半导体纳米颗粒、其制备方法、颜色转换面板和电子装置制造方法及图纸

公开了一种半导体纳米颗粒、其制备方法、包括其的颜色转换面板和电子装置。该颜色转换面板包括颜色转换层，颜色转换层包括颜色转换区域和任选的分隔壁，分隔壁限定颜色转换层的各区域，其中，颜色转换区域包括与第一像素对应的第一区域，第一区域包括第一复合物，第一复合物包括基质和半导体纳米颗粒，其中，半导体纳米颗粒分散在基质中，半导体纳米颗粒包括银、13族金属、锌和硫属元素，半导体纳米颗粒发射第一光，13族金属是铟、镓、铝或其组合，硫属元素是硫、硒或其组合，并且在半导体纳米颗粒中，锌与银、13族金属和锌的总和的摩尔比大于或等于约0.01:1。或等于约0.01:1。或等于约0.01:1。

【技术实现步骤摘要】
半导体纳米颗粒、其制备方法、颜色转换面板和电子装置
[0001]本申请要求于2022年3月18日在韩国知识产权局提交的第10
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2022
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0034340号韩国专利申请的优先权和权益以及由其产生的所有权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。


[0002]公开了一种(发光)纳米颗粒、该纳米颗粒的制造方法以及包括该纳米颗粒的颜色转换面板和电子装置。

技术介绍

[0003]半导体纳米颗粒可以具有与具有基本上相同组成的对应的体(bulk)材料不同的方面、特性或性质。例如，半导体纳米颗粒可以具有基于纳米结构的不同的物理性质(例如，带隙能、发光性质等)。半导体纳米颗粒可以被构造为在被能量(诸如入射光或施加的电压)激发时发射光。发光纳米结构可以在各种装置(例如，显示面板或包括显示面板的电子装置)中找到适用性。

技术实现思路

[0004]一方面涉及一种颜色转换面板，该颜色转换面板包括半导体纳米颗粒，所述半导体纳米颗粒能够发射光并表现出改善的光学性质(例如，相对高的激发光吸收率或窄的半峰全宽)和改善的稳定性(例如，工艺稳定性和/或化学稳定性)。
[0005]一方面涉及该半导体纳米颗粒的群。
[0006]一方面涉及一种制造该半导体纳米颗粒的方法。
[0007]一方面涉及一种包括该半导体纳米颗粒的组合物(例如，墨组合物)。
[0008]一方面涉及一种包括该半导体纳米颗粒或颜色转换面板的电子装置(例如，显示装置)。
[0009]一方面提供了一种颜色转换面板，该颜色转换面板包括颜色转换层，颜色转换层包括颜色转换区域和任选的分隔壁，分隔壁限定颜色转换层的各区域，其中，颜色转换区域包括与第一像素对应的第一区域，
[0010]第一区域包括第一复合物，并且
[0011]第一复合物包括基质和半导体纳米颗粒，其中，半导体纳米颗粒分散在基质中，半导体纳米颗粒包括银、13族金属、锌和硫属元素，
[0012]其中，半导体纳米颗粒被构造为发射第一光(例如，半导体纳米颗粒发射第一光)，
[0013]13族金属是铟、镓、铝或其组合，
[0014]硫属元素是硫、硒或其组合，并且
[0015]在半导体纳米颗粒中，锌与银、13族金属和锌的总和的摩尔比(在下文中，被称为“锌相对摩尔比”)大于或等于约0.01:1。
[0016]锌相对摩尔比可以大于或等于约0.05:1或者大于或等于约0.1:1或者大于或等于
约0.12:1。13族金属可以是铟、镓或其组合。13族金属可以是铟和镓。在半导体纳米颗粒中，锌与银、铟、镓和锌的总和的摩尔比可以小于约1:1或者小于或等于约0.95:1。
[0017]在半导体纳米颗粒中，如由等式1定义的电荷平衡值可以大于或等于约0.5至小于或等于约1.5：
[0018]等式1
[0019]电荷平衡值＝{[Ag]+3
×
([13族金属])+2
×
[Zn]}/(2
×
[CHA])
[0020]其中，在等式1中，[Ag]、[13族金属]、[Zn]和[CHA]分别是半导体纳米颗粒中的银、13族金属、锌和硫属元素的摩尔量。
[0021]电荷平衡值可以大于或等于约0.8或者大于或等于约1.02，并且小于或等于约1.5、小于或等于约1.4或者小于或等于约1.1。
[0022]在半导体纳米颗粒中，13族金属可以包括铟、镓或其组合。在半导体纳米颗粒中，13族金属还可以包括铝。
[0023]这里描述的半导体纳米颗粒或第一半导体纳米晶体还可以包括铜，或者这里描述的半导体纳米颗粒或第一半导体纳米晶体可以不包括铜。
[0024]在半导体纳米颗粒中，硫属元素可以包括硫。硫属元素可以任选地包括或可以不包括硒。
[0025]第一光可以具有大于或等于约500纳米(nm)至小于或等于约650nm的最大发射波长。第一光可以是绿光。半导体纳米颗粒可以被构造为发射绿光。
[0026]第一光或绿光的最大发射波长可以大于或等于约505nm至小于或等于约580nm或者小于或等于约550nm。
[0027]半导体纳米颗粒可以具有大于或等于约50％的量子产率(例如，绝对量子产率)。
[0028]半导体纳米颗粒可以具有大于或等于约60％的量子产率(例如，绝对量子产率)。
[0029](绝对)量子产率可以大于或等于约62％、大于或等于约65％或者大于或等于约70％。
[0030](绝对)量子产率可以小于或等于约100％或者小于或等于约98％。
[0031]半导体纳米颗粒或第一光可以具有小于或等于约90nm、小于或等于约80nm、小于或等于约70nm、小于或等于约45nm、小于或等于约40nm或者小于或等于约35nm的半峰全宽(FWHM)。
[0032]半导体纳米颗粒或第一光的半峰全宽可以大于或等于约5nm、大于或等于约10nm、大于或等于约15nm或者大于或等于约25nm。
[0033]第一光可以包括或可以是带边发射。
[0034]半导体纳米颗粒的至少约90％、至少约95％或至少约97％的发射可以是带边发射。
[0035]在半导体纳米颗粒的光致发光光谱中，相对带边发射强度可以大于约20，其中，相对带边发射强度由等式4定义：
[0036]等式4
[0037]相对带边发射强度＝A1/A2
[0038]其中，在等式4中，
[0039]A1是最大发射波长处的强度，并且
[0040]A2是最大发射波长+大于或等于约80nm或约120nm的波长范围内的最大强度。
[0041]在半导体纳米颗粒中，锌与硫的摩尔比(Zn:S)可以大于或等于约0.1:1。锌与硫的摩尔比(Zn:S)可以小于或等于约0.8:1。
[0042]在半导体纳米颗粒中，铟和镓的总和与硫的摩尔比[(In+Ga):S]可以大于或等于约0.05:1。铟和镓的总和与硫的摩尔比[(In+Ga):S]可以小于或等于约0.8:1，或者小于或等于约0.5:1。
[0043]在半导体纳米颗粒中，银与硫的摩尔比(Ag:S)可以大于或等于约0.05:1。银与硫的摩尔比(Ag:S)可以小于或等于约0.5:1或者小于或等于约0.33:1。
[0044]在半导体纳米颗粒中，银与银、铟和镓的总和的摩尔比[Ag:(Ag+In+Ga)]可以大于或等于约0.05:1。在半导体纳米颗粒中，银与银、铟和镓的总和的摩尔比[Ag:(Ag+In+Ga)]可以小于或等于约0.4:1、小于或等于约0.39:1或者小于或等于约0.36:1。
[0045]在半导体纳米颗粒中，硫与银、铟和镓的总和的摩尔比[S:(Ag+In+Ga)]可以大于或等于约0.65:1、大于或等于约1:1、大于或等于约1.29:1或者大于或等于约1.5:1。在半导体纳米颗粒中，硫与银、铟和镓的总和的摩尔比[S:(Ag+本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种颜色转换面板，所述颜色转换面板包括：颜色转换层，包括颜色转换区域和任选的分隔壁，分隔壁限定颜色转换层的各区域，其中，颜色转换区域包括与第一像素对应的第一区域，第一区域包括第一复合物，第一复合物包括基质和半导体纳米颗粒，其中，半导体纳米颗粒分散在基质中，半导体纳米颗粒包括银、13族金属、锌和硫属元素，半导体纳米颗粒被构造为发射第一光，13族金属是铟、镓、铝或其组合，硫属元素是硫、硒或其组合，并且在半导体纳米颗粒中，锌与银、13族金属和锌的总和的摩尔比大于或等于0.01:1。2.根据权利要求1所述的颜色转换面板，其中，13族金属是铟、镓或其组合，并且硫属元素包括硫。3.根据权利要求1所述的颜色转换面板，其中，第一光具有大于或等于500纳米至小于或等于650纳米的最大发射波长，并且任选地，第一光的半峰全宽大于或等于5纳米至小于或等于90纳米。4.根据权利要求1所述的颜色转换面板，其中，在半导体纳米颗粒中，锌与银、铟、镓和锌的总和的摩尔比大于或等于0.05:1至小于或等于0.95:1，锌与硫的摩尔比大于或等于0.05:1至小于或等于0.8:1，铟和镓的总和与硫的摩尔比大于或等于0.05:1至小于或等于0.8:1，或者银与硫的摩尔比大于或等于0.05:1至小于或等于0.5:1。5.根据权利要求1所述的颜色转换面板，其中，在半导体纳米颗粒中，银与银、铟、锌和镓的总和的摩尔比大于或等于0.05:1至小于或等于0.39:1，或者硫与银、铟、锌和镓的总和的摩尔比大于或等于0.69:1至小于或等于5:1。6.根据权利要求1所述的颜色转换面板，其中，在半导体纳米颗粒中，锌与银、铟、镓和锌的总和的摩尔比大于或等于0.1:1且小于或等于0.8:1。7.根据权利要求1所述的颜色转换面板，其中，第一复合物具有大于或等于12％的光转换效率，或者第一复合物具有大于或等于90％的入射光吸收率，其中，光转换效率由等式2定义，并且入射光吸收率由等式3定义：等式2光转换效率＝[A/(B
‑
B')]
×
100％等式3入射光吸收率＝[(B
‑
B')/B]
×
100％其中，在等式2和等式3中，A是从第一复合物发射的第一光的量，
B是提供到第一复合物的入射光的量，并且B'是穿过第一复合物的入射光的量。8.一种显示装置，所述显示装置包括：光源；以及根据权利要求1所述的颜色转换面板，其中，光源被构造为向颜色转换面板提供入射光。9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，光源包括有机发光二极管、微发光二极管、迷你发光二极管、包括纳米棒的发光二极管或其组合。10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，在颜色转换面板中，颜色转换层包括两个或更多个颜色转换区域，并且所述显示装置在颜色转换区域上还包括滤色器、微透镜或其组合。11.一种半导体纳米颗粒，所述半导体纳米...

【专利技术属性】
技术研发人员：元那渊，金泰坤，金旻淏，朴相铉，梁承林，李准浩，田信爱，郑睿彬，曺雅罗，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：