【技术实现步骤摘要】
一种用于激光隐形切割改性层的形位检测方法
[0001]本专利技术涉及激光隐形切割
,具体为一种用于激光隐形切割改性层的形位检测方法。
技术介绍
[0002]随着微电子产业的发展,集成电路的集成度要求越来越高,功能越来越复杂,相应地要求集成电路封装密度大、体积小。作为集成电路芯片制造中的一道关键工序,晶圆的切割质量直接影响芯片的性能。激光隐形切割技术作为一种新兴的激光切割技术,与其他激光切割技术相比,具有无表面划痕、无碎屑熔渣、热影响区小、干燥切割等优点,在微纳加工方面具有独特的优势,可实现对玻璃、蓝宝石、硅等晶圆的零切割线宽、快速和正面无损伤切割。
[0003]激光隐形切割技术是将脉冲激光聚焦在材料内部,使内部材料形成改性层,产生再结晶、位错和微裂纹,通过外力使改性层裂纹扩展实现材料切割的技术。然而,吸收单次脉冲激光能量的改性层无法形成裂纹,改性层裂纹是由每个脉冲激光焦点的热影响区叠加作用产生,因此改性层裂纹的产生和扩展方向具有不确定性。另外,不同厚度的晶圆进行激光隐形切割时,所需的改性层厚度不同。以上原因都可 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于激光隐形切割改性层的形位检测方法,其特征在于:包括以下步骤:A、激光器(1)发射检测激光束(2),检测激光束(2)经过偏振片(3)变为线偏振光,线偏振光透过偏振分光镜(4),经过聚焦物镜(5)形成焦点(6),焦点(6)聚焦在激光隐形切割样品(7)表面;B、通过上位机(14)对运动控制器(15)下达指令,运动控制器(15)控制微纳平台(8)移动,微纳平台(8)沿X轴、Z轴按照周期性矩形波路线(16)移动,使焦点(6)在激光隐形切割样品(7)内部移动,对激光隐形切割样品(7)改性层进行检测;C、焦点(6)处的线偏振光在激光隐形切割样品(7)表面发生单次散射和反射,在激光隐形切割样品(7)改性层发生多次散射;发生单次散射和反射的线偏振光偏振状态保持不变,而在激光隐形切割样品(7)改性层发生多次散射的线偏振光偏振状态发生改变;D、在焦点(6)处的散射光按原光路返回聚焦物镜(5),经偏振分光镜(4)反射进入格兰镜(9),格兰镜(9)过滤掉初始偏振光,在激光隐形切割样品(7)改性层发生多次散射的线偏振光经聚焦透镜(10)聚焦到针孔(11),经光电检测器(12)采集;E、光电检测器(12)将偏振状态发生改变的线偏振光的光强转化为电信号...
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