一种薄膜晶体管基板、显示面板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种薄膜晶体管基板、显示面板及显示装置。薄膜晶体管基板，其包括透明衬底、薄膜晶体管开关电路、有机绝缘层、共用电极层、氮化硅绝缘层和像素电极层，所述氮化硅绝缘层上直接覆盖所述有机绝缘层的区域开设有第一孔，作为排气过孔；每一所述排气过孔从有机绝缘层往上贯穿至顶部，以通过排气过孔露出部分有机绝缘层使得所述有机绝缘层中的气体在后续制程中释放出来。如此设计，将有机绝缘层上方的各膜层设计孔槽，使得有机材料中的气体在后续制程中经过高温逐步释放出来，在成盒前无气体再逸出或少量气体逸出(溶于液晶内)从而解决气泡不良的问题。内)从而解决气泡不良的问题。内)从而解决气泡不良的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管基板、显示面板及显示装置


[0001]本技术涉及显示面板
，特别涉及一种薄膜晶体管基板、显示面板及显示装置。

技术介绍

[0002]如中国专利技术专利CN106684096A提及了一种阵列基板，包括设置在玻璃板中央的多个COG/FOG板和设置在玻璃板四周的有机平坦层。其中所述COG/FOG板包括从上至下依次设置在玻璃板上的第一金属层、栅极绝缘层、第二金属层、钝化层、以及顶层透明电极。所述有机平坦设置在栅极绝缘层上，且有机平坦层上覆盖一层钝化层。
[0003]又如中国专利技术专利CN111129125B公开了一种TFT阵列基板，包括：柔性衬底、阻挡层、缓冲层、有源层、第一栅极绝缘层、栅极、第二栅极绝缘层、第一层间绝缘层、第二层间绝缘层、源漏极、平坦化层、阳极、像素定义层以及像素支撑层；其中，所述阻挡层形成于所述柔性衬底上，所述缓冲层形成于所述阻挡层上，所述有源层形成于所述缓冲层上，所述第一栅极绝缘层形成于所述缓冲层上并覆盖所述有源层，所述栅极形成于所述第一栅极绝缘层上，所述第二栅极绝缘层形成于所述第一栅极绝缘层上并覆盖所述栅极，所述第一层间绝缘层形成于所述第二栅极绝缘层上，所述第二层间绝缘层形成于所述第一层间绝缘层上，所述源漏极形成于所述第二层间绝缘层上，所述平坦化层形成于所述第二层间绝缘层上并覆盖所述源漏极，所述阳极形成于所述平坦化层上，所述像素定义层形成于所述平坦化层上且覆盖所述阳极的两端，所述像素支撑层形成于所述像素定义层上；所述源漏极包括上层源漏极以及下层源漏极，所述上层源漏极具有镂空结构，所述镂空结构与所述下层源漏极的上表面构成镂空区域，所述第二层间绝缘层填充所述镂空区域。所述第二层间绝缘层的材质为有机光阻。
[0004]还如中国技术专利CN217134374U公开了一种阵列基板，包括Array侧基板玻璃，Array侧基板玻璃上依次设有MetalⅠ金属层、栅极绝缘层、有源层、刻蚀阻挡层、MetalⅡ金属层，MetalⅡ金属层上沉积有第一保护层ITO，第一保护层ITO上依次设有绝缘层Ⅰ、有机平坦层、MetalⅢ触控金属层，有机平坦层以及MetalⅢ触控金属层沉积有第二保护层ITO，第二保护层ITO上依次设有带有VA孔的绝缘层Ⅱ、公共电极层ITO、带有CH孔的绝缘层Ⅲ以及像素电极层ITO，公共电极层ITO通过VA孔与MetalⅢ触控金属层搭接，像素电极层ITO通过CH孔与MetalⅡ金属层搭接。
[0005]上述任一技术方案中，在具体实施过程中，存在outgas问题，成盒后或可靠性高温后有机绝缘层材料会持续释放气体形成气泡。由于有机材料在固化过程中会释放气体因未能使其100％固化，在后面高温制程中会继续反应并释放气体，由于产品设计其上面覆盖金属层或阻隔钝化层导致其释放的气体被阻隔在金属层或其他膜层之间不能及时排除，在成盒后的高温条件下膜层和有机层间气体会慢慢释放到盒内，当释放的气体超过液晶对气体的溶解度后而形成气泡，如图1所示。

技术实现思路

[0006]针对上述技术问题，本技术提出一种薄膜晶体管基板、显示面板及显示装置。
[0007]实现上述技术目的技术方案是：
[0008]第一方面，一种薄膜晶体管基板，其包括透明衬底、形成在所述透明衬底上的薄膜晶体管开关电路、形成在所述透明衬底上且位于像素区内的像素电极层、形成在所述薄膜晶体管开关电路和像素电极层上的有机绝缘层、形成在所述有机绝缘层上且位于像素区内的共用电极层和形成在所述共用电极层上方的氮化硅绝缘层；
[0009]所述氮化硅绝缘层上直接覆盖所述有机绝缘层的区域开设有第一孔，作为排气过孔；每一所述排气过孔从有机绝缘层往上贯穿至顶部，以通过排气过孔露出部分有机绝缘层使得所述有机绝缘层中的气体在后续制程中释放出来。
[0010]作为本技术提供的所述的薄膜晶体管基板的一种优选实施方式，所述氮化硅绝缘层和共用电极层同一位置上分别开设有第二孔和第三孔，所述第二孔和第三孔相对应构成排气过孔。
[0011]作为本技术提供的所述的薄膜晶体管基板的一种优选实施方式，所述第一孔通过蚀刻工艺对氮化硅绝缘层进行挖孔获得。
[0012]作为本技术提供的所述的薄膜晶体管基板的一种优选实施方式，所述第二孔通过蚀刻工艺对氮化硅绝缘层进行挖孔获得。
[0013]作为本技术提供的所述的薄膜晶体管基板的一种优选实施方式，所述第三孔在通过构图工艺获得共用电极层时同步形成。
[0014]作为本技术提供的所述的薄膜晶体管基板的一种优选实施方式，所述氮化硅绝缘层替换为聚酰胺
‑
氮化硅绝缘层。
[0015]作为本技术提供的所述的薄膜晶体管基板的一种优选实施方式，所述第一孔、第二孔和第三孔位于非显示区。
[0016]作为本技术提供的所述的薄膜晶体管基板的一种优选实施方式，所述有机绝缘层的形成材质为树脂。
[0017]第二方面，一种显示面板，其包括任一上述的薄膜晶体管基板和彩膜基板，所述薄膜晶体管和彩膜基板相对应设置。
[0018]第三方面，一种显示装置，其包括上述的显示面板。
[0019]与现有技术相比，本技术具有如下有益效果：
[0020]本技术薄膜晶体管基板，所述氮化硅绝缘层上直接覆盖所述有机绝缘层的区域开设有第一孔，作为排气过孔；和/或，所述氮化硅绝缘层和共用电极层同一位置上分别开设有第二孔和第三孔，所述第二孔和第三孔相对应构成排气过孔；每一所述排气过孔从有机绝缘层往上贯穿至顶部，以通过排气过孔露出部分有机绝缘层使得所述有机绝缘层中的气体在后续制程中释放出来。如此设计，将有机绝缘层上方的各膜层设计孔槽，使得有机材料中的气体在后续制程中经过高温逐步释放出来，在成盒前无气体再逸出或少量气体逸出(溶于液晶内)从而解决气泡不良的问题。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需
要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1为传统显示面板存在的气泡示意图；
[0023]图2为本技术薄膜晶体管基板实施例1的剖面示意图；
[0024]图3为本技术薄膜晶体管基板实施例2的剖面示意图。
具体实施方式
[0025]如
技术介绍
所述的，现有技术存在outgas问题，成盒后或可靠性高温后有机绝缘层材料会持续释放气体形成气泡。由于有机材料在固化过程中会释放气体因未能使其100％固化，在后面高温制程中会继续反应并释放气体，由于产品设计其上面覆盖金属层或阻隔钝化层导致其释放的气体被阻隔在金属层或其他膜层之间不能及时排除，在成盒后的高温条件下膜层和有机层间气体会慢慢释放到盒内，当释放的气体超过液晶对气体的溶解度后而形成气泡。
[0026]为了解决上述技术问题，如图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，其包括透明衬底、形成在所述透明衬底上的薄膜晶体管开关电路、形成在所述透明衬底上且位于像素区内的像素电极层、形成在所述薄膜晶体管开关电路和像素电极层上的有机绝缘层、形成在所述有机绝缘层上且位于像素区内的共用电极层和形成在所述共用电极层上方的氮化硅绝缘层；所述氮化硅绝缘层上直接覆盖所述有机绝缘层的区域开设有第一孔，作为排气过孔；每一所述排气过孔从有机绝缘层往上贯穿至顶部，以通过排气过孔露出部分有机绝缘层使得所述有机绝缘层中的气体在后续制程中释放出来。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述氮化硅绝缘层和共用电极层同一位置上分别开设有第二孔和第三孔，所述第二孔和第三孔相对应构成排气过孔。3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述第一孔通过蚀刻工艺对氮化硅绝缘层进行挖孔...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈望，邓小均，王瑞生，刘福知，
申请(专利权)人：信利仁寿高端显示科技有限公司，
类型：新型
国别省市：