具体涉及一种低温制备PZT薄膜的方法。

技术介绍

[0002]锆钛酸铅(PZT)薄膜是一种钙钛矿结构的金属氧化物，具备优异的压电，铁电，介电和光电等性能，被广泛应用于微电子机械系统(MEMS)领域，已成为功能材料研究的热门领域。PZT薄膜的制备方法关系到器件工艺兼容性问题，较高的温度会严重损害器件，通常在PZT薄膜制备过程中需要高温(在600℃左右)退火，例如：溶胶
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凝胶法制造的PZT薄膜通常需要较高的退火温度(>600℃)(J Mater Sci:Mater Electron，2023，34,1171)，然而常用的硅基CMOS电路最大承受温度在450℃(Appl.Phys.Rev.2021,8,041315)。高温条件下制备PZT薄膜已成为其应用发展的瓶颈，开发低温制备PZT薄膜的方法已成为业界的共识。
[0003]目前，制备PZT薄膜的方法种类繁多，其中主要分为两大类：即物理沉积法(PVD)和化学沉积法(CSD)。物理沉积法制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低温制备PZT薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将铅源、燃料和氧化剂混合于溶剂中，加热反应后得到铅前驱体溶液；将锆源、燃料和氧化剂混合于溶剂中，加热反应后得到锆前驱体溶液；将钛源、燃料和氧化剂混合于溶剂中，加热反应后得到钛前驱体溶液；(2)将所述锆前驱体溶液，钛前驱体溶液，铅前驱体溶液按先后顺序混合均匀，得到PZT溶液，再经热解，退火，制得PZT薄膜。2.根据权利要求1所述的低温制备PZT薄膜的方法，其特征在于，步骤(1)中所述铅前驱体溶液的制备过程中，加热反应的温度为100～150℃，时间为0.5～3.0h，其中，铅源包括醋酸铅或硫酸铅，燃料包括三(羟甲基)甲基甘氨酸、尿素、乙酰丙酮、肼、氨基酸或糖类，氧化剂包括铵态硝酸铵或硝酸，溶剂包括乙二醇单甲醚、甲醇、乙醇或异丙醇。3.根据权利要求2所述的低温制备PZT薄膜的方法，其特征在于，在铅前驱体溶液的制备过程中，所述铅源、所述燃料与所述氧化剂的摩尔比为1～2:1:1。4.根据权利要求1所述的低温制备PZT薄膜的方法，其特征在于，步骤(1)中所述锆前驱体溶液的制备过程中，加热反应的温度为100～150℃，时间为0.5～3.0h，其中，锆源包括硝酸氧锆或庚酸氧锆，燃料包括三(羟甲基)甲基甘氨酸、尿素、乙酰丙酮、肼、氨基酸或糖类，氧化剂包括铵态硝酸铵或硝酸，溶剂包括...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩瑜，
申请(专利权)人：聚合电光杭州科技有限公司，
类型：发明
国别省市：