【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有改进的散热器的半导体冷却装置
[0001]本专利技术涉及一种用于冷却诸如功率半导体的半导体器件的半导体冷却装置。由于此类器件产生的高功率损耗和相关联的热量，此类装置在逆变器领域中是有利的。
技术介绍
[0002]电气和电子元件在使用时会产生热量作为副产物。过热通常会影响性能和元件寿命，因此电气和特别是电子元件通常会被冷却以防止过热。
[0003]设备对它们可以有效操作的上限温度有限制，并且当超出了限制温度，因此设备可能变得效率低下并可能发生故障。在大多数情况下，由于过热，设备无法从故障中恢复，并且它们所在的整个系统变得无法使用，需要维修或在许多情况下更换“烧坏”的模块/系统。
[0004]预防胜于治疗，为了使系统更加稳固，已经付出了很多努力，但修理简单也同样有价值。
[0005]许多不同的方法已被用于解决过热限制：一些人试图增加设备的运行限制，尽管其范围有限，而大部分努力都集中在从设备、子模块和系统中去除热量。在许多功率电子元件应用中，散热器用于需要有效散热的地方。散热器通过热接触从电子元件吸收和...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体冷却装置，其特征在于，所述半导体冷却装置包括：至少一个半导体组件，其中每个半导体组件包括：散热器；与所述散热器键合的半导体芯片，其中，所述半导体芯片包括一半导体功率器件；覆盖所述半导体芯片的封装物，其中，所述散热器的键合有所述半导体芯片的一侧延伸超过所述封装物；电连接件，穿过所述封装物至所述半导体芯片；壳体，用于将所述至少一个半导体组件容纳在所述壳体内的腔室中，其中，所述壳体包括与所述腔室流体连通的入口端口和出口端口；至少一个挡板，每个所述挡板包括通孔，所述通孔设置为使得流体流过所述通孔到达所述半导体组件的安装有所述半导体功率器件的区域，或到达所述半导体组件的散热器的与安装所述半导体功率器件的位置相对的区域。2.根据权利要求1所述的半导体冷却装置，其特征在于，所述半导体芯片电耦合到所述散热器，并且所述散热器用作以下之一的电连接件：所述半导体功率器件的漏极或源极，其中，所述半导体功率器件为晶体管；所述半导体功率器件的集电极或发射极，其中，所述半导体功率器件为三极管；所述半导体功率器件的阳极或阴极，其中，所述半导体功率器件为二极管。3.根据前述任一项权利要求所述的半导体冷却装置，其特征在于，所述半导体芯片被烧结到所述散热器。4.根据权利要求3所述的半导体冷却装置，其特征在于，所述散热器包括银层，并且所述半导体芯片被烧结到所述银层。5.根据前述任一项权利要求所述的半导体冷却装置，其特征在于，所述散热器包括凹部，所述半导体芯片在所述凹部内键合到所述散热器，并且所述封装物填充或部分填充所述凹部并且不延伸超出所述凹部。6.根据前述任一项权利要求所述的半导体冷却装置，其特征在于，所述半导体组件包括：多个半导体芯片，每个半导体芯片包括晶体管；以及多个相应的封装物区域，每个所述封装物区域覆盖相应的半导体芯片并且与其余所述封装物区域分开。7.根据前述任一项权利要求所述的半导体冷却装置，其特征在于，所述散热器包括位于所述封装物周围的多个通孔。8.根据从属于权利要求5的权利要求7所述的半导体冷却装置，其特征在于，所述多个通孔位于所述凹部的周围。9.根据权利要求7或8所述的半导体冷却装置，其特征在于，包括位于所述散热器上与所述半导体芯片的键合位置相对的位置上的多个凸起元件，其中，所述多个凸起元件被布置为引导流体流向所述通孔。10.根据前述任一项权利要求所述的半导体冷却装置，其特征在于，除了最靠近所述出口的所述散热器外，每个所述散热器与在所述出口的方向上的相邻挡...
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