显示装置及显示装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示装置、和显示装置的制造方法。根据一个实施方式，显示装置具备：下电极；肋部，其由无机绝缘材料形成并具有与下电极重叠的开口；隔壁，其配置在肋部之上；有机层，其包含发光层，所述有机层在开口处配置在下电极之上，重叠在肋部之上，并与隔壁分离；密封层，其由无机绝缘材料形成，配置在有机层的上方并与隔壁相接；和蚀刻阻止层，其配置在肋部与密封层之间，在有机层与隔壁之间覆盖肋部，蚀刻阻止层由与密封层不同的材料形成，蚀刻阻止层的蚀刻速率小于密封层的蚀刻速率。的蚀刻速率小于密封层的蚀刻速率。的蚀刻速率小于密封层的蚀刻速率。

【技术实现步骤摘要】
显示装置及显示装置的制造方法
[0001]关联申请的交叉参照
[0002]本申请基于2022年3月24日提出的日本专利申请第2022
‑
048563号主张优先权，并引用日本申请所记载的全部记载内容。


[0003]本专利技术的实施方式涉及显示装置及显示装置的制造方法。

技术介绍

[0004]近年来，应用有机发光二极管(OLED)作为显示元件的显示装置被实用化。该显示元件包括：包含薄膜晶体管的像素电路；与像素电路连接的下电极；覆盖下电极的有机层；和覆盖有机层的上电极。有机层除了发光层以外，还包含空穴传输层、电子传输层等功能层。
[0005]在制造这样的显示元件的过程中，需要抑制可靠性降低的技术。

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的课题
[0007]实施方式的目的在于提供能够抑制可靠性降低的显示装置及显示装置的制造方法。
[0008]根据一个实施方式，显示装置具备：
[0009]基板；下电极，其配置在所述基板的上方；肋部，其由无机绝缘材料形成，具有与所述下电极重叠的开口；隔壁，其具有配置在所述肋部之上的下部、和配置在所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部；有机层，其包含发光层，所述有机层在所述开口处配置在所述下电极之上，重叠在所述肋部之上，并与所述隔壁分离；密封层，其由无机绝缘材料形成，配置在所述有机层的上方，并与所述隔壁的所述下部相接；和蚀刻阻止层，其配置在所述肋部与所述密封层之间，在所述有机层与所述隔壁之间覆盖所述肋部，所述蚀刻阻止层是由与所述密封层不同的材料形成的，所述蚀刻阻止层的蚀刻速率小于所述密封层的蚀刻速率。
[0010]根据一个实施方式，在显示装置的制造方法中，
[0011]准备在基板的上方形成有下电极、具有与所述下电极重叠的开口的肋部、和隔壁的处理基板，所述隔壁包含配置在所述肋部之上的下部及配置在所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部，在所述开口处，在所述下电极之上形成有机层，在所述有机层之上及所述有机层与所述隔壁之间的所述肋部之上形成蚀刻阻止层，在所述蚀刻阻止层之上形成密封层，在所述密封层之上形成经图案化的抗蚀剂，以所述抗蚀剂为掩模，进行所述密封层的干式蚀刻，在所述密封层的干式蚀刻时，所述蚀刻阻止层的蚀刻速率小于所述密封层的蚀刻速率。
[0012]根据实施方式，提供能够抑制可靠性降低的显示装置及显示装置的制造方法。
附图说明
[0013]图1是示出显示装置DSP的构成例的图。
[0014]图2是示出子像素SP1、SP2、SP3的布局的一例的图。
[0015]图3是沿着图2中的III
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III线的显示装置DSP的概略剖视图。
[0016]图4是示出显示元件20的构成的一例的图。
[0017]图5是沿着图2中的A
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B线的显示装置DSP的概略剖视图。
[0018]图6是沿着图2中的C
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D线的显示装置DSP的概略剖视图。
[0019]图7是用于说明蒸镀装置EV的图。
[0020]图8是用于说明形成蚀刻阻止层(etching stopper)的一种制造方法的图。
[0021]图9是用于说明形成蚀刻阻止层的另一制造方法的图。
[0022]图10是用于说明显示装置DSP的制造方法的一例的流程图。
[0023]图11是用于说明步骤ST1的图。
[0024]图12是用于说明步骤ST21的图。
[0025]图13是用于说明第1薄膜31的形成过程的图。
[0026]图14是用于说明步骤ST22的图。
[0027]图15是用于说明步骤ST23的图。
[0028]图16是用于说明第1薄膜31的除去过程的图。
[0029]图17是用于说明步骤ST24的图。
具体实施方式
[0030]参照附图说明一个实施方式。
[0031]公开只不过是一例，本领域技术人员能够容易想到的未脱离专利技术主旨的适当变更当然包含在本专利技术范围内。另外，就附图而言，为了使说明更加明确，与实际方式相比，有时示意性表示各部分的宽度、厚度、形状等，但只不过是一例，并非限定本专利技术的解释。另外，在本说明书和各图中，对于与关于已出现的附图说明过的构成要素发挥相同或类似功能的构成要素，存在标注同一附图标记并适当省略重复的详细说明的情况。
[0032]需要说明的是，为了便于理解而根据需要在附图中记载有相互正交的X轴、Y轴及Z轴。将沿着X轴的方向称为第1方向，将沿着Y轴的方向称为第2方向，将沿着Z轴的方向称为第3方向。将与第3方向Z平行地观察各种要素的情形称为俯视观察。
[0033]本实施方式的显示装置是具备有机发光二极管(OLED)作为显示元件的有机电致发光显示装置，能够搭载于电视、个人电脑、车载设备、平板电脑终端、智能手机、移动电话终端等。
[0034]图1是示出显示装置DSP的构成例的图。
[0035]显示装置DSP在绝缘性的基板10之上具有显示图像的显示区域DA和显示区域DA周边的周边区域SA。基板10可以是玻璃，也可以是具有挠性的树脂膜。
[0036]在本实施方式中，俯视观察的基板10的形状为长方形。但是，基板10的俯视观察的形状不限于长方形，也可以是正方形、圆形或椭圆形等其他形状。
[0037]显示区域DA具备在第1方向X及第2方向Y上以矩阵状排列的多个像素PX。像素PX包含多个子像素SP。在一例中，像素PX包含红色的子像素SP1、蓝色的子像素SP2及绿色的子像
素SP3。需要说明的是，像素PX也可以与子像素SP1、SP2、SP3一起或取代子像素SP1、SP2、SP3中的任一者而包含白色等其他颜色的子像素SP。
[0038]子像素SP具备像素电路1和由像素电路1驱动的显示元件20。像素电路1具备像素开关2、驱动晶体管3和电容器4。像素开关2及驱动晶体管3是例如由薄膜晶体管构成的开关元件。
[0039]像素开关2的栅电极与扫描线GL连接。像素开关2的源电极及漏电极中的一者与信号线SL连接，另一者与驱动晶体管3的栅电极及电容器4连接。在驱动晶体管3中，源电极及漏电极中的一者与电源线PL及电容器4连接，另一者与显示元件20的阳极连接。
[0040]需要说明的是，像素电路1的构成不限于图示的例子。例如，像素电路1也可以具备更多的薄膜晶体管及电容器。
[0041]显示元件20是作为发光元件的有机发光二极管(OLED)，有时称为有机EL元件。例如，子像素SP1具备发出红色波长区域的光的显示元件20，子像素SP2具备发出蓝色波长区域的光的显示元件20，子像素SP3具备发出绿色波长区域的光的显示元件20。
[0042]图2是示出子像素SP1、SP2、SP3的布局的一例的图。
[0043]在图2的例子中，子像素SP1与子像素SP3在第2方向Y上排列。此外，子像素SP1、SP3分别与子像素S本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.显示装置，其具备：基板；下电极，其配置在所述基板的上方；肋部，其由无机绝缘材料形成，具有与所述下电极重叠的开口；隔壁，其具有配置在所述肋部之上的下部、和配置在所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部；有机层，其包含发光层，所述有机层在所述开口处配置在所述下电极之上，重叠在所述肋部之上，并与所述隔壁分离；密封层，其由无机绝缘材料形成，配置在所述有机层的上方，并与所述隔壁的所述下部相接；和蚀刻阻止层，其配置在所述肋部与所述密封层之间，在所述有机层与所述隔壁之间覆盖所述肋部，所述蚀刻阻止层由与所述密封层不同的材料形成，所述蚀刻阻止层的蚀刻速率小于所述密封层的蚀刻速率。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述肋部及所述密封层由硅氮化物形成。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述蚀刻阻止层与所述隔壁的所述下部相接。4.根据权利要求3所述的显示装置，其还具备配置在所述有机层之上的上电极，所述蚀刻阻止层为所述上电极。5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述上电极由镁和银的合金形成。6.根据权利要求1所述的显示装置，其还具备：上电极，其配置在所述有机层之上；透明层，其配置在所述上电极之上；和无机层，其配置在所述透明层之上，所述蚀刻阻止层为所述无机层。7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述无机层由氟化锂或硅氧化物形成。8.根据权利要求1所述的显示装置，其还具备：上电极，其配置在所述有机层之上；透明层，其配置在所述上电极之上；和无机层，其配置在所述透明层之上，所述蚀刻阻止层为所述上电极及所述无机层。9.显示装置的制造方法，其中，准备在基板的上方形成有下电极、具有与所述下电极重叠的开口的肋部、和隔壁的处理基板，所述隔壁包含配置在所述肋部之上的下部及配置在所述下部之上并从所述下部的侧面突出的上部，在所述开口处，在所述下电极之上形成有机层，在所述有机层之上及所述有机层与所述隔壁之间的所述肋部之上形成蚀刻阻止层，在所述蚀刻阻止层之上形成密封层，在所述密封层之上形成经图案化的抗蚀剂，以所述抗蚀剂为掩模，进行所述密封层的干式蚀刻，
在所述密封层的干式蚀刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：高山健，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：