光学传感器与其制作方法以及具有光学传感器的显示面板技术

本发明专利技术提供一种光学传感器、其制作方法以及具有光学传感器的显示面板。上述光学传感器包括第一电极、第二电极、感光富硅介电层与第一界面富硅介电层。感光富硅介电层设置于第一电极与第二电极之间。第一界面富硅介电层设置于第一电极与感光富硅富硅介电层之间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光学传感器、其制作方法以及具有光学传感器的显示面 板，尤其涉及一种具有复数层富硅介电层的光学传感器、其制作方法以及具有 光学传感器的显示面板。
技术介绍
近年来，光学传感器己逐渐应用于显示面板中，并通过其感测功能提供显示面板其它附加功能。例如，光学传感器可作为环境光传感器(ambient light sensor, ALS)，用以检测出环境光的强度并使液晶显示面板的背光强度得以作 出相对应的调整。另外，应用光学传感器也可整合至显示面板使显示面板具有 触控输入功能。然而，现行光学传感器的光电流与照光度之间的关系无法呈现出高度线性 关系，因此在各种应用中容易产生误差而无法精确使用，或是必须利用额外的 电路针对光电流与照光度的关系进行修正，而导致成本的增加。
技术实现思路
本专利技术的目的之一在于提供一种光学传感器、 一种制作光学传感器的方法 以及一种显示面板，以解决现有技术所面临的问题。为实现上述目的，本专利技术提供一种光学传感器，其包括第一电极、第二电 极、感光富硅介电层与第一界面富硅介电层。感光富硅介电层设置于第一电极 与第二电极之间。第一界面富硅介电层设置于第一电极与感光富硅富硅介电层 之间。为实现上述目的，本专利技术另提供一种制作光学传感器的方法，包括下列步 骤。提供第一电极。接着于第一电极上形成第一界面富硅介电层。随后于第一 界面富硅介电层上形成感光富硅介电层。之后，于感光富硅介电层上形成第二 电极。为实现上述目的，本专利技术还提供一种显示面板，其包括基板、薄膜晶体管 与光学传感器。基板上定义有至少一薄膜晶体管区与至少一光学传感器区。薄 膜晶体管设置于薄膜晶体管区内。光学传感器设置于光学传感器区，且光学传 感器包括第z—电极、第二电极、感光富硅介电层与第一界面富硅介电层。感光 富硅介电层设置于第一电极与第二电极之间。第一界面富硅介电层设置于第一 电极与感光富硅富硅介电层之间。本专利技术的光学传感器具有多数层富硅介电层，其中感光富硅介电层作为主 要感光层之用，而界面富硅介电层可改善感光富硅介电层的光电流与照光度的 关系，使光学传感器的光电流与照光度呈现出高度线性关系，因此可提升光学 传感器的精确度，以及光学传感器在显示面板或其它电子产品上的应用范围。附图说明图1为本专利技术一较佳实施例的光学传感器的示意图2为本专利技术另一较佳实施例的光学传感器的示意图3绘示了本专利技术的光学传感器的光电流与照光度的关系图4绘示了本专利技术一较佳实施例的制作光学传感器的方法流程图5为本专利技术一较佳实施例的显示面板的示意图。其中，附图标记10:光学传感器12:第一电极14:第二电极16:感光富硅介电层18:第一界面富硅介电层20:第二界面富硅介电层30:光学传感器40、42、 44、 46、 48:步骤流程50:显示面板52:基板54:薄膜晶体管区56:光学传感器区58:像素电极60:薄膜晶体管62:栅极64:源极/漏极70:光学传感器72:第一电极74:第二电极76:感光富硅介电层78:第一界面富硅介电层80:第二界面富硅介电层具体实施例方式为使熟习本专利技术的本领域技术人员能更进一步了解本专利技术，下文特列举本 专利技术的数个较佳实施例，并配合所附附图，详细说明本专利技术的构成内容及所欲 达成的功效。请参考图1。图1为本专利技术一较佳实施例的光学传感器的示意图。如图1所示，本实施例的光学传感器10包括第一电极12、第二电极14、感光富硅介 电层16，以及第一界面富硅介电层18。在本实施例中，第一电极12为阳极而 第二电极14为阴极，另外，第一电极12包括不透明电极，例如由钛或铝等金 属构成的单层电极，或是由钛或铝等金属构成复合层电极，而第二电极14包 括透明电极，例如氧化铟锡电极，但不以此为限。感光富硅介电层16设置于 第一电极12与第二电极14之间，而第一界面富硅介电层18设置于第一电极 12与感光富硅介电层16之间。感光富硅介电层16的厚度大于第一界面富硅 介电层18的厚度。例如，感光富硅介电层16的厚度大体上介于500埃至4000 埃，而第一界面富硅介电层18的厚度大体上介于5埃至500埃，但不以此为 限。本专利技术的感光富硅介电层16与第一界面富硅介电层18主要由硅、氢与氧 原子所构成，并可进一步包含氮原子或其它原子，其中在本实施例中，感光富 硅介电层16的组成表示式为SitiA凡,，且氢与氧的较佳比例大体上为1.05 <W1<1.41、 0. 39<xl<0. 47，而氮的比例为0SylS1.33，并以0. 06<yl <0.08较佳；此外第一界面富硅介电层18的组成表示式为SiHw20x2Ny2，且氢与 氧的较佳比例大体上为1.15<w2<2. 27、 0.29<x2<1.67，而氮的比例为O Sy2^1.33，并以0.09〈y2〈0. 18较佳，但不以此为限。在本实施例中，尽 管感光富硅介电层16中的氢的比例范围与第一界面富硅介电层18中的氢的比 例范围有部分重迭，但第一界面富硅介电层18中氢所占的比例必须大于感光 富硅介电层16中的氢所占的比例。此外，感光富硅介电层16具有阻抗值R1 与折射率nl，其中，阻抗值Rl为片电阻(sheet resistant)，单位为 ohm/square(Q/口)，且大体上为5X 10"<R1<5X 10'7、 2.7<nl<3.4，而第一 界面富硅介电层18具有阻抗值R2与折射率n2，其中，阻抗值R2为片电阻 (sheet resistant)，单位为ohm/square (Q/口)，且大体上为5X1017<R2<5X1019、 2.2<n2<2.7，但感光富硅介电层16的阻抗值Rl与折射率nl，以及 第一界面富硅介电层18的阻抗值R2与折射率n2并不以上述范围为限，而可 视材料组成或厚度的变化而有所不同。请参考图2。图2为本专利技术另一较佳实施例的光学传感器的示意图。为了 便于说明并比较本专利技术各实施例的异同，在本实施例与前述实施例中，相同的 组件使用相同的符号标注，并不再对重复部分赘述。如图2所示，与前述实施 例不同之处在于，本实施例的光学传感器30另包括第二界面富硅介电层20， 设置于感光富硅介电层16与第二电极14之间。第二界面富硅介电层20主要 由硅、氢与氧原子所构成，并可进一步包含氮原子或其它原子，其中第二界面 富硅介电层20的组成表示式为SiHw30x3Ny3，且氢与氧的较佳比例大体上为1. 15 <w3<2. 27、 0. 29<x3<1.67,而氮的比例为0勿3^1.33'并以0. 09<y3 <0. 18较佳。尽管感光富硅介电层16中的氢的比例范围与第二界面富硅介电 层20中的氢的比例范围有部分重迭，但在本实施例中，第二界面富硅介电层 20中氢所占的比例必须大于感光富硅介电层16中的氢所占的比例。第二界面富硅介电层20的厚度大体上介于5埃至500埃，但不以此为限。 另外，第二界面富硅介电层20具有阻抗值R3与折射率n3，其中，阻抗值R3 为片电阻(sheet resistant)，单位为ohm/square (Q/口)，且大体上5X10'7 &本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学传感器，其特征在于，包括：　一第一电极；　一第二电极；　一感光富硅介电层，设置于该第一电极与该第二电极之间；以及　一第一界面富硅介电层，设置于该第一电极与该感光富硅富硅介电层之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈信学，刘婉懿，彭佳添，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]