薄膜及其制备方法、发光器件及其制备方法、显示装置制造方法及图纸

本申请涉及显示技术领域，公开了一种薄膜及其制备方法、发光器件及其制备方法、显示装置。所述薄膜的制备方法包括：提供第一溶液，所述第一溶液包括有机溶剂、石蜡和空穴传输材料；提供基板，将所述第一溶液设置在基板上，获得薄膜。从而在形成薄膜的过程中，促使所述第一溶液进行相分离，使得薄膜形成纳米多孔结构，使得利用所述薄膜形成的空穴传输层制备发光层，量子点纳米颗粒填充到空穴传输薄膜的纳米多孔结构的纳米多孔中，形成一种异质结结构，该异质结结构有利于降低空穴传输材料与量子点发光层之间的势垒，促进空穴从空穴传输层注入到量子发光层，提高了空穴注入效率，使发光器件中载流子更加平衡，从而有效提高发光器件效率和寿命。件效率和寿命。件效率和寿命。

【技术实现步骤摘要】
薄膜及其制备方法、发光器件及其制备方法、显示装置


[0001]本申请涉及显示
，特别是涉及一种薄膜及其制备方法、发光器件及其制备方法、显示装置。

技术介绍

[0002]量子点具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、量子产额高等优点，加上可利用印刷工艺制备，所以基于量子点的发光二极管(即量子点发光二极管：QLED)近来受到人们的普遍关注，其器件性能指标也发展迅速。目前红、绿两种颜色的QLED外量子效率均超过了20％，器件寿命也基本达到要求。
[0003]但是蓝色量子点发光二极管中，常用的空穴传输材料的迁移率太低，导致量子点发光层中的载流子注入不平衡，载流子迁移率还不能完全满足要求，从而严重限制了蓝色量子点发光二极管的性能。此外，其余的空穴传输材料还存在与蓝色量子点发光层的势垒较高，不利于空穴从空穴传输层注入到量子点发光层。由此，导致蓝色量子点发光二极管发光效率、亮度较低或寿命较短。
[0004]因此，如何优化电子传输材料的性能，提高其在量子点发光二极管中的电子迁移率，有效平衡量子点发光层中的载流子，对于提高量子点发光二极管的发光效率或寿命尤为关键。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本申请提供一种薄膜及其制备方法、发光器件及其制备方法、显示装置，旨在改善量子点发光二极管的发光效率低或寿命短的技术问题。
[0006]为了解决上述技术问题，本申请实施例提供了一种薄膜的制备方法，所述制备方法包括：
[0007]提供第一溶液，所述第一溶液包括有机溶剂、石蜡和空穴传输材料；
[0008]提供基板，将所述第一溶液设置在基板上，获得薄膜。
[0009]在一些实施例中，所述提供第一溶液包括：
[0010]将所述空穴传输材料与所述有机溶剂混合，使所述空穴传输材料溶解，形成混合液；
[0011]在所述混合液中加入石蜡，形成所述第一溶液。
[0012]在一些实施例中，所述空穴传输材料选自TFB、PVK、Poly
‑
TPD、TCATA、CBP、TPD、NPB、PEDOT:PSS、TAPC、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯以及C60中的至少一种，或者选自掺杂或非掺杂的NiO、MoOx、WOx以及CuO中的至少一种；和/或，所述有机溶剂选自甲苯、氯苯、氯仿、二甲基亚砜中的至少一种。
[0013]在一些实施例中，所述空穴传输材料与石蜡的质量比为8:(0.1～0.5)。
[0014]在一些实施例中，所述第一溶液中，所述石蜡的浓度为0.1mg/ml～0.5mg/ml；和/或，所述空穴传输材料的浓度为5mg/ml～8mg/ml。
[0015]在一些实施例中，所述提供基板，将所述第一溶液设置在基板上，获得薄膜；包括：
[0016]提供基板，将所述基板置于惰性气体气氛中，将所述第一溶液设置在所述基板上，进行真空处理，形成所述薄膜，其中所述薄膜具有纳米多孔结构。
[0017]在一些实施例中，所述薄膜的厚度为10～100nm。
[0018]相应的，本申请实施例还提供了一种薄膜，所述薄膜使用本申请所述的薄膜的制备方法制得。
[0019]相应的，本申请实施例还提供了一种发光器件，其特征在于，所述发光器件包括层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层及阴极；其中，所述空穴传输层包括本申请实施例所述的薄膜。
[0020]在一些实施例中，所述发光层的材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自II
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VI族化合物、III
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V族化合物和I
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III
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VI族化合物中的至少一种，所述II
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VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe及CdZnSTe中的至少一种，所述III
‑
V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种，所述I
‑
III
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VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的至少一种；和/或，
[0021]所述阳极的材料选自金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种，所述选自金属Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的一种或多种；所述碳材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种；所述金属氧化物包括掺杂或非掺杂金属氧化物，包括ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的一种或多种，或者包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，所述复合电极选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的一种或多种；和/或，
[0022]所述阴极的材料选自金属、碳材料以及金属氧化物中的一种或多种，所述金属选自Al、Ag、Cu、Mo、Au、Ba、Ca以及Mg中的一种或多种；所述碳材料选自石墨、碳纳米管、石墨烯以及碳纤维中的一种或多种；所述金属氧化物包括掺杂或非掺杂金属氧化物，包括ITO、FTO、ATO、AZO、GZO、IZO、MZO以及AMO中的一种或多种，或者包括掺杂或非掺杂透明金属氧化物之间夹着金属的复合电极，所述复合电极选自AZO/Ag/AZO、AZO/Al/AZO、ITO/Ag/ITO、ITO/Al/ITO、ZnO/Ag/ZnO、ZnO/Al/ZnO、TiO2/Ag/TiO2、TiO2/Al/TiO2、ZnS/Ag/ZnS、ZnS/Al/ZnS、TiO2/Ag/TiO2以及TiO2/Al/TiO2中的一种或多种。
[0023]在一些实施例中，所述发光器件还包括空穴传输层，所述空穴注入层位于所述空穴传输层与所述阳极之间；和/或，所述空穴注入层的材料选自PEDOT:PSS、MCC、CuPc、F4
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TCNQ、HATCN、过渡金属氧化物、过渡金属硫系化合物中的一种或多种。
[0024]在一些实施例中，所述发光器件还包括电子传输层，所述电子传输层位于发光层与阴极之间；和/或，所述电子传输层的材料选自纳米氧化锌材料、纳米氧化钛材料、纳米氧化锡材料、纳米钛酸钡材料，及其元素掺杂纳米氧化物电子传输材料中的至少一种，所用掺杂元素选自铝元素、镁元素本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供第一溶液，所述第一溶液包括有机溶剂、石蜡和空穴传输材料；提供基板，将所述第一溶液设置在基板上，获得薄膜。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述提供第一溶液包括：将所述空穴传输材料与所述有机溶剂混合，使所述空穴传输材料溶解，形成混合液；在所述混合液中加入石蜡，形成所述第一溶液。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述空穴传输材料选自TFB、PVK、Poly
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TPD、TCATA、CBP、TPD、NPB、PEDOT:PSS、TAPC、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯以及C60中的至少一种，或者选自掺杂或非掺杂的NiO、MoOx、WOx以及CuO中的至少一种；和/或，所述有机溶剂选自甲苯、氯苯、氯仿、二甲基亚砜中的至少一种。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述空穴传输材料与石蜡的质量比为8:(0.1～0.5)。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一溶液中，所述石蜡的浓度为0.1mg/ml～0.5mg/ml；和/或，所述空穴传输材料的浓度为5mg/ml～8mg/ml。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述提供基板，将所述第一溶液设置在基板上，获得薄膜；包括：提供基板，将所述基板置于惰性气体气氛中，将所述第一溶液设置在所述基板上，进行真空处理，形成所述薄膜，其中所述薄膜具有纳米多孔结构。7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述薄膜的厚度为10～100nm。8.一种薄膜，其特征在于，所述薄膜使用权利要求1至7任一项所述的薄膜的制备方法制得。9.一种发光器件，其特征在于，所述发光器件包括层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层、及阴极；其中，所述空穴传输层包括权利要求8所述的薄膜。10.根据权利要求9所述的发光器件，其特征在于，所述发光层的材料选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自II
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VI族化合物、III
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V族化合物和I
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III
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VI族化合物中的至少一种，所述II
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VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe及CdZnSTe中的至少一种，所述III
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V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种，所述I
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III
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VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、C...

【专利技术属性】
技术研发人员：李龙基，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：