天线组件和终端制造技术

技术编号:38878027 阅读:3 留言:0更新日期:2023-09-22 14:10
本公开是关于一种天线组件和终端。本公开的天线组件包括:第一天线辐射体;第一上框点,与第一天线辐射体电连接;第一射频通路,包括第一馈电,所述第一馈电设置于第一上框点,第一射频通路通过第一上框点电连接至第一天线辐射体;以及第二射频通路,包括第二馈电,第二馈电设置于所述第一上框点,第二射频通路通过第一上框点电连接至所述第一天线辐射体,并且第二射频通路覆盖的频段与第一射频通路覆盖的频段不同。这样的设置,可以减少上框点的设置,进而可以降低天线组件的生产成本,并且可以减少天线组件中的损耗,从而增加了天线组件的系统链路性能,最终可以达到提升整机辐射性能的目的。能的目的。能的目的。

【技术实现步骤摘要】
天线组件和终端


[0001]本公开涉及终端天线领域,尤其涉及一种天线组件和终端。

技术介绍

[0002]随着终端设备更新换代的加快,5G的普及,人们对终端设备的轻薄及5G的普及都有强烈的要求。终端设备的屏幕越来越大,轻薄化程度越来越高,使得终端设备上的天线净空越来越少,终端设备上可以用于设置天线的空间页越来越少。
[0003]天线的环境恶化,及天线的数量增加在终端设备的制造和发展上是一个非常大的矛盾。有些终端设备的内部支架的设计,导致终端设备的内部支架上无空间设置相应的天线。
[0004]终端设备的屏幕越来越大,轻薄化程度越来越高,5G所需要的天线数量越来越多,都增加了在终端设备制作上的难度。

技术实现思路

[0005]为克服相关技术中存在的问题,本公开提供一种天线组件和终端。
[0006]根据本公开实施例的第一方面,提供一种天线组件,包括:第一天线辐射体;第一上框点,与所述第一天线辐射体电连接;第一射频通路,包括第一馈电,所述第一馈电设置于所述第一上框点,所述第一射频通路通过所述第一上框点电连接至所述第一天线辐射体;以及第二射频通路,包括第二馈电,所述第二馈电设置于所述第一上框点,所述第二射频通路通过所述第一上框点电连接至所述第一天线辐射体,并且所述第二射频通路覆盖的频段与所述第一射频通路覆盖的频段不同。
[0007]在一实施例中,所述第一上框点包括第一上框金属件。
[0008]在一实施例中,所述第一上框金属件为弹片。
[0009]在一实施例中,所述第一射频通路包括第一电路,所述第一电路配置为所述第一射频通路的调谐电路以及所述第二射频通路的滤波电路;和/或所述第二射频通路包括第二电路,所述第二电路配置为所述第二射频通路的调谐电路以及所述第一射频通路的滤波电路。
[0010]在一实施例中,所述第一射频通路覆盖的频段为700M~960MHz和2.402G~2.48G;和/或所述第二射频通路覆盖的频段为5.15G~5.85G和5925

7125MHz。
[0011]在一实施例中,所述第一射频通路覆盖的频段为1575.42MHz和2.402G~2.48G;和/或所述第二射频通路覆盖的频段为5.15G~5.85G和5925

7125MHz。
[0012]在一实施例中,所述第一天线辐射体上设置有第一断缝,所述第一上框点位于所述第一天线辐射体的一侧,并与所述第一断缝相邻设置。
[0013]在一实施例中,所述天线组件还包括:第二天线辐射体,与所述第一天线辐射体相邻设置;第三射频通路,与所述第一射频通路相邻设置,所述第三射频通路覆盖的频段与所述第一射频通路覆盖的频段以及所述第二射频通路覆盖的频段不同,所述第三射频通路包
括第三馈电,且通过所述第三馈电与所述第二射频通路辐射体电连接。
[0014]在一实施例中,所述第一天线辐射体与所述第二天线辐射体间隔第二断缝设置。
[0015]在一实施例中,所述第一射频通路覆盖的频段为1.2G;和/或所述第二射频通路覆盖的频段为3.3G~4.2G。
[0016]在一实施例中,所述第三射频通路为combo天线。
[0017]在一实施例中,所述第三射频通路包括第三电路,所述第三电路配置为所述第三射频通路的调谐电路以及所述第一射频通路和所述第二射频通路的滤波电路。
[0018]在一实施例中,所述第一天线辐射体的长度为24mm至33mm;和/或所述第二天线辐射体的长度为14mm至20mm。
[0019]根据本公开实施例的第二方面,提供一种终端,包括如前述实施例中任一项所述的天线组件。
[0020]在一实施例中,所述终端还包括边框,所述边框的至少部分配置为所述天线组件的天线辐射体。
[0021]本公开的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果:在本公开中,第一射频通路和第二射频通路都以第一天线辐射体为辐射体收发信号。并且,第一射频通路和第二射频通路都通过第一上框点上框。这样的设置,可以减少上框点的设置,进而可以降低天线组件的生产成本。
[0022]本公开的设置,通过利用一个上框点(第一上框点)将两个射频通路(例如,第一射频通路和第二射频通路)上框,而不需为两个显现分别设置上框点,因此可以更加灵活的选择上框点的位置。另一方面,本公开的设置,使得两个射频通路可以利用一个上框点上框,因此可以不需要另外设置合路器,即可以在天线组件整体中减少一个器件的设置,从而可以减少天线组件中的损耗,进而增加了天线组件的系统链路性能,最终可以达到提升整机辐射功能的目的。
[0023]应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本公开。
附图说明
[0024]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本公开的实施例,并与说明书一起用于解释本公开的原理。
[0025]图1是根据一示例性实施例示出的一种天线组件的结构示意图。
[0026]图2是根据一示例性实施例示出的一种天线组件的第一射频通路和第二射频通路的馈电匹配和滤波网路示意图。
[0027]图3是根据一示例性实施例示出的一种天线组件的第一射频通路的S11参数示意图。
[0028]图4是根据一示例性实施例示出的一种天线组件的第二射频通路的S11参数示意图。
[0029]图5是根据一示例性实施例示出的一种天线组件的第一射频通路和第二射频通路的隔离度的示意图。
[0030]图6是根据一示例性实施例示出的一种天线组件的第一射频通路的辐射和总效率
示意图。
[0031]图7是根据一示例性实施例示出的一种天线组件的第二射频通路的辐射和总效率示意图。
[0032]图8是根据另一示例性实施例示出的一种天线组件的结构示意图。
[0033]图9是根据另一示例性实施例示出的一种天线组件的第一射频通路和第二射频通路的馈电匹配和滤波网路示意图。
[0034]图10是根据另一示例性实施例示出的一种天线组件的第一射频通路和第二射频通路的隔离度的示意图。
[0035]图11是根据另一示例性实施例示出的一种天线组件的第一射频通路的辐射和总效率示意图。
[0036]图12是根据另一示例性实施例示出的一种天线组件的第二射频通路的辐射和总效率示意图。
[0037]图13是根据另一示例性实施例示出的一种天线组件的结构示意图。
[0038]图14是根据另一示例性实施例示出的一种天线组件的第一射频通路、第二射频通路和第三射频通路的隔离度的示意图。
[0039]图15是根据另一示例性实施例示出的一种天线组件的第一射频通路和第二射频通路的馈电匹配和滤波网路示意图。
[0040]图16是根据另一示例性实施例示出的一种天线组件的第一射频通路的辐射和总效率示意图。
[0041]图17是根据另一示例性实施例示出的一种天线组件的第二射频通路的辐射和本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种天线组件,其特征在于,包括:第一天线辐射体;第一上框点,与所述第一天线辐射体电连接;第一射频通路,包括第一馈电,所述第一馈电设置于所述第一上框点,所述第一射频通路通过所述第一上框点电连接至所述第一天线辐射体;以及第二射频通路,包括第二馈电,所述第二馈电设置于所述第一上框点,所述第二射频通路通过所述第一上框点电连接至所述第一天线辐射体,并且所述第二射频通路覆盖的频段与所述第一射频通路覆盖的频段不同。2.根据权利要求1所述的天线组件,其特征在于,所述第一上框点包括第一上框金属件。3.根据权利要求2所述的天线组件,其特征在于,所述第一上框金属件为弹片。4.根据权利要求3所述的天线组件,其特征在于,所述第一射频通路包括第一电路,所述第一电路配置为所述第一射频通路的调谐电路以及所述第二射频通路的滤波电路;和/或所述第二射频通路包括第二电路,所述第二电路配置为所述第二射频通路的调谐电路以及所述第一射频通路的滤波电路。5.根据权利要求4所述的天线组件,其特征在于,所述第一射频通路覆盖的频段为700M~960MHz和2.402G~2.48G;和/或所述第二射频通路覆盖的频段为5.15G~5.85G和5925

7125MHz。6.根据权利要求4所述的天线组件,其特征在于,所述第一射频通路覆盖的频段为1575.42MHz和2.402G~2.48G;和/或所述第二射频通路覆盖的频段为5.15G~5.85G和5925

7125MHz。7.根据权利要求6所述的天线组件,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘豫青
申请(专利权)人:北京小米移动软件有限公司
类型:发明
国别省市:

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