用于提升上瓣抑制的电路与天线制造技术

本发明专利技术提供一种用于提升上瓣抑制的电路与天线，用于提升上瓣抑制的电路包括：第一功分器、第二功分器、第三功分器、第一耦合器、第二耦合器、第一T1移相段、第二T1移相段、第一T2移相段、第二T2移相段、第一T3移相段、第二T3移相段以及相位补偿段，本发明专利技术通过等效相位可变的功分器与耦合器的配合获得随相位变化的幅度分配，再通过多路功分器和不同比例的移相段组成形成一个具有随端口相位等差变大，幅度分布锥削递增功能的电路，有利于提升天线电下倾后的上瓣抑制水平，解决天线实际使用中因上瓣抑制差引起的邻区干扰问题。抑制差引起的邻区干扰问题。抑制差引起的邻区干扰问题。

【技术实现步骤摘要】
用于提升上瓣抑制的电路与天线


[0001]本专利技术涉及移动通信设备
，尤其涉及一种用于提升上瓣抑制的电路与天线。

技术介绍

[0002]天线是一种将馈线中的射频信号与自由空间中的电磁波信号互相转换的转换装置，它的作用是建立无线用户与通信系统之间的联系和信息交换的空中“桥梁”。随着广大用户的无线通信需要不断增加，无线通信网络的覆盖深度在不断增加，网络质量要求也在不断提高。对基站天线产品指标的要求也在不断提高，推动产品朝精细化方向发展。传统的电调下倾天线，采用的馈电网络在电调下倾过程中幅度是保持不变的，电调下倾后由于复杂的相位叠加、相邻振子干扰等问题，必然会导致上瓣抑制水平的下降，且随下倾角变大抑制能力越差，邻区干扰越强。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供一种用于提升上瓣抑制的电路与天线，旨在解决现有基站天线技术中随主瓣电下倾角变大上瓣抑制变差的问题。
[0004]针对现有技术存在的问题，本专利技术提供一种用于提升上瓣抑制的电路，用于连接辐射阵列，所述辐射阵列包括依次设置的第一辐射单元、第二辐射单元、第三辐射单元、第四辐射单元以及第五辐射单元，所述用于提升上瓣抑制的电路包括：第一功分器、第二功分器、第三功分器、第一耦合器、第二耦合器、第一T1移相段、第二T1移相段、第一T2移相段、第二T2移相段、第一T3移相段、第二T3移相段以及相位补偿段；
[0005]所述第一功分器的输入端连接输入信号，所述第一功分器的第一输出端连接所述第二功分器的输入端，所述第一功分器的第二输出端连接所述第一T1移相段的输入端，所述第一功分器的第三输出端连接所述第三功分器的输入端；所述第二功分器的第一输出端与第二输出端与所述第一耦合器的第一输入端与第二输入端对应连接，所述第三功分器的第一输出端与第二输出端与所述第二耦合器的第一输入端与第二输入端对应连接；
[0006]所述第一耦合器的第一输出端与所述第二T2移相段的输入端连接，所述第一耦合器的第二输出端与所述第二T1移相段的输入端连接，所述第二耦合器的第一输出端与所述第二T3移相段的输入端连接，所述第二耦合器的第二输出端与所述第二T1移相段的输入端连接；
[0007]所述第二T2移相段的输出端与所述第一辐射单元连接，所述第二T1移相段的输出端与所述第一T2移相段的输入端连接，所述第一T2移相段的输出端与所述第二辐射单元连接，所述第一T1移相段的输出端与所述相位补偿段的输入端连接，所述相位补偿段的输出端与所述第三辐射单元连接，所述第二T1移相段的输出端与所述第一T3移相段的输入端连接，所述第一T3移相段的输出端与所述第四辐射单元连接，所述第二T3移相段的输出端与所述第五辐射单元连接；
[0008]其中，自所述第三辐射单元起向两侧，所述第三辐射单元、所述第二辐射单元以及所述第一辐射单元的信号幅度逐渐减小，所述第三辐射单元、所述第四辐射单元以及所述第五辐射单元的信号幅度逐渐减小，所述第一辐射单元、所述第二辐射单元、所述第三辐射单元、所述第四辐射单元以及所述第五辐射单元的信号相位呈可变等差变化。
[0009]根据本专利技术提供的一种用于提升上瓣抑制的电路，所述第二功分器与所述第三功分器均为等效相位可变功分器，所述第二功分器与所述第三功分器的等效相位同步变化；
[0010]所述第二功分器的第一输出端口与第二输出端口的等效相位的变化关系增减互逆且变化绝对值相等，所述第三功分器的第一输出端口与第二输出端口的等效相位的变化关系增减互逆且变化绝对值相等。
[0011]根据本专利技术提供的一种用于提升上瓣抑制的电路，所述第二功分器与所述第三功分器均包括功分带线以及滑动设置于所述功分带线上的滑动介质，所述功分带线具有一个输入端口以及两个输出端口，所述滑动介质用于在滑动的过程中调节两个输出端口的等效相位。
[0012]根据本专利技术提供的一种用于提升上瓣抑制的电路，所述第一耦合器与所述第二耦合器的第一输入端口与第二输入端口之间的端口隔离度大于30dB，所述第一耦合器与所述第二耦合器的第一输出端口与第二输出端口间具有90
°
固定相位差。
[0013]根据本专利技术提供的一种用于提升上瓣抑制的电路，所述第一TI移相段与所述第二T1移相段的等效相位同步增减变化设置。
[0014]根据本专利技术提供的一种用于提升上瓣抑制的电路，所述第一T1移相段、所述第二T1移相段、所述第二功分器以及第三功分器的等效相位同步变化，变化关系绝对值比为1:2:1:1。
[0015]根据本专利技术提供的一种用于提升上瓣抑制的电路，所述第一T2移相段与所述第二T2移相段的等效相位同步增减变化；所述第一T3移相段与所述第二T3移相段等效相位同步增减变化。
[0016]根据本专利技术提供的一种用于提升上瓣抑制的电路，所述第一T2移相段、所述第二T2移相段和所述第一T3移相段、所述第二T3移相段的等效相位同步变化，所述第一T2移相段、所述第二T2移相段和所述第一T3移相段、所述第二T3移相段的等效相位变化关系增减互逆，所述第一T2移相段、所述第二T2移相段、所述第一T3移相段以及所述第二T3移相段的等效相位变化关系绝对值比为1:2:1:2。
[0017]本专利技术还提供一种天线，包括辐射阵列以及连接所述辐射阵列的用于提升上瓣抑制的电路，所述用于提升上瓣抑制的电路为如上任一项所述的用于提升上瓣抑制的电路。
[0018]本专利技术提供的提升上瓣抑制的馈电网络，通过等效相位可变的功分器与耦合器的配合来获得随相位变化的幅度分配，再通过多路功分器和不同比例的移相段组成形成一个完整的馈电网络，馈电网络具有随端口相位等差变大，幅度分布锥削递增功能。通过幅度锥削的增大，可有效的提升天线的上瓣抑制水平，达到随电下倾角变大，上瓣抑制不恶化的效果。
附图说明
[0019]为了更清楚地说明本专利技术或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术
描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0020]图1为本专利技术提供的用于提升上瓣抑制的电路的结构框图示意图；
[0021]图2为图1中第二功分器的结构示意图；
[0022]图3为图1中第一耦合器的结构示意图。
[0023]附图标记：附图标记：1：电路；2：第一功分器；3：第二功分器；31：功分带线；32：滑动介质；33：输入端口；34：第一输出端口；35：第二输出端口；4：第三功分器；5：第一耦合器；51：输入口；52：直通口；53：耦合口；54：隔离口；6：第二耦合器；7：第一T1移相段；8：第二T1移相段；9：第一T2移相段；10：第二T2移相段；11：第一T3移相段；12：第二T3移相段；13：相位补偿段；14：辐射单元阵列；141：第一辐射单元；142：第二辐射单元；143：第三辐射单元；144：第四辐射单元；145：第五辐射单元。
具体实施方式<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于提升上瓣抑制的电路，用于连接辐射阵列，所述辐射阵列包括依次设置的第一辐射单元、第二辐射单元、第三辐射单元、第四辐射单元以及第五辐射单元，所述用于提升上瓣抑制的电路包括：第一功分器、第二功分器、第三功分器、第一耦合器、第二耦合器、第一T1移相段、第二T1移相段、第一T2移相段、第二T2移相段、第一T3移相段、第二T3移相段以及相位补偿段；所述第一功分器的输入端连接输入信号，所述第一功分器的第一输出端连接所述第二功分器的输入端，所述第一功分器的第二输出端连接所述第一T1移相段的输入端，所述第一功分器的第三输出端连接所述第三功分器的输入端；所述第二功分器的第一输出端与第二输出端与所述第一耦合器的第一输入端与第二输入端对应连接，所述第三功分器的第一输出端与第二输出端与所述第二耦合器的第一输入端与第二输入端对应连接；所述第一耦合器的第一输出端与所述第二T2移相段的输入端连接，所述第一耦合器的第二输出端与所述第二T1移相段的输入端连接，所述第二耦合器的第一输出端与所述第二T3移相段的输入端连接，所述第二耦合器的第二输出端与所述第二T1移相段的输入端连接；所述第二T2移相段的输出端与所述第一辐射单元连接，所述第二T1移相段的输出端与所述第一T2移相段的输入端连接，所述第一T2移相段的输出端与所述第二辐射单元连接，所述第一T1移相段的输出端与所述相位补偿段的输入端连接，所述相位补偿段的输出端与所述第三辐射单元连接，所述第二T1移相段的输出端与所述第一T3移相段的输入端连接，所述第一T3移相段的输出端与所述第四辐射单元连接，所述第二T3移相段的输出端与所述第五辐射单元连接；其中，自所述第三辐射单元起向两侧，所述第三辐射单元、所述第二辐射单元以及所述第一辐射单元的信号幅度逐渐减小，所述第三辐射单元、所述第四辐射单元以及所述第五辐射单元的信号幅度逐渐减小，所述第一辐射单元、所述第二辐射单元、所述第三辐射单元、所述第四辐射单元以及所述第五辐射单元的信号相位呈可变等差变化。2.根据权利要求1所述的用于提升上瓣抑制的电路，其特征在于，所述第二功分器与所述第三功分器均为等效相位可变功分器，所述第二功分器...

【专利技术属性】
技术研发人员：滕康平，杨能文，
申请(专利权)人：中信科移动通信技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：