【技术实现步骤摘要】
包括选择线的存储器设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2022年3月17日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10
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2022
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0033637的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文。
[0003]各种实施例总体上涉及包括选择线的存储器设备，并且更具体地，涉及包括共同耦合到选择线的多个存储器块的存储器设备。
技术介绍
[0004]已提出了包括以三个维度布置的多个存储器单元的三维存储器设备来改进存储器设备的集成度。
[0005]为了改进三维存储器设备的集成密度，可以增加存储器设备中堆叠在彼此的顶部上的存储器单元的数量，并且可以减小存储器单元之间的距离。当集成度增加时，存储器设备的尺寸可以减小，但是存储器单元之间的干扰可能增加。
技术实现思路
[0006]根据一个实施例，一种存储器设备可以包括：第一存储器块，包括第一单元插塞组和第二单元插塞组；第二存储器块，包括第三单元插塞组和第四单元插塞组；连接区域，位于第一存储器块和第二存...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器设备，包括：第一存储器块，包括第一单元插塞组和第二单元插塞组；第二存储器块，包括第三单元插塞组和第四单元插塞组；连接区域，位于所述第一存储器块和所述第二存储器块之间；第一源极选择线，被共同耦合到所述第一单元插塞组和所述第三单元插塞组；第二源极选择线，被耦合到所述第二单元插塞组；以及第三源极选择线，被耦合到所述第四单元插塞组。2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中当所述第一存储器块、所述连接区域和所述第二存储器块沿第一方向布置时，所述第一单元插塞组和所述第二单元插塞组在所述第一存储器块中沿与所述第一方向实质正交的第二方向布置，并且所述第三单元插塞组和所述第四单元插塞组在所述第二存储器块中沿所述第二方向布置。3.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述第一源极选择线通过第一源极隔离图案而与所述第三源极选择线分离。4.根据权利要求2所述的存储器设备，其中所述第二源极选择线通过第二源极隔离图案而与所述第一源极选择线分离。5.根据权利要求1所述的存储器设备，其中所述第二源极选择线和所述第三源极选择线在所述连接区域中彼此分离。6.根据权利要求5所述的存储器设备，其中在所述连接区域中，在所述第二源极选择线和所述第三源极选择线之间形成有从所述第一源极选择线突出的部分。7.根据权利要求1所述的存储器设备，还包括布置在所述第一存储器块、所述连接区域和所述第二存储器块下方的外围电路。8.根据权利要求7所述的存储器设备，其中所述外围电路包括：电压生成电路，被配置为针对编程操作、读取操作和擦除操作中的至少一个操作而生成操作电压；以及行解码器，被配置为将所述操作电压传送到以下中一项：所述第一单元插塞组和所述第三单元插塞组，以及所述第二单元插塞组和所述第四单元插塞组。9.根据权利要求8所述的存储器设备，其中所述行解码器包括：第一传输晶体管，通过所述连接区域中的第一接触部而将所述操作电压传送到所述第一源极选择线；第二传输晶体管，通过所述连接区域中的第二接触部而将所述操作电压传送到所述第二源极选择线；以及第三传输晶体管，通过所述连接区域中的第三接触部而将所述操作电压传送到所述第三源极选择线。10.根据权利要求9所述的存储器设备，其中所述行解码器通过导通所述第一传输晶体管，通过所述第一源极选择线而将所述操作电压传送到所述第一单元...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩允哲，金南局，宋大路，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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