一种双管并联NPC三电平逆变器的叠层母排及逆变器制造技术

本发明专利技术提供了一种双管并联NPC三电平逆变器的叠层母排及逆变器，该叠层母排包括四层母排；第一层母排用于设置安装突波吸收电容的连接端子；第二层、第四层母排采用镜像设计，用于逆变器上桥臂与P极直流母线或者下桥臂与N极直流母线的电气连接，以及逆变器上、下桥臂内可控半导体器件之间、以及可控半导体器件与钳位二极管之间的电气连接；第三层母排用于逆变器上、下桥臂AC交流输出的电气连接，以及两个钳位二极管与O极直流母线的电气连接；第二层、第三层、第四层母排上可控半导体器件的连接孔采用两组并联设置。该叠层母排可以增加逆变器的载流能力，抑制可控半导体器件在导通与关断切换时产生的电压尖峰，提高逆变器的容量。提高逆变器的容量。提高逆变器的容量。

【技术实现步骤摘要】
一种双管并联NPC三电平逆变器的叠层母排及逆变器


[0001]本专利技术属于叠层母排
，具体涉及一种双管并联NPC三电平逆变器的叠层母排，尤其涉及一种低杂散电感量、大载流量的叠层母排，以及采用该叠层母排连接的逆变器。

技术介绍

[0002]现有技术中逆变器包括多个可控型半导体器件，由于电路寄生电感的存在，当可控型半导体器件在导通与闭锁之间切换时会在电路上会产生一个瞬时的电压尖峰，如果不能有效的抑制电压尖峰则有可能将可控半导体器件过压击穿导致损坏。在电路内增加突波吸收电容能够有效的吸收瞬时电压尖峰，突波吸收电容安装在尽量靠近可控半导体器件附近的位置上时效果最好。
[0003]如图1所示，现有的典型二极管钳位三电平逆变器包括4个可控型半导体器件T1、T2、T3、T4，两个钳位二极管D1、D2，和母线支撑电容C1、C2。该逆变器的载流能力受制于可控半导体器件的载流能力大小限制。同时没有突波吸收电容使得其直流母线的电压必须保留更多的安全余量防止电压尖峰将可控半导体器件击穿。
[0004]专利CN 102882385 B公开了一种用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双管并联NPC三电平逆变器的叠层母排，其特征在于，包括四层母排；第一层母排，用于设置安装突波吸收电容的连接端子；第二层、第四层母排，采用镜像设计，用于逆变器上桥臂与P极直流母线或者下桥臂与N极直流母线的电气连接，以及逆变器上、下桥臂内可控半导体器件之间、以及可控半导体器件与钳位二极管之间的电气连接；第三层母排，用于逆变器上、下桥臂与AC交流输出的电气连接，以及两个钳位二极管与O极直流母线的电气连接；所述第二层、第三层、第四层母排上可控半导体器件的连接孔采用两组并联设置。2.根据权利要求1所述的叠层母排，其特征在于，所述第一层母排包括第一母排，用于设置安装突波吸收电容的连接端子，以及将连接端子连通到O极直流母线上；所述第二层母排包括第二母排、第三母排，所述第二母排用于逆变器下桥臂与N极直流母线的电气连接，所述第三母排用于逆变器下桥臂可控半导体器件之间、以及可控半导体器件与钳位二极管之间的电气连接；所述第三层母排包括第四母排、第五母排，所述第四母排用于逆变器上、下桥臂与AC交流输出的电气连接，所述第五母排用于两个钳位二极管与O极直流母线的电气连接，以及第一母排与O极直流母线的连接；所述第四层母排包括第六母排、第七母排，所述第六母排用于逆变器上桥臂与P极直流母线的电气连接，所述第七母排用于逆变器上桥臂可控半导体器件之间、以及可控半导体器件与钳位二极管之间的电气连接。3.根据权利要求2所述的叠层母排，其特征在于，所述第一母排包括直排、中心与直排一端一体连接的侧排，第一母排关于直排对称设计；所述第二母排、第三母排均为矩形结构，相邻侧边平行于直排...

【专利技术属性】
技术研发人员：张艳清，杨鑫，窦艺朝，马逊，王海亮，陈玫志，余笔超，
申请(专利权)人：中国航天科工飞航技术研究院中国航天海鹰机电技术研究院，
类型：发明
国别省市：