一种线性电路辐射缺陷提取方法技术

本发明专利技术公开了电路缺陷提取技术领域的一种线性电路辐射缺陷提取方法包括如下步骤：步骤1、获取线性电路的版图，对线性电路进行区域划分；步骤2、将电性能异常的区域标记为待测试区域；步骤3、将与待测试区域重合的位于将该分离元器件标记为待测试分立器件；步骤4、将待测试分立器件与线性电路分离，并在原待测试分立器件位置安装参照器件，并将参照器件与线性电路连接，再重新测试待测试区域的电性能，则结合前后两次电性能差距对待测试分立器件进行缺陷测试。本发明专利技术，能够快速对异常分立器件进行定位，提高提取效率，准确对分立器件缺陷进行测试，提升缺陷提取精度，使线性电路的辐射缺陷能够快速准确的得到提取。缺陷能够快速准确的得到提取。缺陷能够快速准确的得到提取。

【技术实现步骤摘要】
一种线性电路辐射缺陷提取方法


[0001]本专利技术属于电路缺陷提取
，具体是一种线性电路辐射缺陷提取方法。

技术介绍

[0002]双极器件普遍存在的低剂量率辐照损伤增强(enhancedlow
‑
dose
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ratesensitivity,ELDRS)效应给电子元器件的抗辐照能力测试评估方法带来巨大挑战。在研究电路级线性电路的辐射损伤和缺陷时，缺少可以对线性电路中的分立器件进行独立的缺陷提取的方法。
[0003]为解决上述为问题，中国专利文献CN109557442B记载了一种线性电路辐射缺陷提取方法，其包括：步骤100，对线性电路进行分析，确定待分离的分立器件；步骤200，对待分离的所述分立器件进行切割分离；步骤300，测试分离后的所述分立器件电性能，进行筛选；步骤400，从筛选后的所述分立器件中引出电极；步骤500，通过引出的所述电极对所述分立器件进行缺陷测试。该专利技术所述的线性电路辐射缺陷提取方法，通过切割筛选的方式，对线性电路中的分立器件进行分离，并引出电极，从而可以对线性电路中的分立本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种线性电路辐射缺陷提取方法，其特征在于：包括如下步骤：步骤1、获取线性电路的版图，对线性电路进行区域划分，并根据分立器件位置分析分立器件是否与多个区域重合；步骤2、若分立器件与一个区域重合则仅对分立器件所属区域电性能的电性能进行测试，若分立器件与多个区域重合则依次对分立器件所覆盖区域的电性能进行测试，将电性能异常的区域标记为待测试区域；步骤3、若与一个区域重合的分立器件所属区域为待测试区域，则将该分离元器件标记为待测试分立器件，若与多个区域重合的分立器件所属的任意重合区域为待测试区域，则将该分离元器件标记为待测试分立器件；步骤4、将待测试分立器件与线性电路分离，并在原待测试分立器件位置安装参照器件，并将参照器件与线性电路连接，再重新测试待测试区域的电性能，若前后两次电性能的差距超过阈值，则结合前后两次电性能差距对待测试分立器件进行缺陷测试。2.根据权利要求1所述的线性电路辐射缺陷提取方法，其特征在于：步骤1包括：步骤101、获取线性电路的版图；步骤102、对线性电路中所有分立器件的功能进行获取；步骤103、对功能相同或者相近且相互之间没有其他分立器件的多个分立器件划分为同一区域。3.根据权利要求2所述的线性电路辐射缺陷提取方法，其特征在于：步骤2包括：步骤201、根据步骤103划分的区域，结合分立器件位置，分析分立器件的引脚所占据的区域；步骤202、对分立器件引脚所占据区域的电性能均依次进行测试，步骤203、若所有区域的电性能均正常，则将该区域排除，若分立器件的引脚仅占据该区域，则将该分立器件排除；若任意区域的电性能异常，则将该区域标记为待测试区域。4.根据权利要求3所述的线...

【专利技术属性】
技术研发人员：阳卫，吴汉，李光明，张续文，吕志伟，张叶贵，吉畅，张启龙，
申请(专利权)人：六盘水师范学院，
类型：发明
国别省市：