电容器装置和电路制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种电容器装置和电路。该电容器装置包括第一电极和第一电极下方并与其分开的第二电极，其中第一电极和第二电极中的至少一个包括多个导电台阶部分，该多个导电台阶部分具有不同的高度。该电容器还包括第一电极和第二电极之间的绝缘区域；和形成于第一电极和第二电极上的至少一个槽。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术所公开的实施例涉及电容器装置和电路，尤其是涉及具有多部分 导体的电容器装置和包括该电容器装置的电路。
技术介绍
一般来说，电容器是能够及时存储或吸收电荷的电装置。设置于电子装 置的电源/接地引脚附近的去耦电容可用于减少干扰噪声。例如，表面安装器件(SMDs)或在印刷电路板(PCBs)上或之中的嵌入结构可以减少不期望 的噪声。去耦电容为与信号以高速同步开关的电子装置提供直流(DC)局 部电源。随着IC中的信号传输速度的加快，电源噪声，地势跳动，同步开关噪 声(SSN)导致的不期望的干扰可以是严重的，因此不容设计者所忽略。然 而，随着电子器件运行在相对高的频率上，去耦电容器和电源传输系统由导 线引起的寄生电感可以变得更高。因此，对于去耦电容器难于稳定供电电平。嵌入或埋置于PCB, IC衬底或插层的电容器已经被提出来替代SMD电 容器以减少开关噪声。然而运行在高于共振频率的频率时，嵌入或埋置于 PCB, IC衬底或插层的电容器表现出的感性也多于容性。即，随着运行频率 增力口，嵌入式电容器的阻抗也可能增加，导致电源传输网络的去耦性能恶化。 因此，如何降低嵌入式电容器的阻抗和扩展去耦带宽成为了电源完整性设计 的关键问题。
技术实现思路
正如实施例所披露的，提供一种电容器装置。该电容器装置包括第一电 极和位于第一电极下方并与其分开的第二电极，其中第一电极和第二电极至 少之一包括多个导电台阶部分，多个导电台阶部分具有不同的高度。该电容 器装置还包括于第一电极和第二电极之间的绝缘区域；以及在第一电极和第 二电才及之一上的至少 一个冲曹。正如实施例所披露的，提供一种电路，该电路包括至少一信号层、接地 面、至少一个电容器装置、电源面及通过至少一电源接触连接和至少一地线 至接触与电路连接的电子装置。该至少一电容器装置包括第一电极和第二电 极，第二电极位于第一电极下方并与其分开，其中第一电极和第二电极中的 至少一个包括多个导电台阶部分，该多个导电台阶部分具有不同的高度。所公开的实施例附加描述的部分将在下文阐述，部分从说明书显见，或 可以通过本专利技术的实践习之。可以理解的是，上文的概述以及下文的详细描述都只是示范性的和说明 性的，而不是限制如权利要求所要求的本专利技术。附图说明当结合附图阅读时，前述的概述和本专利技术的以下详细描述，可以更好地 被理解。出于说明所公开的实施例的目的，在图中显示了目前为优选的示例。 应当理解的是，本专利技术并不限于所示的精确的布置和装置。在附图中图1A示出了由截面图所示的电容器装置的示例；图1B是图1A中所示的电容器装置的示意顶视图2A示出了由截面图所示的电容器装置的另一个示例；图2B是图2A中所示的电容器装置的示意顶视图3A示出了由截面图所示的电容器装置的另一个示例；图3B是图3A中所示的电容器装置的示意底视图4A示出了由截面图所示的电容器装置的另 一个示例；图4B是图4A中所示的电容器装置的示意顶视图5A示出了由截面图所示的电容器装置的另一个示例；图5B是图5A中所示的电容器装置的示意底视图6示出了由截面图所示的电容器装置的另一个示例；及图7示出了由截面图所示的嵌入在电路板中电容器装置的另一个示例。具体实施例方式现将详细参考与附图中所示的本专利技术 一致的实施例的目前的示例。所有 图中用的相同参考标记尽可能用于表示相同或相似的部件。值得注意的是附图是一种高度简化形式而不是精确的尺寸。就本文所所公开的而言，仅为了 方^f更和筒洁的目的，方向术语，如顶部和底部，是相对于附图^f吏用。这类结何方式解释为限制本专利技术的范围。显然，对于本领域的技术人员之一而言明显的是，如这里所讨论的衬底，可以是不仅包括印制电路板(PCB)，还可以包括其它类型有机和无机基衬底，这样的村底包括半导体、有机物、金属 和其它材料。也可以理解的是，此处示出的典型的电容器装置可以被设置为嵌入于衬底内或作为衬底上的SMD。图1A示出了由截面图所示的电容器装置12的一个示例，图1B是电容 器装置12的示意顶视图。图1A是从图1B所示的箭头n的方向所取的视 图，如图1A所示，电容器装置12可以包括多层的结构，其例如如图1A所 示，包括具有多个导电部分的导体，每个部分对应一层或一个台阶。电容器 装置12可以以许多方式设置，比如SMD或嵌入式装置。多层电容结构的例 子可以在中国台湾专利申请No.096144117中找到，其题目为"多层电容器 结构，及其制作方法和具有其的半导体衬底"，于2007年11月21日提交， 且受让给同一受让人，其通过引用的方式引入于此。电容器装置12可以包括第一电极12-4、包括第一导电层的12-1和第二 导电层12-2的第二电极12-3、和位于第一电极12-4与第二电极12-3之间的 绝缘层12-5。如图1A所示，第二电极12-3有多个由第一导电层12-1和第 二导电层12-2形成的导电台阶部分。例如，第一导电层12-1形成第二电极 12-3的第一导电台阶部分，第二导电层12-2形成第二电极12-3的第二导电 台阶部分。第一电容Q可以设置于第一电极12-4和第一导电层1:1之间， 而第二电容C2可以设置于第一电极12-4和第二导电层12-2之间。第一电极 12-4可以通过第一通孔18-1电连接到一4妄触，例如电源面。而且，包括第 一导电层12-1和第二导电层12-2的第二电极12-3可以通过第二通孔18-2 电连"t妄到另一4^触，例如地线平面。许多第一槽16-1可以通过图案化和蚀刻工艺形成于第一电极12-4上， 然后用绝缘物质填充。参考图1B,第一槽16-1可以沿着第二导电层12-2的 边S2，或者第二导电层12-2的有效电容区(用点线表示的)的外围的路径 形成。导电层的有效电容区域可以由第二电极12-3的导电层区域界定。在 本示例中，第一导电层12-1的有效电容面积大于第二导电层12-2的有效电容面积。在一个示例中，第一槽16-1的数目可与第二导电层12-2的有效电 容区域的形貌有关。例如在本示例中，第二导电层12-2的有效电容区域可 以是矩形，于是可以形成四个第一槽16-1。在另一个示例中，第二导电层 12-2的有效电容区域可以是一个三角形，于是可以形成三个第一槽16-1。而且，第二槽16-2也可以形成于第一电极12-4上。每个第二槽16-2可 以从第一槽16-1之一延伸到第一导电层12-1的有效电容区域的边S,之一。 利用一个或多个第一槽16-1和第二槽16-2,电容器装置12可以形成若干电 容区域，在本示例中，即，包括第一区域C2和两个第二区域Cn。如果形成 更多个类似于第一槽16-1和第二槽16-2的隔离槽，第一导电层12-1和第二 导电层12-2可以被分隔成更多的电容区域。电容器装置12可以通过通孔18-1 和18-2电连接到电子元件。与本专利技术的实施例一致的具有若干电容区域的 电容器装置12可以通过改变与有效电容区域的不同形貌相关的隔离槽来提 供电容的可调节的范围。图2A示出了由截面图所示的与所公开的实施例一致的另一电容器装置 12的示例，图2B是电容器装置12的示意顶^见图。如图2所示，电容器装 置12可以包括第一电极12-4、包括第一导电层的12-1和第二导电层12_2 的第二电极12-3、和位于第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电容器装置，包括：　第一电极；　所述第一电极下方并与其分开的第二电极，其中所述第一电极和所述第二电极的至少之一包括多个导电台阶部分，所述多个导电台阶部分具有不同的高度；　所述第一电极和所述第二电极之间的绝缘区域；及　 　形成于所述第一电极和所述第二电极中的一个上的至少一个第一槽。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：徐健明，李明林，赖信助，张慧如，洪瑞锋，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]