显示装置制造方法及图纸

技术编号:38877738 阅读:14 留言:0更新日期:2023-09-22 14:10
提供一种高清晰显示装置。提供一种高开口率的显示装置。显示装置包括第一像素电极、第二像素电极、第一绝缘层、第二绝缘层、第一EL层、第二EL层及公共电极。第一绝缘层覆盖第一像素电极及第二像素电极的端部。第二绝缘层设置在第一像素电极、第二像素电极及第一绝缘层上,并覆盖第一绝缘层的端部。第一EL层设置在第一像素电极上,第二EL层设置在第二像素电极上。第一EL层的端部与第二EL层的端部彼此对置,并与第一绝缘层重叠。公共电极具有与第一EL层重叠的部分及与第二EL层重叠的部分。第一绝缘层包含有机树脂,第二绝缘层包含无机绝缘材料。材料。材料。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种显示装置。本专利技术的一个方式涉及一种显示装置的制造方法。
[0002]注意,本专利技术的一个方式不局限于上述
作为本说明书等所公开的本专利技术的一个方式的
的例子,可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置、输入输出装置、这些装置的驱动方法或这些装置的制造方法。半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。

技术介绍

[0003]近年来,高清晰显示器面板被需求。作为被要求高清晰显示器面板的设备,例如有智能手机、平板终端、笔记本型个人计算机等。另外,电视装置、显示器装置等固定式显示器装置也随着高分辨率化被要求高清晰化。再者,作为最需求高清晰度的设备,例如有应用于虚拟现实(VR:Virtual Reality)或增强现实(AR:Augmented Reality)的设备。
[0004]此外,作为可以应用于显示器面板的显示装置,典型地可以举出液晶显示装置、具备有机EL(Electro Luminescence:电致发光)元件、发光二极管(LED:Light Emitting Diode)等发光元件的发光装置、以电泳方式等进行显示的电子纸等。
[0005]例如,专利文献1公开了使用有机EL元件的应用于VR的显示装置的一个例子。[先行技术文献][专利文献][0006][专利文献1]国际专利申请公开第2018/087625号

技术实现思路

专利技术所要解决的技术问题/>[0007]本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种高清晰显示装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种高开口率的显示装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种兼具高显示品质和高清晰度的显示装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种对比度高的显示装置。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种可靠性高的显示装置。
[0008]本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种具有新颖结构的显示装置或显示装置的制造方法。本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种以高成品率制造上述显示装置的方法。本专利技术的一个方式的目的之一是至少改善现有的技术问题中的至少一个。
[0009]注意,这些目的的记载并不妨碍其他目的的存在。注意,本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。注意,可以从说明书、附图、权利要求书等的记载抽取上述以外的目的。解决技术问题的手段
[0010]本专利技术的一个方式是一种显示装置,包括第一像素电极、第二像素电极、第一绝缘层、第二绝缘层、第一EL层、第二EL层以及公共电极。第一像素电极与第二像素电极排列地
设置。第一绝缘层覆盖第一像素电极的端部及第二像素电极的端部。在第一绝缘层的端部中,一部分与第一像素电极的顶面重叠,另一部分与第二像素电极的顶面重叠。第二绝缘层设置在第一像素电极、第二像素电极及第一绝缘层上,并覆盖第一绝缘层的端部。在第二绝缘层的端部中,一部分与第一像素电极的顶面重叠,另一部分与第二像素电极的顶面重叠。第一EL层设置在第一像素电极上,第二EL层设置在第二像素电极上。第一EL层的端部与第二EL层的端部彼此对置,并与第一绝缘层重叠。公共电极具有与第一EL层重叠的部分及与第二EL层重叠的部分。第一绝缘层包含有机树脂,第二绝缘层包含无机绝缘材料。
[0011]另外,在上述中,第一绝缘层优选在顶面与端部之间具有曲面。另外,第二绝缘层优选具有侧面与底面所形成的角度为20度以上且小于90度的部分。
[0012]另外,在上述任一个中,第一绝缘层优选包含丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺酰胺树脂、硅氧烷树脂、苯并环丁烯类树脂、酚醛树脂或这些树脂的前体。
[0013]另外,在上述任一个中,第二绝缘层优选包含氧化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧氮化铝、氧化铪、铟镓氧化物或铟镓锌氧化物。
[0014]另外,在上述任一个中,第二绝缘层也可以在不与第一EL层及第二EL层重叠的区域中具有凹部。或者,第二绝缘层也可以在不与第一EL层及第二EL层重叠的区域中被分割。
[0015]另外,在上述任一个中,第二绝缘层优选包括第一绝缘膜、第一绝缘膜上的第二绝缘膜。此时,第一绝缘膜的侧面与底面所形成的第一角度和第二绝缘膜的侧面与底面所形成的第二角度优选不同。
[0016]另外,在上述中,优选的是,第一绝缘膜薄于第二绝缘膜,并且第一角度大于第二角度。或者,优选的是,第二绝缘膜薄于第一绝缘膜,并且第二角度大于第一角度。
[0017]另外,在上述任一个中,优选的是,第一绝缘膜包含氮化硅膜,并且第二绝缘膜包含氧化硅膜。
[0018]此外,本专利技术的一个方式是一种显示装置的制造方法,包括如下步骤:形成第一像素电极及第二像素电极;以覆盖第一像素电极及第二像素电极的方式形成感光性的树脂膜;通过对树脂膜使用第一光掩模进行曝光及显影,来形成覆盖第一像素电极的端部及第二像素电极的端部的第一绝缘层;以覆盖第一像素电极、第二像素电极及第一绝缘层的方式形成无机绝缘膜;在无机绝缘膜上形成抗蚀剂膜;通过对抗蚀剂膜使用第一光掩模进行曝光及显影,来形成抗蚀剂掩模;以及通过对不被抗蚀剂掩模覆盖的无机绝缘膜进行蚀刻,形成覆盖第一像素电极的顶面、第二像素电极的顶面及第一绝缘层的顶面的第二绝缘层。
[0019]另外,在上述中,优选的是,在形成第二绝缘层之后,在第一像素电极上形成第一EL层,在第二像素电极上形成第二EL层,在第一EL层及第二EL层上形成公共电极。此时,第一EL层及第二EL层优选通过光刻法加工为岛状或带状。专利技术效果
[0020]根据本专利技术的一个方式,可以提供一种高清晰显示装置。另外,根据本专利技术的一个方式,可以提供一种兼具高显示品质和高清晰度的显示装置。另外,根据本专利技术的一个方式,可以提供一种对比度高的显示装置。另外,根据本专利技术的一个方式,可以提供一种可靠性高的显示装置。
[0021]根据本专利技术的一个方式,可以提供一种具有新颖结构的显示装置或显示装置的制
造方法。另外,根据本专利技术的一个方式,可以提供一种以高成品率制造上述显示装置的方法。另外,根据本专利技术的一个方式,可以至少改善现有的技术问题中的至少一个。
[0022]注意,这些效果的记载并不妨碍其他效果的存在。注意,本专利技术的一个方式并不需要具有所有上述效果。注意,可以从说明书、附图、权利要求书等的记载抽取上述以外的效果。附图简要说明
[0023]图1A至图1D是示出显示装置的结构例子的图。图2A及图2B是示出显示装置的结构例子的图。图3A至图3C是示出显示装置的结构例子的图。图4A至图4C是示出显示装置的结构例子的图。图5A至图5G是示出显示装置的制造方法例子的图。图6A至图6F是示出显示装置的制造方法例子的图。图7A至图7E是示出显示装置的制造方法例子的图。图8A至图8C是示出显示装置的制造方法例子的图。图9A至图9C是示出显示装置的制造方法例子的图。图10A至图10C是示出显示装置的结构例子的图。图11A至图11C本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示装置,包括:第一像素电极;第二像素电极;第一绝缘层;第二绝缘层;第一EL层;第二EL层;以及公共电极,其中,所述第一像素电极与所述第二像素电极排列地设置,所述第一绝缘层覆盖所述第一像素电极的端部及所述第二像素电极的端部,在所述第一绝缘层的端部中,一部分与所述第一像素电极的顶面重叠,另一部分与所述第二像素电极的顶面重叠,所述第二绝缘层设置在所述第一像素电极、所述第二像素电极及所述第一绝缘层上,并覆盖所述第一绝缘层的端部,在所述第二绝缘层的端部中,一部分与所述第一像素电极的顶面重叠,另一部分与所述第二像素电极的顶面重叠,所述第一EL层设置在所述第一像素电极上,所述第二EL层设置在所述第二像素电极上,所述第一EL层的端部与所述第二EL层的端部彼此对置,并与所述第一绝缘层重叠,所述公共电极具有与所述第一EL层重叠的部分及与所述第二EL层重叠的部分,所述第一绝缘层包含有机树脂,并且,所述第二绝缘层包含无机绝缘材料。2.根据权利要求1所述的显示装置,其中所述第一绝缘层在顶面与所述端部之间具有曲面,并且所述第二绝缘层具有侧面与底面所形成的角度为20度以上且小于90度的部分。3.根据权利要求1或2所述的显示装置,其中所述第一绝缘层包含丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺酰胺树脂、硅氧烷树脂、苯并环丁烯类树脂、酚醛树脂或这些树脂的前体。4.根据权利要求1至3中任一项所述的显示装置,其中所述第二绝缘层包含氧化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧氮化铝、氧化铪、铟镓氧化物或铟镓锌氧化物。5.根据权利要求1至4中任一项所述的显示装置,其中所述第二绝缘层在不与所述第一EL层及所述第二EL层重叠的区域中具有凹部。6.根据权利要求1至4中任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:佐藤来片山雅博后藤尚人中泽安孝冈崎健一
申请(专利权)人:株式会社半导体能源研究所
类型:发明
国别省市:

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