提供了显示装置，所述显示装置包括：基底；子像素，设置在基底上并且包括像素电极、发光层和共电极；像素限定层，限定子像素；微透镜，设置在像素限定层上并且与子像素叠置；以及全反射图案，设置在像素限定层上并且与像素限定层叠置并围绕微透镜。微透镜具有比全反射图案的折射率大的折射率。根据本公开的实施例，增大了显示装置的外部发射效率。另外，减少了显示装置的纱窗效应。示装置的纱窗效应。示装置的纱窗效应。
【技术实现步骤摘要】
显示装置
[0001]本申请要求于2022年4月4日在韩国知识产权局提交的第10
‑
2022
‑
0041710号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用全部包含于此。
[0002]本公开的实施例涉及显示装置和头戴式显示装置。
技术介绍
[0003]随着多媒体的发展，显示装置正变得越来越广泛地使用。响应于这种发展，正在使用各种类型的显示装置(诸如液晶显示器(LCD)和有机发光显示器(OLED))。
[0004]显示装置的有机发光显示器使用通过电子和空穴的复合而产生光的有机发光元件来显示图像。有机发光显示器具有快速响应时间、高亮度和大视角，并且具有低功耗。
[0005]头戴式显示装置可以安装在用户的头部上并且具有诸如眼镜或头盔的形式。头戴式显示装置能够通过在用户的眼睛前方显示图像来使用户识别图像。
技术实现思路
[0006]本技术的目的是为了提供一种具有高光提取效率的显示装置。
[0007]本公开的实施例还提供了一种具有减少的纱窗效应的显示装置和头戴式显示装置。
[0008]根据实施例，显示装置包括：基底；子像素，设置在基底上并且包括像素电极、发光层和共电极；像素限定层，限定子像素；微透镜，设置在像素限定层上并且与子像素叠置；以及全反射图案，设置在像素限定层上并且与像素限定层叠置并围绕微透镜。微透镜具有比全反射图案的折射率大的折射率。
[0009]微透镜的折射率与全反射图案的折射率之间的差大于0.05且小于0.3。<br/>[0010]像素电极包括第一像素电极和设置在第一像素电极上的第二像素电极，其中，第二像素电极的侧表面相对于第一像素电极的顶表面具有第一倾斜角。
[0011]像素限定层包括第一像素限定层和第二像素限定层，第一像素限定层包括使第一像素电极的至少一部分暴露的第一开口，第二像素限定层包括使第二像素电极的至少一部分暴露的第二开口，并且第二像素限定层设置在第一像素限定层上。
[0012]第二开口小于第一开口。
[0013]微透镜具有比第二开口大的直径和大于0.12且小于0.2的曲率。
[0014]第二像素电极的侧表面设置在第一像素限定层上，并且第一倾斜角由第一像素限定层的倾斜角限定。
[0015]全反射图案在与微透镜接触的侧表面上具有第二倾斜角，并且第二倾斜角大于第一倾斜角。
[0016]显示装置还包括光阻挡图案，光阻挡图案设置在像素限定层与全反射图案之间并且被全反射图案覆盖。
[0017]根据实施例，显示装置包括：基底；子像素，设置在基底上并且包括像素电极、发光层和共电极；像素限定层，限定子像素；覆盖层，设置在像素限定层上；微透镜，设置在覆盖层上并且与子像素叠置；以及全反射图案，设置在覆盖层上并且与像素限定层叠置并围绕微透镜。微透镜具有比全反射图案的折射率大并且比覆盖层的折射率小或与覆盖层的折射率相等的折射率。
[0018]微透镜的折射率与全反射图案的折射率之间的差大于0.05且小于0.3。
[0019]像素电极包括第一像素电极和设置在第一像素电极上的第二像素电极，其中，第二像素电极的侧表面相对于第一像素电极的顶表面具有第一倾斜角。
[0020]像素限定层包括第一像素限定层和第二像素限定层，第一像素限定层包括使第一像素电极的至少一部分暴露的第一开口，第二像素限定层包括使第二像素电极的至少一部分暴露的第二开口，并且第二像素限定层设置在第一像素限定层上。
[0021]第二开口小于第一开口。
[0022]微透镜具有比第二开口大的直径和大于0.12且小于0.2的曲率。
[0023]第二像素电极的侧表面设置在第一像素限定层上。
[0024]第二像素电极的侧表面与全反射图案叠置。
[0025]第二像素电极的侧表面不与全反射图案叠置。
[0026]根据实施例，显示装置包括：基底；子像素，设置在基底上并且包括像素电极、发光层和共电极；像素限定层，限定子像素；覆盖层，设置在像素限定层上；微透镜，设置在覆盖层上并且与子像素叠置；以及全反射图案，设置在覆盖层上并且与像素限定层叠置。像素电极包括第一像素电极和设置在第一像素电极上的第二像素电极。第二像素电极的侧表面相对于第一像素电极的顶表面具有第一倾斜角，全反射图案在与微透镜接触的侧表面上具有第二倾斜角，并且第二倾斜角大于第一倾斜角。
[0027]微透镜的折射率与全反射图案的折射率之间的差大于0.05且小于0.3。
[0028]像素限定层包括第一像素限定层和第二像素限定层，第一像素限定层包括使第一像素电极的至少一部分暴露的第一开口，第二像素限定层包括使第二像素电极的至少一部分暴露的第二开口，并且第二像素限定层设置在第一像素限定层上。第二开口小于第一开口。
[0029]显示装置还包括光阻挡图案，光阻挡图案设置在覆盖层与全反射图案之间并且被全反射图案覆盖。
[0030]根据实施例，头戴式显示装置包括：显示单元；以及透镜单元，设置在从显示单元发射的光的路径上。显示单元包括：基底；子像素，设置在基底上并且包括像素电极、发光层和共电极；像素限定层，限定子像素；覆盖层，设置在像素限定层上；微透镜，设置在覆盖层上并且与子像素叠置；以及全反射图案，设置在覆盖层上并且与像素限定层叠置并围绕微透镜。微透镜具有比全反射图案的折射率大并且比覆盖层的折射率小或与覆盖层的折射率相等的折射率。
[0031]微透镜的折射率与全反射图案的折射率之间的差大于0.05且小于0.3。
[0032]像素电极包括第一像素电极和设置在第一像素电极上的第二像素电极，其中，第二像素电极的侧表面相对于第一像素电极的顶表面具有第一倾斜角。
[0033]全反射图案在与微透镜接触的侧表面上具有第二倾斜角，并且第二倾斜角大于第
一倾斜角。
[0034]头戴式显示装置还包括光阻挡图案，光阻挡图案设置在覆盖层与全反射图案之间并且被全反射图案覆盖。
[0035]根据本公开的实施例，增大了显示装置的外部发射效率。另外，减少了显示装置的纱窗效应。
附图说明
[0036]图1是根据实施例的显示装置的透视图，并且图2是沿着图1的线Xa
‑
Xa'截取的显示装置的剖视图。
[0037]图3是图1的显示装置的一部分的剖视图。
[0038]图4是根据本公开的实施例的显示面板的像素的剖视图。
[0039]图5是根据图4的实施例的显示面板的一种像素的剖视图。
[0040]图6是图4的区域A的放大图。
[0041]图7A和图7B是根据图5的实施例的显示面板的一种像素的剖视图。
[0042]图8是根据图3的实施例的显示装置的一部分的剖视图。
[0043]图9是根据本公开的实施例的显示面板的一种像素的剖视图。
[0044]图10是根据图9的实施例的显示面板的一种像素的剖视图。
[00本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：基底；子像素，设置在所述基底上并且包括像素电极、发光层和共电极；像素限定层，限定所述子像素；微透镜，设置在所述像素限定层上并且与所述子像素叠置；以及全反射图案，设置在所述像素限定层上并且与所述像素限定层叠置并围绕所述微透镜，其中，所述微透镜具有比所述全反射图案的折射率大的折射率。2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述微透镜的所述折射率与所述全反射图案的所述折射率之间的差大于0.05且小于0.3。3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述像素电极包括第一像素电极和设置在所述第一像素电极上的第二像素电极，其中，所述第二像素电极的侧表面相对于所述第一像素电极的顶表面具有第一倾斜角。4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述像素限定层包括第一像素限定层和第二像素限定层，所述第一像素限定层包括使所述第一像素电极的至少一部分暴露的第一开口，所述第二像素...
【专利技术属性】
技术研发人员：河周和，白守珉，林白铉，金相昊，朴埈亨，孙珠渊，李智元，李天明，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。