图像显示装置的制造方法和图像显示装置制造方法及图纸

实施方式的图像显示装置的制造方法具备：在基板上形成单结晶金属的第一部分的工序；在所述第一部分上形成包含发光层在内的半导体层的工序；对所述半导体层进行加工而形成包含所述第一部分上的发光面在内的发光元件的工序；形成将所述基板和所述发光元件覆盖的第一绝缘膜的工序；在所述第一绝缘膜上形成电路元件的工序；在所述电路元件与所述发光元件之间形成遮光部件的工序；形成将所述第一绝缘膜和所述电路元件覆盖的第二绝缘膜的工序；形成贯通所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的第一过孔的工序；在所述第二绝缘膜上形成配线层的工序；将所述基板除去的工序；将所述第一部分的至少一部分除去的工序。至少一部分除去的工序。至少一部分除去的工序。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】图像显示装置的制造方法和图像显示装置


[0001]本专利技术的实施方式涉及图像显示装置的制造方法和图像显示装置。

技术介绍

[0002]期望实现高辉度、广视角、高对比度且耗电低的薄型图像显示装置。为了应对这样的市场需求，当前正推进利用了自发光元件的显示装置的开发。
[0003]作为自发光元件，期待着使用了作为微细发光元件的微型LED的显示装置的推出。作为使用了微型LED的显示装置的制造方法，介绍了将单独形成的微型LED向驱动电路依次转印的方法。然而，随着全高清、4K、8K等而成为高画质，微型LED的元件数量变多，如果将大量微型LED单独形成并向形成有驱动电路等的基板依次转印，则转印工序需要庞大的时间。而且，可能会产生微型LED与驱动电路等的连接不良等而导致成品率下降。
[0004]已知以下技术：在Si基板上使包含发光层的半导体层生长，在半导体层上形成电极后，向形成有驱动电路的电路基板粘合(例如，参照专利文献1)。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1：(日本)特开2002
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141492号公报
[0008]非专利文献
[0009]非专利文献1：H.Kim,J.Ohta,K.Ueno,A.Kobayashi,M.Morita,Y.Tokumoto&H.Fujioka,"Fabrication of full
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color GaN
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based light
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emitting diodes on nearly lattice
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matched flexible metal foils",SCIENTIFIC REPORTS,7:2112,18May 2017
[0010]非专利文献2：J.W.Shon,J.Ohta,K.Ueno,A.Kobayashi&H.Fujioka,"Fabrication of full
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color InGaN
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based light
‑
emitting diodes on amorphous substrates by pulsed sputtering",SCIENTIFIC REPORTS,4:5325,23June 2014

技术实现思路

[0011]专利技术所要解决的技术问题
[0012]本专利技术一个实施方式提供一种缩短发光元件的转印工序且提高了成品率的图像显示装置的制造方法和图像显示装置。
[0013]用于解决技术问题的技术方案
[0014]本专利技术一个实施方式的图像显示装置的制造方法具备：在基板上形成包含单结晶金属的第一部分在内的层的工序；在所述第一部分上形成包含发光层的半导体层的工序；对所述半导体层进行加工而形成包含所述第一部分上的发光面和所述发光面的相反侧的上面在内的发光元件的工序；形成将所述基板、包含所述第一部分在内的层以及所述发光元件覆盖的第一绝缘膜的工序；在所述第一绝缘膜上形成电路元件的工序；在所述电路元件与所述发光元件之间形成遮光部件的工序；形成将所述第一绝缘膜和所述电路元件覆盖
的第二绝缘膜的工序；形成贯通所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的第一过孔的工序；在所述第二绝缘膜上形成配线层的工序；将所述基板除去的工序；将所述发光面上的所述第一部分的至少一部分除去的工序；所述第一过孔设置在所述配线层与所述上面之间，并且将所述配线层和所述上面电连接。
[0015]本专利技术一个实施方式的图像显示装置具备：发光元件，其包含发光面和所述发光面的相反侧的上面；第一绝缘膜，其以使所述发光面露出的方式覆盖所述发光元件；电路元件，其设置在所述第一绝缘膜上；遮光部件，其设置在所述电路元件与所述上面之间；第二绝缘膜，其覆盖所述第一绝缘膜和所述电路元件；第一过孔，其以贯通所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的方式设置；配线层，其设置在所述第二绝缘膜上。所述第一过孔设置在所述配线层与所述上面之间，并且将所述配线层和所述上面电连接。所述第一绝缘膜包含所述发光面侧的第一面。所述发光面与所述第一面相比设置于凹部。
[0016]本专利技术一个实施方式的图像显示装置具备：第一半导体层，其包含能够形成多个发光区域的发光面；多个发光层，其在所述第一半导体层上分离地设置；多个第二半导体层，其分别设置在所述多个发光层上，具有与所述第一半导体层不同的导电型，并且分别包含与设有所述多个发光层的面位于相反侧的多个上面；第一绝缘膜，其以使所述发光面露出的方式覆盖所述第一半导体层、所述多个发光层以及所述多个第二半导体层；多个晶体管，其在所述第一绝缘膜上相互分离设置；遮光部件，其设置在所述多个晶体管与所述多个上面之间；第二绝缘膜，其覆盖所述第一绝缘膜和所述多个晶体管；多个第一过孔，其以贯通所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的方式设置；配线层，其设置在所述第二绝缘膜上。所述多个第二半导体层分别被所述第一绝缘膜分离。所述多个发光层分别被所述第一绝缘膜分离。所述多个第一过孔分别设置在所述配线层与所述多个上面之间，并且分别将所述配线层和所述多个上面电连接。所述第一绝缘膜包含所述发光面侧的第一面。所述发光面与所述第一面相比设置于凹部。
[0017]本专利技术一个实施方式的图像显示装置具备：多个发光元件，其分别包含发光面和所述发光面的相反侧的上面；第一绝缘膜，其以使所述发光面露出的方式覆盖所述多个发光元件；电路元件，其设置在所述第一绝缘膜上；遮光部件，其设置在所述电路元件与所述上面之间；第二绝缘膜，其覆盖所述第一绝缘膜和所述电路元件；多个第一过孔，其以贯通所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的方式设置；配线层，其设置在所述第二绝缘膜上。所述多个第一过孔设置在所述配线层与所述多个上面之间，并且分别将所述配线层和所述多个上面电连接。所述第一绝缘膜包含所述多个发光面侧的第一面。所述多个发光面与所述第一面相比设置于凹部。
[0018]专利技术效果
[0019]根据本专利技术的一个实施方式，能够实现缩短发光元件的转印工序且提高了成品率的图像显示装置的制造方法。
[0020]根据本专利技术的一个实施方式，能够实现发光元件的小型化，并且能够实现高清化的图像显示装置。
附图说明
[0021]图1是例示第一实施方式的图像显示装置的一部分的示意性剖视图。
[0022]图2是图1的A部分的示意性放大图。
[0023]图3是例示第一实施方式的图像显示装置的示意性框图。
[0024]图4是例示第一实施方式的图像显示装置的一部分的示意性平面图。
[0025]图5A是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性剖视图。
[0026]图5B是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性剖视图。
[0027]图6A是例示第一实施方式的图像显示装置的制造方法的一部分的示意性剖视图。
[0028]图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种图像显示装置的制造方法，具备：在基板上形成包含单结晶金属的第一部分在内的层的工序；在所述第一部分上形成包含发光层的半导体层的工序；对所述半导体层进行加工而形成包含所述第一部分上的发光面和所述发光面的相反侧的上面在内的发光元件的工序；形成将所述基板、包含所述第一部分在内的层以及所述发光元件覆盖的第一绝缘膜的工序；在所述第一绝缘膜上形成电路元件的工序；在所述电路元件与所述发光元件之间形成遮光部件的工序；形成将所述第一绝缘膜和所述电路元件覆盖的第二绝缘膜的工序；形成贯通所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的第一过孔的工序；在所述第二绝缘膜上形成配线层的工序；将所述基板除去的工序；将所述发光面上的所述第一部分的至少一部分除去的工序；所述第一过孔设置在所述配线层与所述上面之间，并且将所述配线层和所述上面电连接。2.根据权利要求1所述的图像显示装置的制造方法，形成包含所述第一部分在内的层的工序包含：在所述基板上形成金属层的工序；对所述金属层进行退火处理而形成所述第一部分的工序；在平面图中所述发光元件的外周配置在所述第一部分的外周以内。3.根据权利要求2所述的图像显示装置的制造方法，形成包含所述第一部分在内的层的工序包含在对所述金属层进行退火处理之前将所述金属层图案化的工序。4.根据权利要求1至3中任一项所述的图像显示装置的制造方法，形成所述遮光部件的工序包含在所述上面上形成遮光电极的工序，所述第一过孔经由所述遮光电极而与所述上面电连接。5.根据权利要求1至4中任一项所述的图像显示装置的制造方法，形成所述遮光部件的工序在形成所述电路元件的工序之前包含在所述第一绝缘膜上形成遮光层的工序。6.根据权利要求1至5中任一项所述的图像显示装置的制造方法，还具备形成贯通所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的第二过孔的工序，所述发光元件包含沿着所述发光面设置的第一连接部，所述第二过孔设置在所述配线层与所述第一连接部之间，并且将所述配线层和所述第一连接部电连接。7.根据权利要求1至6中任一项所述的图像显示装置的制造方法，还具备在将所述发光面上的所述第一部分的至少一部分除去的工序之后使露出的所述发光面粗糙化的工序。8.根据权利要求1至5中任一项所述的图像显示装置的制造方法，
还具备形成贯通所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的第二过孔的工序，将所述发光面上的所述第一部分的至少一部分除去的工序包含通过将所述第一部分的一部分除去而形成与包含所述发光面的面连接的第二连接部的工序，所述第二过孔设置在所述配线层与所述第二连接部之间，并且将所述配线层和所述第二连接部电连接。9.根据权利要求1至8中任一项所述的图像显示装置的制造方法，所述半导体层包含氮化镓系化合物半导体。10.根据权利要求1至9中任一项所述的图像显示装置的制造方法，还具备在将所述基板除去之后，代替所述基板而在所述发光面上形成波长转换部件的工序。11.一种图像显示装置，具备：发光元件，其包含发光面和所述发光面的相反侧的上面；第一绝缘膜，其以使所述发光面露出的方式覆盖所述发光元件；电路元件，其设置在所述第一绝缘膜上；遮光部件，其设置在所述电路元件与所述上面之间；第二绝缘膜，其覆盖所述第一绝缘膜和所述电路元件；第一过孔，其以贯通所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜的方式设置；配线层，其设置在所述第二绝缘膜上；所述第一过孔设置在所述配线层与所述上面之间，并且将所述配线层和所述上面电连接，所述第一绝缘膜包含所述发光面侧的第一面，所述发光面与所述第一面相比设置于凹部。12.根据权利要求11...

【专利技术属性】
技术研发人员：秋元肇，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：