基板缺陷检查装置制造方法及图纸

基板缺陷检查装置包括：光源，产生在第一方向上行进的光；狭缝，在第一方向上与光源隔开配置，并形成有光能够通过的开口；以及传感器，能够检测穿过狭缝的光透过在第一方向上与狭缝隔开配置的被检查体而形成的散射光，并在第一方向上与被检查体隔开配置，光具有由下面式1定义的散度(divergence)A，[式1]散度A＝D/HD为开口的在垂直于第一方向的第二方向上的宽度，H为狭缝与被检查体在第一方向上隔开的距离，传感器以从光源的中心在第一方向上延伸的虚拟线为基准在第二方向上与虚拟线隔开。的虚拟线为基准在第二方向上与虚拟线隔开。的虚拟线为基准在第二方向上与虚拟线隔开。

【技术实现步骤摘要】
基板缺陷检查装置


[0001]本专利技术涉及一种基板缺陷检查装置。

技术介绍

[0002]显示装置以多种方式制造并使用。显示装置可以显示光而向用户提供视觉性的信息。这样的显示装置可以包括利用液晶层发光的液晶显示装置、利用无机发光二极管发光的无机发光显示装置、利用有机发光二极管发光的有机发光显示装置等。
[0003]从二极管发射的光可以穿过颜色转换层。在此过程中，根据穿过颜色转换层的光散射的情况，显示装置可能非正常地发光。

技术实现思路

[0004]本专利技术的一目的是提供一种基板缺陷检查装置。
[0005]本专利技术的另一目的是提供一种基板缺陷检查方法。
[0006]但是，本专利技术不限于上述的目的，可以在不脱离本专利技术的构思以及领域的范围中进行各种扩展。
[0007]为了达成上述的本专利技术的一目的，可以是，根据本专利技术的实施例的基板缺陷检查装置包括：光源，产生在第一方向上行进的光；狭缝，在所述第一方向上与所述光源隔开配置，并形成有所述光能够穿过的开口；以及传感器，能够检测穿过所述狭缝的所述光透过在所述第一方向上与所述狭缝隔开配置的被检查体而形成的散射光，并在所述第一方向上与所述被检查体隔开配置，所述光具有由下面式1定义的散度(divergence)A，
[0008][式1][0009]散度A＝D/H
[0010]D为所述开口的在垂直于所述第一方向的第二方向上的宽度，H为所述狭缝与所述被检查体在所述第一方向上隔开的距离，
[0011]所述传感器以从所述光源的中心在所述第一方向上延伸的虚拟线为基准在所述第二方向上与所述虚拟线隔开。
[0012]在一实施例中，可以是，所述传感器在所述第二方向上与所述虚拟线隔开相当于由下面式2定义的偏心DC，
[0013][式2][0014]偏心DC＝k
×
A
×
L
[0015]k为0.5以上且3以下的正数，L为所述传感器在所述第一方向上与所述被检查体隔开的距离。
[0016]在一实施例中，可以是，所述偏心DC为1毫米～50毫米。
[0017]在一实施例中，可以是，所述被检查体为包括颜色转换层的基板。
[0018]在一实施例中，可以是，穿过所述狭缝的所述光透过在所述第一方向上与所述狭缝隔开配置的所述被检查体而形成的所述散射光所散射的程度为0～70度(degree)。
[0019]在一实施例中，可以是，从所述光源产生的所述光的波长为400纳米～700纳米。
[0020]在一实施例中，可以是，所述光源为线状光源(linear light source)。
[0021]在一实施例中，可以是，所述传感器为CMOS(互补金属氧化物半导体)相机或CCD(电荷耦合器件)相机。
[0022]在一实施例中，可以是，所述开口的在所述第二方向上的所述宽度为0.1毫米～5毫米。
[0023]在一实施例中，可以是，所述狭缝与所述被检查体之间的距离为10毫米～500毫米。
[0024]为了达成上述的本专利技术的另一目的，可以是，根据本专利技术的实施例的基板缺陷检查方法包括：从光源产生在第一方向上行进的光的步骤；所述光穿过形成在位于所述光的行进方向的狭缝中的开口的步骤；穿过所述狭缝的所述开口的所述光透过位于所述光的行进方向的被检查体而形成散射光的步骤；以及通过位于所述散射光的行进路径的传感器检测所述散射光的步骤，所述光具有由下面式1定义的散度(divergence)A，
[0025][式1][0026]散度A＝D/H
[0027]D为所述开口的在垂直于所述第一方向的第二方向上的宽度，H为所述狭缝与所述被检查体在所述第一方向上隔开的距离，
[0028]所述传感器以从所述光源的中心在所述第一方向上延伸的虚拟线为基准在所述第二方向上与所述虚拟线隔开。
[0029]在一实施例中，可以是，所述传感器在所述第二方向上与所述虚拟线隔开相当于由下面式2定义的偏心DC，
[0030][式2][0031]偏心DC＝k
×
A
×
L
[0032]k为0.5以上且3以下的正数，L为所述传感器在所述第一方向上与所述被检查体隔开的距离。
[0033]在一实施例中，可以是，所述偏心DC为1毫米～50毫米。
[0034]在一实施例中，可以是，所述被检查体为包括颜色转换层的基板。
[0035]在一实施例中，可以是，穿过所述狭缝的所述光透过在所述第一方向上与所述狭缝隔开配置的所述被检查体而形成的所述散射光所散射的程度为0～70度(degree)。
[0036]在一实施例中，可以是，从所述光源产生的所述光的波长为400纳米～700纳米。
[0037]在一实施例中，可以是，所述光源为线状光源(linear light source)。
[0038]在一实施例中，可以是，所述传感器为CMOS(互补金属氧化物半导体)相机或CCD(电荷耦合器件)相机。
[0039]在一实施例中，可以是，所述开口的在所述第二方向上的所述宽度为0.1毫米～5毫米。
[0040]在一实施例中，可以是，所述狭缝与所述被检查体之间的距离为10毫米～500毫米。
[0041]为了达成上述的本专利技术的一目的，可以是，根据本专利技术的实施例的基板缺陷检查装置包括：光源，产生光，以使光相对于在第一方向上隔开配置的被检查体以预设定的入射
角入射；以及传感器，能够检测所述光透过所述被检查体而形成的散射光，并在所述第一方向上与所述被检查体隔开配置，所述光具有小于所述散射光所散射的程度的散度B，所述入射角为所述散度B的0.5倍～4倍。
[0042]在一实施例中，可以是，所述被检查体为包括颜色转换层的基板。
[0043]在一实施例中，可以是，所述散射光所散射的程度为0～70度(degree)。
[0044]在一实施例中，可以是，从所述光源产生的所述光的波长为400纳米～700纳米。
[0045]在一实施例中，可以是，所述光源为线状光源(linearlightsource)。
[0046]在一实施例中，可以是，所述传感器为CMOS(互补金属氧化物半导体)相机或CCD(电荷耦合器件)相机。
[0047]在一实施例中，可以是，所述散度B为15度以下。
[0048]根据本专利技术的实施例的基板缺陷检查装置以及利用其的基板缺陷检查方法重新定义光源、狭缝、被检查体以及传感器的配置关系。
[0049]在利用如上所述的基板缺陷检查装置以及利用其的基板缺陷检查方法的情况下，可以精细地检测出基板的缺陷。
[0050]但是，本专利技术的效果不限于上述的效果，可以在不脱离本专利技术的构思以及领域的范围中进行各种扩展。
附图说明
[0051]图1是示出根据本专利技术的一实施例的基板缺陷检查装置的图。
[0052]图2至图5是示出图1的基板缺陷检查装置所检查的被检本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板缺陷检查装置，其特征在于，包括：光源，产生在第一方向上行进的光；狭缝，在所述第一方向上与所述光源隔开配置，并形成有所述光能够穿过的开口；以及传感器，能够检测穿过所述狭缝的所述光透过在所述第一方向上与所述狭缝隔开配置的被检查体而形成的散射光，并在所述第一方向上与所述被检查体隔开配置，所述光具有由下面式1定义的散度A，[式1]散度A＝D/HD为所述开口的在垂直于所述第一方向的第二方向上的宽度，H为所述狭缝与所述被检查体在所述第一方向上隔开的距离，所述传感器以从所述光源的中心在所述第一方向上延伸的虚拟线为基准在所述第二方向上与所述虚拟线隔开。2.根据权利要求1所述的基板缺陷检查装置，其特征在于，所述传感器在所述第二方向上与所述虚拟线隔开相当于由下面式2定义的偏心DC，[式2]偏心DC＝k
×
A
×
Lk为0.5以上且3以下的正数，L为所述传感器在所述第一方向上与所述被检查体隔开的距离。3.根据权利要求2所述的基板缺陷检查装置，其特征在于，所述偏心DC为1毫米～50毫米。4.根据权利要求1所述的基板缺陷检...

【专利技术属性】
技术研发人员：亚历山大，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：