显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了显示装置。该显示装置包括：基板；有源图案，设置在基板上，并且包括第一区、第二区、第1

【技术实现步骤摘要】
显示装置


[0001]实施例总体上提供了显示装置。更具体地，实施例涉及提供视觉信息的显示装置。

技术介绍

[0002]随着信息技术的发展，作为用户与信息之间的连接媒介的显示装置的重要性正被突显。相应地，诸如液晶显示装置(“LCD”)、有机发光显示装置(“有机发光二极管”)、等离子体显示装置(“PDP”)或量子点显示装置等的显示装置的使用正在增加。
[0003]显示装置包括多个像素，并且像素中的每一个包括存储电容器和多个晶体管。例如，多个晶体管包括开关晶体管和驱动晶体管。

技术实现思路

[0004]显示装置可以使用各种信号发光。在这些信号被传送到发光元件的同时，电流可能泄漏。在这种情况下，显示装置的发光性能可能劣化。
[0005]另外，期望驱动晶体管具有宽的栅电压的驱动范围，以便控制驱动晶体管的栅电压以具有丰富的灰度级。
[0006]实施例提供了具有提高的显示质量的显示装置。
[0007]本专利技术的实施例中的显示装置包括：基板；有源图案，设置在基板上，并且包括第一区、第二区、第1
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示装置，包括：基板；有源图案，设置在所述基板上，并且包括第一区、第二区、第1
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1沟道区、第1
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2沟道区以及设置在所述第1
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1沟道区与所述第1
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2沟道区之间的第三区；第一绝缘层，设置在所述基板上并且覆盖所述有源图案；第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上，并且在所述第二绝缘层中限定有与所述第1
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2沟道区、所述第二区和所述第三区重叠的开口；第一栅电极，设置在所述第一绝缘层上并且分别与所述第1
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1沟道区和所述第1
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2沟道区重叠；以及高介电层，设置在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上、覆盖所述第一栅电极并且填充所述开口。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述高介电层包括氧化铝、氧化锆和氧化铪中的至少一种。3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层包括不同的无机材料。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层包括氧化硅，并且所述第二绝缘层包括氮化硅。5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层的厚度不同于所述第二绝缘层的厚度。6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层的所述厚度是800埃至1400埃，并且所述第二绝缘层的所述厚度是200埃至600埃。7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述高介电层的厚度是300埃至1000埃。8.根据权利要求1至7中任一项所述的显示装置，其中，所述第一栅电极包括：第一部分，与所述第1
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1沟道区重叠并且设置在所述第二绝缘层上；以及第二部分，与所述第1
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2沟道区重叠并且设置在所述第一绝缘层上。9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一栅电极的所述第一部分连同所述有源图案的所述第三区的一部分、所述第一区和所述第1
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1沟道区一起构成第1
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1开关晶体管，并且其中，所述第一栅电极的所述第二部分连同所述有源图案的所述第三区的一部分、所述第二区和所述第1
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2沟道区一起构成第1
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2开关晶体管。10.根据权利要求1至7中任一项所述的显示装置，进一步包括：第三绝缘层，设置在所述高介电层上并且包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种；以及电容器电极，设置在所述第三绝缘层上。11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第三绝缘层的厚度是500埃至1...

【专利技术属性】
技术研发人员：金根佑，姜泰旭，禹荣杰，全祐奭，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：