工业硅新型烘炉工艺制造技术

本发明专利技术涉及工业硅技术领域，是一种工业硅新型烘炉工艺；按下述方法进行：改变烘炉时所使用的导热材料，使用破碎的废电极代替焦炭并加入油焦颗粒进行烘炉作业。本发明专利技术通过改变导热材料，使用破碎的废电极代替焦炭并加入油焦颗粒进行烘炉作业，并采用送电坐烧的方式，因电极属于石墨化碳块含铁量较低，且烘炉结束后不需要再投入人工进行清理工作，可大大节省人力及热量的损失，从而降低烘炉时所产生的费用，同时提高了产品品质和产量。同时提高了产品品质和产量。

【技术实现步骤摘要】
工业硅新型烘炉工艺


[0001]本专利技术涉及工业硅
，是一种工业硅新型烘炉工艺。

技术介绍

[0002]东部合盛硅业电炉目前使用的烘炉工艺为焦烘，成本高、烘炉结束后需投入大量人力进行清理同时造成大量的热损失，清炉结束后需重新送电提升炉温；如不清理积碳及炉膛积灰铁含量超高；投产后严重影响生产出来的产品质量。

技术实现思路

[0003]本专利技术提供了一种工业硅新型烘炉工艺，克服了上述现有技术之不足，其能有效解决现有烘炉材料为焦烘，存在成本高、清理时热损失大、积灰铁含量高导致投产后严重影响产品品质的问题。
[0004]本专利技术的技术方案是通过以下措施来实现的：一种工业硅新型烘炉工艺，按下述方法进行：改变烘炉时所使用的导热材料，使用破碎的废电极代替焦炭并加入油焦颗粒进行烘炉作业。
[0005]下面是对上述专利技术技术方案的进一步优化或/和改进：上述油焦颗粒的加入量为废电极和油焦颗粒总质量的50%。
[0006]上述烘炉作业采用送电坐烧方式。
[0007]上述送电坐烧方式按下述方法进行，在三相电极下方垫一块炭板，然后在三相电极和炭板之间铺一层小碳块，最后在三相电极和炭板的周围围一圈油焦颗粒和碳块颗粒后，进行送电坐烧。
[0008]上述炭板的规格为400mm*400mm*200mm。
[0009]上述一层小碳块的厚度500mm至600mm。
[0010]上述油焦颗粒和碳块颗粒的质量比为1:1。
[0011]上述碳块的粒径为30毫米至50毫米；油焦颗粒的粒径为30毫米至60毫米。
[0012]本专利技术通过改变导热材料，使用破碎的废电极代替焦炭并加入油焦颗粒进行烘炉作业，并采用送电坐烧的方式，因电极属于石墨化碳块含铁量较低，且烘炉结束后不需要再投入人工进行清理工作，可大大节省人力及热量的损失，从而降低烘炉时所产生的费用，同时提高了产品品质和产量。
实施方式
[0013]本专利技术不受下述实施例的限制，可根据本专利技术的技术方案与实际情况来确定具体的实施方式。
[0014]实施例1，该工业硅新型烘炉工艺，按下述方法进行：改变烘炉时所使用的导热材料，使用破碎的废电极代替焦炭并加入油焦颗粒进行烘炉作业。
[0015]实施例2，作为上述实施例的优化，油焦颗粒的加入量为废电极和油焦颗粒总质量
的50%。
[0016]实施例3，作为上述实施例的优化，烘炉作业采用送电坐烧方式。
[0017]实施例4，作为上述实施例的优化，送电坐烧方式按下述方法进行，在三相电极下方垫一块炭板，然后在三相电极和炭板之间铺一层小碳块，最后在三相电极和炭板的周围围一圈油焦颗粒和碳块颗粒后，进行送电坐烧。
[0018]实施例5，作为上述实施例的优化，炭板的规格为400mm*400mm*200mm。
[0019]实施例6，作为上述实施例的优化，一层小碳块的厚度500mm至600mm。
[0020]实施例7，作为上述实施例的优化，油焦颗粒和碳块颗粒的质量比为1:1。
[0021]实施例8，作为上述实施例的优化，碳块的粒径为30毫米至50毫米；油焦颗粒的粒径为30毫米至60毫米。
[0022]本专利技术工业硅新型烘炉工艺，需解决的技术问题及技术方案的确定本专利技术需解决的技术问题（1）需通过改变烘炉时的导热材料，解决炉膛积灰铁含量超高，影响产品质量的问题。
[0023]（2）需要对碳板、油焦颗粒直径、炭块直径的参数进行确定，以达到充分利用其热效能，节约成本，提高质量的目的。
[0024]本专利技术技术方案的确定1.本专利技术新型烘炉工艺开车方案设计：通过现场调研和情况分析，利用对影响生产烘炉的限制因素进行分析，形成新型烘炉工艺的开车方案，将导热材料改为破碎的废电极并加入50%的油焦颗粒，达到产品质量逐步提升，减少员工工作量，减少热量损失，降低烘炉费用，提升生产效益的目的。
[0025]2.烘炉方式调整将三相电极下方垫一块400*400*200mm的炭板，将小碳块铺在碳板上方，厚度500
‑
600mm，周围加入按1:1混合好的油焦和碳块颗粒进行送电坐烧。
[0026]（1）将导热材料改为破碎的废电极并加入50%的油焦颗粒，利用电极属于石墨化碳块含铁量较低，达到提高产品质量、节省人力及热量损失的目的。
[0027]（2）将碳块加工到30
‑
50mm，油焦颗粒30
‑
60mm，为了更好地利用碳块和油焦的热效能，烘炉方式改为坐烧方式（按一体炉衬坐烧步骤进行）。
[0028]（3）将三相电极下方垫一块400*400*200mm的炭板，将小碳块铺在碳板上方，厚度500
‑
600mm，周围加入按1:1混合好的油焦和碳块颗粒进行送电坐烧。
[0029]炭块直径：30
‑
50毫米;油焦颗粒直径：30
‑
60毫米;炭板规格：400*400*200mm；减少每次投料后炉温提升时间：10天。
[0030]本专利技术工业硅新型烘炉工艺符合国家“双碳”的精神要求，是国家、行业鼓励提倡的新型工业技术研发的重要内容。本专利技术是工业硅大炉型烘炉工艺节能降耗的重要环节，对公司依靠科技创新与技术升级，提高产品市场占有率及品级率、引领行业技术革新等具有重要意义。
[0031]本专利技术的优点：原烘炉工艺模式，投料后15天左右炉况和产品质量逐步提升恢复正常，采用本专利技术工业硅新型烘炉工艺，可以达到投料后5天左右炉况和产品质量逐步提升正常，提高生产
效益。采用本专利技术工业硅新型烘炉工艺，每年可减少单吨成本50
‑
100元，提升产能3
‑
5吨。
[0032]以上技术特征构成了本专利技术的实施例，其具有较强的适应性和实施效果，可根据实际需要增减非必要的技术特征，来满足不同情况的需求。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种工业硅新型烘炉工艺，其特征在于按下述方法进行：改变烘炉时所使用的导热材料，使用破碎的废电极代替焦炭并加入油焦颗粒进行烘炉作业。2.根据权利要求1所述的工业硅新型烘炉工艺，其特征在于油焦颗粒的加入量为废电极和油焦颗粒总质量的50%。3.根据权利要求1或2所述的工业硅新型烘炉工艺，其特征在于烘炉作业采用送电坐烧方式。4.根据权利要求3所述的工业硅新型烘炉工艺，其特征在于送电坐烧方式按下述方法进行，在三相电极下方垫一块炭板，然后在三相电极和炭板之间铺一层小碳块，最后在三相电极和炭板的周围围一圈油焦颗粒和碳块颗粒后，进行送电坐烧。5.根据权利要求4所述的工业硅新型烘炉工艺，其特征在于炭...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴再宝，莫洪兵，祁红伟，张占良，陈宇，蒋一世，宋承成，王治国，朱元林，杨朝山，吴双，
申请(专利权)人：新疆东部合盛硅业有限公司，
类型：发明
国别省市：