一种结构件及其制备方法和电子设备技术

本申请提供了一种结构件及其制备方法和电子设备。该结构件的制备方法包括：对结构件基体进行n次化成处理，n≥2，其中，在第i次化成处理之后和第i+1次化成处理之前，对第i次化成处理形成的皮膜进行减薄处理，其中，i是1至n

【技术实现步骤摘要】
一种结构件及其制备方法和电子设备
[0001]本申请要求于2022年3月11日提交至中国专利局、申请号为202210237506.9、申请名称为“一种方法及电子设备”的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。


[0002]本申请涉及电连接
，具体涉及一种结构件及其制备方法和电子设备。

技术介绍

[0003]为了提升电子设备的工作性能、降低器件之间的射频干扰、增加器件之间的隔离度，降低电子静电风险等，电子设备通常需要电连接接地，电子设备中的各器件也需要电连接接地。例如，摄像头模组需要电连接接地，避免来自天线的射频信号的干扰；显示模组也需要电连接接地，避免电磁噪声对显示模组的正常工作造成影响。
[0004]镁合金具有因密度低、强度高等优点可用作电子设备的结构件，在其表面构建导电防腐层可提升其耐蚀性及保证表面的良好导电性，以实现与电子设备中导电部件的电连接，进而实现接地。其中，通过化学转化处理(可简称为“化成处理”)形成的化学转化皮膜是一种成本较低的导电防腐层。而当前在实际生产中采用的皮膜方案的成膜质量较差，成膜缺陷较多、致密性差，导致皮膜的膜电阻过大，无法直接应用于电连接接地。

技术实现思路

[0005]鉴于此，本申请实施例提供了一种结构件及其制备方法和电子设备，以解决结构件表层的化学转化皮膜存在的成膜质量差、电阻过大的问题。
[0006]具体地，本申请实施例第一方面提供了一种结构件的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：
[0007]对结构件基体进行n次化成处理，n≥2，并在第i次化成处理之后和第i+1次化成处理之前，对第i次化成处理形成的皮膜进行减薄处理；其中，i是1至n
‑
1之间的任意整数；所述减薄处理的方式包括化学减薄或物理减薄。
[0008]本申请对结构件基体进行了n次(n≥2)化成处理，并在任意相邻两次化成处理之间都对前一次形成的皮膜进行减薄处理，这样可以借助化学减薄使缺陷皮膜脱落、保留质量良好的皮膜作为下一次化成处理的成膜晶核，或者借助物理减薄来增大结构件基体表面的金属原子排列致密度及伴随形成的致密氧化物薄膜来减少下次化成过程中的析氢反应，进而实现高致密度、低缺陷的良好皮膜制备，保证所得皮膜的稳定低电阻，以便于结构件的电连接接地。
[0009]本申请实施方式中，所述减薄处理包括对第i次化成处理形成的皮膜进行整体减薄，或者进行局部减薄以去除预设区域的皮膜。
[0010]本申请一些实施方式中，所述整体减薄的方式包括化学减薄，所述局部减薄的方式包括物理减薄。
[0011]本申请一些实施方式中，所述化学减薄为碱洗减薄，所用碱性减薄剂是pH≥12的强碱水溶液，进行所述碱性减薄的时间在60s以上，温度在50
‑
90℃的范围内。
[0012]本申请实施方式中，所述物理减薄的方式包括镭雕或离子束减薄。
[0013]本申请一些实施方式中，通过所述镭雕进行所述局部减薄。
[0014]本申请一些实施方式中，所述制备方法还包括：在进行了n次化成处理后的所述结构件基体上形成合金层，以覆盖第n次化成处理形成的皮膜。合金层与皮膜之间的接触情况良好、接触电阻较小，且其可以提升整体膜层的耐磨性和强度。
[0015]本申请实施例第二方面提供了一种结构件，其采用本申请实施例第一方面提供的制备方法制得。
[0016]本申请实施例第三方面提供了一种结构件，所述结构件包括结构件基体，以及设置在所述结构件基体表面的第一皮膜结构，其中，所述第一皮膜结构位于所述结构件基体的预设区域，所述预设区域具有多个凹坑，所述第一皮膜结构设置在所述凹坑的表面。
[0017]本申请一些实施方式中，所述结构件基体还包括非预设区域，所述非预设区域上具有第二皮膜结构，所述第二皮膜结构的厚度大于所述第一皮膜结构。
[0018]本申请一些实施方式中，所述第一皮膜结构上还设置有合金层。
[0019]本申请实施例第四方面提供了一种结构件，其包括结构件基体，以及依次层叠设置在所述结构件基体表面的第一皮膜结构和合金层。
[0020]本申请一些实施方式中，所述第一皮膜结构完全覆盖所述结构件基体的一侧表面。
[0021]本申请另一些实施方式中，所述第一皮膜结构部分覆盖所述结构件基体的一侧表面，所述第一皮膜结构位于所述结构件基体的预设区域，所述预设区域包括多个凹坑，所述第一皮膜结构设置在所述凹坑的表面。
[0022]本申请实施例第五方面提供了一种电子设备，其包括如本申请实施例第二方面或第三方面或第四方面所述的结构件。
附图说明
[0023]图1是本申请实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
[0024]图2是本申请一些实施方式提供的对结构件基体进行一次化成处理的完整工艺流程图。
[0025]图3是本申请另一些实施方式提供的对结构件基体进行一次化成处理的完整工艺流程图。
[0026]图4是本申请实施例提供的在结构件基体上形成皮膜结构的一种完整工艺流程图。
[0027]图5是本申请一实施例提供的结构件的制备流程示意图。
[0028]图6是本申请另一实施例提供的结构件的制备流程示意图。
[0029]图7是本申请又一实施例提供的结构件的制备流程示意图。
[0030]图8a、图8b、图8c、图8d为本申请实施例提供的结构件的几种结构示意图。
[0031]图9是本申请实施例1中一次化成形成的一次皮膜、减薄后二次化成形成的二次皮膜的表面微观形貌及能谱分析结果的对比图。
[0032]图10提供了实施例2中经镭雕处理后的基体预设区域的表面微观形貌图。
[0033]图11提供了在图10的基础上再化成形成的二次皮膜的表面微观形貌图。
具体实施方式
[0034]下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请技术方案进行说明。
[0035]本申请实施例提供了带化学转化皮膜的结构件及其制备方法，以及可使用该结构件的电子设备。本申请提供的技术方案适用于采用以下一种或多种通信技术的电子设备：蓝牙(blue
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tooth，BT)通信技术、全球定位系统(global positioning system，GPS)通信技术、无线保真(wireless fidelity，WiFi)通信技术、全球移动通讯系统(global system for mobile communications，GSM)通信技术、宽频码分多址(wideband code division multiple access，WCDMA)通信技术、长期演进(long term evolution，LTE)通信技术、5G通信技术以及未来其他通信技术等。其中，本申请实施例中的电子设备可以是手机、平板电脑、笔记本电脑、智能手环、智能手表、智能头盔、智能眼镜等。电子设备还可以是蜂窝电话、无绳电话、会话启动协议(session initiation prot本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种结构件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：对结构件基体进行n次化成处理，n≥2，并在第i次化成处理之后和第i+1次化成处理之前，对第i次化成处理形成的皮膜进行减薄处理；其中，i是1至n
‑
1之间的任意整数；所述减薄处理的方式包括化学减薄或物理减薄。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述减薄处理包括对第i次化成处理形成的皮膜进行整体减薄，或者进行局部减薄以去除预设区域的皮膜。3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述整体减薄的方式包括所述化学减薄，所述局部减薄的方式包括所述物理减薄。4.如权利要求1
‑
3任一项所述的制备方法，其特征在于，采用所述化学减薄时，将所述结构件基体浸泡在化学减薄剂中，或将化学减薄剂喷淋或涂覆在所述第i次化成处理形成的皮膜上。5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述化学减薄为碱洗减薄，所用碱性减薄剂是pH≥12的强碱水溶液，进行所述碱性减薄的时间在60s以上，温度在50
‑
90℃的范围内。6.如权利要求1
‑
3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述物理减薄的方式包括镭雕或离子束减薄。7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述镭雕时的激光功率为25
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30W，镭雕速度小于或等于3000mm/s。8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述镭雕包括线状镭雕，镭雕的线间距小于等于0.05mm。9.如权利要求1
‑
8任一项所述的制备方法，其特征在于，对所述结构件基体进行的n次化成处理中，满足以下至少一个条件：a)当i≥2时，第i次化成处理的进行时间少于所述第1次化成处理的进行时间；b)n次化成处理所用的化学转化液形成浓度梯度。10.如权利要求1
‑
9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：在...

【专利技术属性】
技术研发人员：熊真敏，李恒，耿永红，杨雄，袁德增，肖望，章心怡，张世君，唐巍，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：