【技术实现步骤摘要】
低反射层、光学镜头组、取像装置及电子装置
[0001]本专利技术是关于一种光学镜头组、取像装置及电子装置,特别是关于一种包含光学镜片或光学元件,且光学镜片或光学元件的表面具有低反射层的光学镜头组、取像装置及电子装置。
技术介绍
[0002]近年来日趋流行以移动装置的微型光学镜头进行摄影拍照,但移动装置常因在户外使用而受到强烈阳光光线影响,使得光学镜头被强烈非成像杂散光大幅降低成像品质。
[0003]习知策略在组成光学镜头的不透明光学元件表面进行涂墨、喷砂与镀膜等技术,以达到降低反射率与消除杂散光线效果,如此虽可提升光学成像品质但其效果仍不足消除高强度杂散光线。在非移动装置光学镜头领域具有其他降低反射率技术,其通过蚀刻膜层表面以产生具多孔洞的微结构,但其结构支撑性不足,易因外力导致膜层变形而大幅降低抗反射效果。进一步虽有习知技术以多层镀膜方式欲求达到更较佳的抗反射效果,但多层制作过程复杂且镀膜成本居高不下而无法于光学镜头产业广泛应用。
技术实现思路
[0004]本揭示内容的光学镜头组于光学镜片或光学元件的至少一表面设置低反射层,低反射层表面是施以粗糙化工艺(例如干蚀刻),再以适当材料在表面进行成核反应(如物理气象沉积(Physical vapor deposition)或化学气相沉积(chemical vapor deposition),又如真空蒸镀(Vacuum evaporation)、溅镀(Sputtering)与离子镀着(Ion plating)等),以通过结晶化过程制造出具有纳米结晶( ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种光学镜头组,其特征在于,包含:至少一光学镜片;以及至少一光学元件;其中,该光学镜片或该光学元件的至少一表面具有一低反射层,该低反射层包含一粗糙层、一纳米结晶颗粒与一疏水层,该纳米结晶颗粒配置在该粗糙层与该疏水层间,且该疏水层较该纳米结晶颗粒远离该光学镜片或该光学元件的该表面;其中,该纳米结晶颗粒的材料至少包含SiO2;其中,该纳米结晶颗粒的平均粒径为DC,其满足下列条件:200nm<DC<1000nm。2.如权利要求1所述的光学镜头组,其特征在于,该疏水层是选自于至少一种聚胺酯化合物、聚酰亚胺化合物、有机硅烷化合物、氟烷化合物、氟烯基醚聚合物、含氟硅烷化合物或含氟丙烯酸酯化合物。3.如权利要求1所述的光学镜头组,其特征在于,该纳米结晶颗粒为一多层结构,且该纳米结晶颗粒包含至少一高折射率膜层与至少一低折射率膜层;其中,该高折射率膜层与该低折射率膜层交替堆叠配置,该低折射率膜层较该高折射率膜层靠近该疏水层,且该低折射率膜层的主要材质为SiO2。4.如权利要求1所述的光学镜头组,其特征在于,该纳米结晶颗粒的高度为Tc,其满足下列条件:200nm<Tc<800nm。5.如权利要求1所述的光学镜头组,其特征在于,具该低反射层的该表面于波长400nm
‑
1000nm的反射率为R40100,其满足下列条件:0%<R40100≤2.4%。6.如权利要求5所述的光学镜头组,其特征在于,具该低反射层的该表面于波长400nm
‑
700nm的反射率为R4070,其满足下列条件:0%<R4070≤2.5%。7.如权利要求6所述的光学镜头组,其特征在于,具该低反射层的该表面于波长500nm
‑
700nm的反射率为R5070,其满足下列条件:0%<R5070≤2.4%。8.如权利要求6所述的光学镜头组,其特征在于,具该低反射层的该表面于波长400nm
‑
600nm的反射率为R4060,其满足下列条件:0%<R4060≤2.5%。9.如权利要求6所述的光学镜头组,其特征在于,具该低反射层的该表面于波长500nm
‑
600nm的反射率为R5060,其满足下列条件:0%<R5060≤2.4%。10.如权利要求5所述的光学镜头组,其特征在于,具该低反射层的该表面于波长700nm
‑
1000nm的反射率为R70100,其满足下列条件:0%<R70100≤2.2%。11.一种取像装置,其特征在于,包含:一光学镜头组;以及
至少一载体;其中,该光学镜头组或该载体的至少一表面具有一低反射层,该低反射层包含一粗糙层、一纳米结晶颗粒与一疏水层,该纳米结晶颗粒配置在该粗糙层与该疏水层间,且该疏水层较该纳米结晶颗粒远离该光学镜头组或该载体的该表面;其中,该纳米结晶颗粒的材料至少包含SiO2;其中,该纳米结晶颗粒的平均粒径为DC,其满足下列条件:200nm<DC。12.如权利要求11所述的取像装置,其特征在于,该疏水层是选自于至少一种聚胺酯化合物、聚酰亚胺化合物、有机硅烷化合物、氟烷化合物、氟烯基醚聚合物、含氟硅烷化合物或含氟丙烯酸酯化合物。13.如权利要求11所述的取像装置,其特征在于,该纳米结晶颗粒为一多层结构,且该纳米结晶颗粒包含至少一高折射率膜层与至少一低折射率膜层;其中,该高折射率膜层与该低折射...
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡温祐,蔡承谕,邓钧鸿,
申请(专利权)人:大立光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。