两相浸没式冷却系统技术方案

一种浸没式冷却系统，其包括一个具有用于容纳电子设备的空间的流体保持容器。将传热流体定位在容器中，电子设备与传热流体接触。热交换器接触并冷凝来自传热流体汽化的蒸汽。传热流体的导热系数高于0.08W m

【技术实现步骤摘要】
两相浸没式冷却系统
相关申请的交叉引用
[0001]本申请要求对2022年3月23日提交的美国专利申请案63/322,647及2023年3月22日提交的美国专利申请案18/187,712享有优先权，通过引用将其公开内容并入本文。


[0002]本专利技术涉及一种浸没式冷却系统。更具体地，本专利技术涉及采用新型冷却剂的两相浸没式冷却系统，具有良好的导热性、较高的汽化热和较低的高频介电常数。

技术介绍

[0003]目前，数据中心对数据处理和存储能力的需求越来越大，其中大量的发热电子设备彼此紧密靠近地放置。这些高功率电气系统产生大量热量，使得传统的基于空气的冷却系统(风扇、空调环境)不能保持令人满意的操作温度。
[0004]浸没式冷却是最近开发的一种直接冷却技术，其中通过使介电液体与放置在冷却槽中的发热部件直接接触来去除热量。介电液体由一个或多个热交换器冷却。浸没式冷却方法包括单相和两相方法。对于单相浸没式冷却，介电液体在发热部件之间循环，加热的介电液体由热交换器冷却，在该过程中流体没有相变。对于两相浸没式冷却，介电液体直接接触本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种浸没式冷却系统，其特征在于，包括：一个具有用于容纳电子设备的空间的流体保持容器；定位在所述流体保持容器中的传热流体，使得所述电子设备与所述传热流体接触；一个与所述流体保持容器连通的热交换器，使得来自所述传热流体汽化的蒸汽接触所述热交换器；所述传热流体具有高于0.08W m
‑1K
‑1的导热系数、在20
‑
40GHz时介电常数(D
k
)小于3.0、汽化热高于150kJ kg
‑1，且包括氟原子元素重量百分比小于65％的式(I)化合物:其中X1,X2和X3独立地选自氢、氘、卤素、
‑
CH3、
‑
CF3、
‑
CHF2、
‑
CH2F、
‑
OCH3、
‑
OCF3、
‑
OCH2CH3、
‑
OCH2CF3、
‑
OCF2CF3、
‑
CH2CF3、
‑
CF2CF3、
‑
CH2CF2CF3、
‑
CF2CF2CF3、
‑
OCH2CF2CF3、
‑
CH2CH2CF3；R1选自氢、氘、卤素、C1
‑
C10烷基、C3
‑
C8环烷基、C2
‑
C6烯基、C3
‑
C6环烯基、C5
‑
C7(杂)烷基、具有或被一个或多个氟原子取代的C2
‑
C6烷基醚。2.根据权利要求1所述的浸没式冷却系统，其中所述X1、X2和X3中的至少一者选自氢或氘，且所述X1、X2和X3中的至少一者选自
‑
CF3。3.根据权利要求1所述的浸没式冷却系统，其中所述R1选自具有或被一个或多个氟原子取代的C1
‑
C10直链或支链烷基。4.根据权利要求1所述的浸没式冷却系统，其中所述R1选自
‑
CH3、
‑
CF3、
‑
CH2CH3或
‑
CH2CF3。5.根据权利要求1所述的浸没式冷却系统，其中式(I)中氟化碳的总数小于或等于3。6.根据权利要求1所述的浸没式冷却系统，其中所述传热流体的沸点范围为50℃至100℃。7.根据权利要求1所述的浸没式冷却系统，其中所述传热流体是不可燃的并且不具有闪点。8.根据权利要求1所述的浸没式冷却系统，其中所述传热流体的密度小于1450kg m
...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁志明，姚思骏，黄志轩，郭志豪，刘晨敏，
申请(专利权)人：纳米及先进材料研发院有限公司，
类型：发明
国别省市：